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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。# z' ]1 d; A  E( k
   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!% q( {2 E8 P) @3 f/ g) T8 ^$ }9 j

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 ! [" v: x, O! f+ T# w; M! I" s
4 {% _% [. U7 ^; m
ACLR肯定是受输出功率影响啊
8 E4 Z/ r1 V1 {, {
" a3 t, V" T7 a" x$ F. y) |
, F8 c+ U& c( ~1 m3 N0 A( b% H% \( M4 p% G

0 K6 E; x# J8 ]  B3 v) _! V3 A
, h/ x6 A8 ~) r# j; O4 t
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
  ]4 o& M7 {; M  s7 R1 n
- g" b4 s$ R  L3 r4 j& G6 g

, a2 o% x$ m7 e# [1 f1 G, B$ v

! r, |  n  g7 Q
" d4 k( u! a: c- u4 U. F
! b8 r  `% G5 ]8 W+ W
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :) X. ^$ |/ h+ ], N2 s* P
: k4 @. F6 _6 x  l# _/ m* ?

* ]2 u3 F+ q& r; k

( p6 E) H+ m6 j& N* P5 q; M
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
' E" [# C6 [2 j9 v: U, M
. j$ ]$ A7 Q7 g- q# V" j6 W8 B2 U: \5 l9 J: M  v* M
. L4 p# c1 I# F$ w' b" ~- Z7 J

* x5 O5 x) W, ~
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

  C+ e# \$ u  W, y. C' O
( R% W5 g; ~6 i
, `; ~/ s; l& |" {
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低# A3 E! l2 _8 |

5 ]2 `8 I* J2 F. o1 t8 l# S7 m" R) u3 D& Q% _$ w% F
6 J/ Y( L8 g! z4 z9 l

3 C8 C9 l3 r  ]1 G7 T3 Y: Z
9 P. H* h  G: Q8 D$ O4 \9 N4 v
( V9 _8 U4 j4 r" |/ I; [
! f9 w# S2 k8 ^( W% F
3 a( I: I& c  I" H- }
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
% p9 {+ `$ J) G2 Q3 C/ v
9 K- m+ z4 A7 u; ]2 d$ e! R7 E
( g& z9 l2 F! Q# s$ O9 q9 q
# h7 R3 V  g' d7 R6 w- ^" \
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
1 p* \7 i4 q$ ^1 A7 C' g5 C

/ E% W* ^' I0 E' A0 h
/ u3 @8 A' Z+ {$ G, m5 o
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)) j/ i' `* s0 y3 p

9 S# x' V# Q  n/ v1 ]0 d% A

0 _/ d4 B$ W: ~, e9 L: ^

9 ~3 {; W) H5 p; b7 f- |# k
而WCDMA的方块图如下

- m8 ?6 R0 j% Z7 }8 b; A& g5 k
! d5 w- A5 b/ P: |" b

% T; v: |1 u8 Q5 B) c/ \, B
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

6 i! A) Z* {+ A! T- q! L' c+ @
$ \1 n$ J7 c) L- h+ o& Q
+ q+ p( C& x9 P/ e$ [
: L0 v, @' J( N, Q1 o& n  L

' o( w. Z) z7 v8 c+ b; K+ {. W
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化; T6 K, _, I3 R+ _) _
% J  K: L. _  {  t" z; u% J3 v

+ R  _/ C; x& ^, h: I) t( y

8 w7 v3 V* Q2 J/ A' i
# Z: K: H& u7 d" a% e0 B( U; L8 o# G& L

, E/ g4 {8 q- X: H* n; u5 v  D
& L  j. Z' \5 Y& V/ f$ a7 Y" G9 K' D5 A
4.      
/ Z; D" ?# u. Q6 a# _
3 L3 I2 [4 G9 s: |. u5 c' {
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc
" ~& s- B6 U1 i/ R: |& ~" Y: {, w
( F5 M. l+ G7 W/ \4 Q& `
0 p) G8 F( @% s- v5 c7 N1 h2 C& B

- w/ g9 B, a& E; L  i  q4 E
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)

