DDR3布线 Break in 和Break out区域，怎么理解？？

红孩儿

DDR3内存布线的时候，DG中分了好几个区域，region A region B region C region D,文中反复提到Break in Break OUT,
. X' W& V( U3 }/ P8 A
不知道怎么去理解这两个意思，通常我们break指的是线散出，难道这里的IN和out只是表示方向么？还是有其他的意识？？

shark4685

这个问题还真是文化的问题，如下是我个人的理解：
7 U2 _6 E' a. X7 _! g: ^: N
我理解的的break一般是指BGA封装下面不能按正常线宽出线的地方，至于你说的break in/out,

' q; c9 Y0 v: e) c. P4 W  T应该和你的设计领域有关，DDR3的数据线是双向的，如果从Controler--->>DRAM，如果都是BGA
, }; D. l/ l' O4 a0 L) ~9 t$ I
  |4 L- s3 I& }$ E/ Z2 q的封装，在Controler下面应该是break out,再进入DRAM的BGA封装下面的时候，就应该是break in了，
0 Z' I3 V- y$ e7 h$ C
你会去看下你的design guide是不是这样理解。

9 |0 i5 W( R, m9 n' X& F有时候国外很多做硬件的老外都是老印，老墨，华人，稍微理解下他们的文化，再理解起来会容易些。

cousins

对于这种英文有歧义的地方，可以直接咨询FAE。因为有些术语是部分芯片公司的习惯用法。

红孩儿

多谢2位版主。。

alienware

谢谢，学习下

tdl

这个问题一直模糊着我