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本帖最后由 cousins 于 2015-3-9 15:14 编辑 9 @1 `/ ~" I5 B2 ]0 a0 V! y- o
/ I3 ]- a. j( u4 o2 r1.via的估算
- {: p; t g0 }* i p/ ^Lvia / BGA pairs: @; J8 y6 _! x" \4 \3 l
Lvia = 0.032*Length/ (pi*Log(2 * B / OD))
$ Q7 |8 ^6 {8 e' O! t( l4 p: PB为电源孔与地孔的中心距$ L7 [' _: w% J
OD为钻孔外径* X& ^3 I( d$ y' q) F' y$ t9 s
Length为过孔长度! {/ f( ?: j( Y* D! c8 p F
pi为3.149 v# i, j$ @' D2 X o7 v
* `0 {/ c C R. r
2.扇出线的L估算为0.02nH
( g9 C) E- W7 E& T! I) A9 A, o/ ^* T" s' S* I( i+ Z
3.电容的esl依照封装对应估算为4 z6 J9 [+ k {. I: t
0201 0.2nH
: G: U0 z# V# }0402 0.3nH
3 S! j5 U5 ]: J% |4 _( O0603 0.4nH
/ e3 I3 |. K* S) h/ Z" y. Q0805 0.6nH) S* T" F( t! A/ w1 G
1206 1nH( |2 K$ R# ^% J" P% _; Q/ z
电解电容 1nH以上) F( K8 s9 q6 _7 |' `) \
3 H, {' @4 ]/ u1 U6 N/ ` [( j; [! D" L; Z }5 Y% f$ j
接下来就是估算整个电容对应的阻抗+ S9 A5 G7 e% ?$ ^1 i7 n7 c
环路的loop inductance为 扇出L+BGA的过孔L+电容焊盘L+电容过孔L+电容自身寄生L* ^1 u( h! w" \! i# Z
若电容的过孔和bga的扇出过孔是同一个过孔则只需算一个过孔L对就可以。
! [0 F4 d# Y9 r6 ~$ S7 l0 K5 R$ n然后阻抗就是r+j*omega*L+(1/j*omega*c)的估算桥段,可以看出C越大阻抗越小,然而C越大目前的工艺来讲L也会越大,同时,还会有电容直流耐压的可靠性设计要求,因此你要在其中选择一个均衡值,满足避开谐振的要求,同时又要满足直流耐压需求,另外还有一个成本的控制。当然电容并联使得esl减小是个不错的办法,但是要注意实际情况下,0402可靠的并联是6颗,更多的数量并联对esl的减小不再是明显的线性减小。
) H$ u2 \" T3 T$ f2 v7 Y+ v1 Y* N7 G/ K1 r* G1 R
至于r,在1GHz以下环路的电阻相对于L的感抗很小,主要的电阻来源于VRM的esr,只关心1MHz以上的话,可以忽略,你一定要算,就算入环路走线带趋肤效应的esr+过孔的esr就好,个人觉得,估算没必要那么较真。除非你想自己编写前仿真函数库。
! m) h& |1 R# T6 O/ V! u3 B1 v: i* _6 b* v, H* A4 a: w& g
+ }/ F0 S( t3 Q5 a6 t8 a
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