$ h, c5 f9 Y9 b# Z) Z1 k

, h8 s9 c! h; T9 ~0 a2 v* f

4 ~2 ?" [" l! ^3 Z  d- X. z+ A2 J, H
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。
6 o! M6 l  K) r

& ^9 d# r: s! a& _  d( r! I+ @
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。
7 L/ ]# P1 p% ~- Q5 ^7 b2 D/ L
& E, M# _6 M' F
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

. Y* Q) ?  Q" d! c

" A$ Y. n: H" g+ E' f# m

) D5 G' K' x( K- Z+ H) ]+ _
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
# S# ]; G, K6 n; c) k0 u! s

+ b: I' R' y3 N& f- S& p

# q  S( B( }% ~. S5 `0 k. x' h
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。6 p& Y! [+ J) N4 }2 `+ F* y# T# p9 @$ s
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

" L' e) ?& \3 H7 }

; y! z  Y! i3 P7 u2 U1 [1 D

3 x: n$ ]5 L$ n0 y
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
7 q2 F( F! ^, X$ y0 b8 }" j" w
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
3 `. k& D# {  S* w2 \
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

8 i4 H& q$ g; I  [3 m  R/ _0 q3 [- c% [) n" ~- z1 Q
* ?: ~9 }  p1 u6 w

, W2 T! \8 Z4 j* ?: O5 i  D3 A6 Z! Q" S2 G
( n$ x+ K* b7 M
. `; a4 P& V  D4 h, b. J' Z9 D5 P! [
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
0 `1 F3 n& X( d/ U/ J: \5 G
! s& E1 P* S7 r2 R6 i1 O
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

' v5 c  C# ], z3 B2 k
* X, e5 y) i9 F) @3 m' V6 [
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

* H3 p/ h  V/ _5 R' z6 X* Z2 G

4 k5 A+ B  a( R$ Q. I4 g

" X" G; J( P3 {7 M
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

4 w$ z/ i$ p( Q3 D  A' w
& r! v/ S1 G. M0 |
0 O' d& r, p7 V( o$ r7 x# z% k5 h
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :
+ ^& @# [) m4 k3 X0 [
/ l5 G) b' i2 h8 C) ]( X+ x
: W) A# ^1 v+ O/ s
$ i5 Y" k! y; w# N

# ^' S2 m4 p: \# h
) `# P8 f! O0 {9 C. |
而当电压极低时,其Cgd会变大。

" w8 c: i5 r' H; ^
                        
' x+ _  |. o1 ~; D3 }% Q
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
8 Z, @' y1 N3 ]因此部分输入讯号,- C, `/ c# \5 }% E/ N
会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
/ o7 u# |2 ]2 {  \  b. C简单讲  低压会让PA线性度变差! F/ V3 ~$ o- R, T- F3 F% n: c3 K
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小
4 j' ~* L* B0 t8 y$ `- v那么ACLR就会差5 X( r; Y! `( K" o, {, P" F, d2 U  Z
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
, Y( D* Z, }! i  j4 p否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差# b5 U0 Z: m' `* ~" X) V
那PA输出端的ACLR   只会更差
* L" I3 _( w* U) N8 a  `
5 n& e0 i7 e& A5 S7 Z$ |
5 v+ q* l4 ~& {0 R* O4 ?3 L& i4 i* |7 e: ~$ F: ?

/ w# y8 q! P. @/ r
  a# D. @4 ]" O. g) M; t0 U8 V% o9 D$ F! E  g
( T  H9 _( u+ x) q- s4 w) }* v
4 t, r! f- f" [9 [
! C' R$ {! P( Z- f4 F& s

) ?4 [9 }" T6 B7 X. |
. r9 Q$ g& A' n" W4 |3 j2 F
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
5 j: V2 R# I" P% F2 R% }/ B
5 {' _- G( W' f) k% v
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
. ^# }( D  s- w
, L6 w* [, R, B) B0 @# R$ g

