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本帖最后由 cousins 于 2015-3-9 15:14 编辑 1 Y* N) e. O0 I0 v6 d- Y) @
% l# [" d$ ^; m$ H' H
1.via的估算
% |/ ]8 u% ^+ W) }$ j( X# ~Lvia / BGA pairs
' b+ f& v0 @* c, RLvia = 0.032*Length/ （pi*Log(2 * B / OD)）9 |2 W# o! \& J A# [
B为电源孔与地孔的中心距
' s- p! X* T# |' Q; L/ X4 bOD为钻孔外径, w! @$ \: r- K$ H' W5 ?
Length为过孔长度
, J) n( S( w$ ^5 ]2 ]4 e7 x# X% Opi为3.14
; V; {, s" U$ k$ Z6 j
8 G' R" }) v; M! ?% c& f! U6 \2.扇出线的L估算为0.02nH2 i1 e6 g! ^8 ~% l$ G
% R! ]3 J4 K* ~3 J/ h* @, J
3.电容的esl依照封装对应估算为
5 H# o$ B) l5 W) T0201 0.2nH
0 h5 ~1 W% Y, {. ^0402 0.3nH5 `& b; N$ k5 Y
0603 0.4nH
) v; ^2 e+ }/ t- v0805 0.6nH
Q, u" ~9 b! K. B9 v% n1206 1nH
4 u( X* s! e# v$ D1 U) p+ b电解电容 1nH以上# ] v8 b2 W6 G: j- g2 B) v
3 F5 d4 i4 m7 V7 n Y* I! Q& |7 O8 f- g) f6 s9 k* ?# J
接下来就是估算整个电容对应的阻抗0 R: O( h1 R Q! J) n
环路的loop inductance为 扇出L+BGA的过孔L+电容焊盘L+电容过孔L+电容自身寄生L
9 h/ b" d0 B" u9 `/ k若电容的过孔和bga的扇出过孔是同一个过孔则只需算一个过孔L对就可以。* y" M/ m: B/ L# f0 E6 O7 S
然后阻抗就是r+j*omega*L+(1/j*omega*c)的估算桥段，可以看出C越大阻抗越小，然而C越大目前的工艺来讲L也会越大，同时，还会有电容直流耐压的可靠性设计要求，因此你要在其中选择一个均衡值，满足避开谐振的要求，同时又要满足直流耐压需求，另外还有一个成本的控制。当然电容并联使得esl减小是个不错的办法，但是要注意实际情况下，0402可靠的并联是6颗，更多的数量并联对esl的减小不再是明显的线性减小。
" H7 J! V ^" |3 D$ l3 ^3 }' C3 ]5 f" S* h; n) `
至于r，在1GHz以下环路的电阻相对于L的感抗很小，主要的电阻来源于VRM的esr，只关心1MHz以上的话，可以忽略，你一定要算，就算入环路走线带趋肤效应的esr+过孔的esr就好，个人觉得，估算没必要那么较真。除非你想自己编写前仿真函数库。( m" i; q) r( u9 f! V8 q
; m5 Z; ]( f- {
1 r, v4 k$ `0 p! ~; o( @2 W |
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发表于 2015-3-9 11:09
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发表于 2015-3-9 13:53
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