Designer自带DDR3 Example问题请教

snsArvin

0 i& T, }+ w3 {8 v4 O" Z
8 W! p6 L' g0 N" @$ E+ l1 }大家好，小弟最近在学习Designer仿真时，遇到一些问题，甚是不解，请大家指点。
我学习的例子是ANSYS自带的，得益于cousins版主的推荐。
文件在类似这样的目录下D:\Program Files\AnsysEM\AnsysEM15.0\Win64\Examples\Designer\SI_Circuit\DDR3_Example.adsn
& e/ x; K. C3 z( A  n4 F( |' m1.图中的红色部分代表什么？

* g: a+ L/ R. E$ ?- E我看了，这是个.sss后最的文件，不知道这是个什么文件？
2.图中的DQ信号，属性里面为何有diff这样的说法？而且按照这些参数，计算出来阻抗并非50欧姆，如何理解？
7 H3 B% f# _: ]/ B1 J  R2 G( i+ z
; b8 e+ \' A- d3 \
7 O6 T$ M/ M5 x2 L& D; f4 _" S

cousins

1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
  {$ h+ X5 g' W8 S" S2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是两对靠近的差分线。
1 a+ J* l( R* t/ j3 ^- h例子中的通道模型并非你一定要用的，真正项目中用touchstone替代Nport通道就好。
注意检查touchstone的passivity和causality。
2 \/ W* i$ u2 ^7 l2 E& i) z1 H

snsArvin

cousins 发表于 2015-3-12 16:29
1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是 ...

版主，您好。
% m( K' X9 H$ I1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
' T, L, \( O6 ^, h/ ]2.图中是dq信号，不应该是差分才对呀

cousins

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:31
6 S) q5 |- |4 C" N# G" Y版主，您好。
6 ~0 v) j- @+ G, t- w1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
2.图中是dq信号，不应该是差分才对 ...

例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
) n: c( M) r6 q- H; d; J' I6 U/ m实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模型。
4 ^* [& |- d5 K

snsArvin

cousins 发表于 2015-3-12 16:37
例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
! L3 t: U! L. l, x; w实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模 ...

这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？
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4 Q+ q9 T7 [3 B" R3 u

cousins

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:44
这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？
3 l6 Z, d. X0 x% l+ t- |2 |' O
  o9 e% W0 x6 o9 p4 ]! P ...

不需要转换，你新建circuit时，component里就会有对应的元素生成。
导入ibs时选择pin就可以读取pin中的package信息。
, l; e3 k% t+ s' M: T如果你有pkg model，可以编辑ibs定义package model读入rlc。
- }. w- a1 d- d- a# w

buymoreba

请教package

buymoreba

怎么在ibis中编辑pacage,这样designer可以直接导package的参数吗？
! b) L. e1 H: M. x9 E6 K+ C
9 Y9 F/ s, I5 }+ \2 T
9 m3 ~: c7 X; A% h; b1 l

& n+ x  @9 x1 ?, x: U7 q! R5 r
  O' b6 ]8 Y5 Q2 Q- a
1 h& h4 Z, h! v$ f# q* u) S

buymoreba

怎么在ibis中编辑package
, k+ W& N4 r" \4 _. T" a

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学习了学习