- {& k  y! F# K$ P0 V3 R8 Y% n

: p0 j& e! ]) X
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
& c$ f& v& T9 p% `- H' O' c. v6 o! E
; `8 `2 I. E6 i% Q) H* u. s% `* C
. r% \- I6 I( V" @4 x
# ?! j, Y4 [1 O: |: W: }
: c1 |( s: `# B0 M3 m
" i  T) i2 A- R; ^' R

4 R3 N; ?( ]- [% N8 J1 j7 H* c& O
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
/ M* h# B% K) s' z
1 J" C& ]4 [1 F3 a
$ i& `+ S+ ]7 t4 n
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

/ e# M( |8 e* r* J. Z$ ]9 a3 M9 ]  R
6 Y1 }; x% R, |( G  U

% q1 n: c6 l- Q# }5 S, h" ^8 }$ \
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR

$ y# H9 o' r% `' a/ e- {
! g! f" q+ q4 V) }3 \$ E
9 y1 ^3 C* g/ P
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :

6 x# z1 k7 V/ f2 r5 M. x
8 z$ J' S; s* F( @
- Y; e8 P+ v! w, Y
我们作以下6个实验

2 @5 |" A5 [, `7 B8 p

0 K* y/ Q1 u( k" Y8 P5 z+ X
; q) L! W7 \' Y- X1 q
, \8 c5 C% z* @' f4 B

8 ]! L9 E8 l# i! g

( r% R. Y5 J0 N
0 _! P0 Z% X- V/ F5 s: X
. S9 {) r0 Z9 S$ U- O
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大
0 ?, I8 q5 C" [9 Y$ `. l( r

3 ?% W: ]! k; ?( a3 N( }! j
, b6 h- x5 Y6 ^# I- |* {
, z6 x, p( c3 @: B2 m. w9 t
* R  }$ x" d2 z

5 T. R% v( k0 i1 F5 t' H
) Y: s: ?: {$ m  C$ C6 H2 _9 f8 F
4 H2 f$ z* d3 O" \1 l% G/ q1 m9 }+ Y5 \& v4 @; j/ Q
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用. @% N' J6 m6 R: y, w/ w0 V  o& R# \
5 M8 W$ x2 T0 w2 i2 r; Q. I+ r) h7 w4 F
0 e% j: {8 T! U) _# }; p! v

: Q' g3 @) t' C  F9 Q% D
  G% _% J& c4 ]" {) F$ F+ l- O
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化

# {2 f1 l1 g" O9 F( G6 ]2 W7 q$ I2 a3 Z  Y. P) x0 b
3 @% {: b( L- {. ~
9 L  T* t; ^/ h9 i( Q% o
% e8 @' s$ ^& J7 u6 z

# i3 N/ v% }; E; Z5 N8 R
; D' R0 S1 Y/ z+ {6 r
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
2 o; _" A# z5 S$ o
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

$ l- T! W' W$ U) \- O
0 j; U# ?4 a; U5 |) S/ c* G& h8 B9 D7 o6 a
其他详细原理   可参照  . [- ^2 d! |6 Z6 m: V
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
0 D1 `; L/ [8 u8 C8 c) d: R0 H
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
. ?( A) j( T" BEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  u. k/ T" M  M* g
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析
9 G- k- K5 X4 o' y- O( Y$ `% M
) s' y8 u% [- b# y  在此就不赘述
, \3 Q  [3 D  B; M" H0 z- R
0 o0 W( s0 n- U
2 ]: L: A; w, g+ O: L7 u3 a( d

' g6 B, `/ l+ d1 }2 M! W

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支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:329 e' P! K5 j- f
ACLR肯定是受输出功率影响啊
6 B% e( I! b; p% f4 @, a( q9 K
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!
7 O0 p: _4 m& u7 G" G- d! H; \' E

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
& W+ y, t# i6 ^3 z
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]

% _) D3 _- U( l& t" `
( o0 W5 Z/ V1 i
  u" y8 q: p; E: f8 n9 W) p
2 k: q! y: ?: c1 B/ Y* ^7 l  `6 o: B& _5 |2 l7 E
0 X5 _6 f. s# i$ y

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