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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。
" S' {, \* Q: G9 j2 C6 @' ?   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
" K$ J' w3 q1 c9 g7 D. S+ ^' C/ C) L

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑
. r4 P+ s1 |& n7 W% j. R- Z" a( t& ^4 C' D: W/ [/ |8 p
ACLR肯定是受输出功率影响啊1 b- p2 s/ u/ S% C4 `3 q' h; y

* V& o; E! s' W! A8 m( L  L
& `8 i4 U/ `# v8 O. \/ x* m  c; g. y
: G+ @/ }2 W8 w, ~/ c* X5 w/ m
- a% W/ R4 B; [$ M4 Q
/ ]; d% `1 r, W  N& ~2 ]& j1 |* N
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
& ~( ]5 c5 B+ @) u& ^- D! m* h' a& k
: X9 O% H/ Y8 I+ s& Z3 g0 ^8 a

" L3 [9 Y# M5 a' ^. {0 W; }" Z3 I6 A# Z
( C' K2 k) g$ E3 |% Q  k
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
) Y8 _+ E) D8 R) g" Y, _2 G8 {$ E8 O
5 u) {1 W/ I* _

# {$ Y) O9 X% S. n' a
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
! t. n8 R, w# N8 P( R% t
$ X8 ^5 q0 c' }. U
# J( P# @) i% H; e* B% m

1 a0 }; |+ ?. M9 ]  j' w/ C! n

0 z6 P' o! @/ Q( Q
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
4 |# Q& l% V5 l* w1 A5 o/ T! Y" E

& |, G+ V& }( r* t
# a5 Y3 u& `' l  ?, B4 F
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
0 |) m1 |& q  A5 Z. V- O! [( ?% K8 a, O+ l# u5 X

9 \0 I9 V+ N, H6 N6 |4 y! n0 ]) L& P2 g7 r1 A4 W; ~% ~. l
. x. x. G6 ~3 q( I& ~1 _5 f

; b4 K, ~. b+ j8 \- Y
  @* W4 R, C' ~5 d$ k0 q( D1 t0 X
0 M: w; W$ p: |4 q
' i7 m+ P" E+ l7 C5 m* A5 s9 j
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

% Z+ ]* n$ W1 P6 Q
: Z) o0 J) B- t' J4 h5 Z# e

0 `7 E6 _  A/ T2 L9 I/ X: Y" V

3 g+ `  x% Y4 B: b, [7 q* J
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
6 m& f& V& B0 Z& J
# Y0 \: |% @( ~* |
5 v$ l$ g" }" ]4 D1 [
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
$ Z3 Y; J) h) Q+ [& m& m+ O% {7 a7 I( X9 I# T, m: L

$ j( U: X% L$ T- a, W1 n

  o6 p3 v* k$ p" q# G( N
而WCDMA的方块图如下
% X1 n) r* `  p  y: t  W
- n; u7 ^/ U8 [* X) H6 i
! g- v' ^" t3 v+ ?, v
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

2 E- @% n+ J: M: G7 {4 D

6 i* @2 V  i, Z& h; C& P6 o
2 t5 s/ z3 D6 p2 Z2 o

7 S$ J9 P" m, M. C+ @: T
& ^. k" `9 g" _$ ]) N
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化: B! k# l- p9 m7 C6 v) g/ _

" C0 }( c& m. a  @6 r4 d# W% i0 @2 G$ D+ v
# H$ f, K; X1 ~; C
' L0 [. A% D, B/ a+ T1 e4 U. \
4 L$ n) _* o* {4 {, s6 [5 [  v

! J. _$ ^# G3 b  A( X6 P% F
1 L0 |3 @9 n/ N9 y6 |; a; d+ G
4.      

5 e' W- X. y$ J
! W. R& D+ ?6 L  u# `7 X% |+ y
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc
3 k, M6 d# d! e8 ^& L( ~+ V% W  W1 d. @/ _
3 @2 F" }8 S/ X+ ]- e
  @% m5 h0 e8 o* k8 A
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)
* [# @: a7 _- E. ]1 h
; w. b2 r8 T, G) E2 Q  k8 F' w

- _6 t- I2 ?" d8 ^9 [/ a
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。
2 I" l9 O9 [% A( t9 o6 M& E: P, C9 ], l

  a/ w; a2 F# h& [; |, ~7 E
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。
* U& H" m- S/ {: t
4 c( j1 N5 ?. F& L! a6 H2 l
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

+ t6 v2 C! \5 B$ K& ?% W
3 Y4 @" g& |: W8 H
& W! h% A7 h, O- i6 E* s, u
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
( V+ J( D* l# U
& D9 l5 u4 C" u
/ h/ ^: Y. h/ v
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
4 U4 b: ^# J8 D8 v/ g
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
, d, a0 u( O- z% q6 a% m' o

, L8 R+ ]. w3 [
) L. L( J* F4 s, v+ l# w2 u- y) ~- Q
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
( k. P* ?" y4 Z: T. D8 Z
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。/ I4 r4 H. b6 W3 B5 M& e
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
  F; X, C9 J- h, ^: q, ?
( i, i: u) }, c, Y
  I# @4 k$ E* a: `3 \& ^
' j  f! W1 z& O6 N+ |5 K
5 k" |2 n0 R, {  j  D9 ?
+ u+ j: o$ Q0 G% N
9 X; J* X0 r& V0 `- z% u. n  `- Q
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

; `7 l+ [7 \9 W* t3 y6 q

" t) d0 u; u* [' Q# t7 r
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

9 m7 x& c8 Q$ j1 r6 ~2 g
- Y9 F0 i/ Z. y; S
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
2 ~) z& ~- T0 C0 s
3 X- E3 V, V  t# \+ D
4 {9 I% t8 e5 G1 Q! T8 |3 P* q
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

6 N2 F* z( ]8 ~1 P+ {: P( B+ ^
5 t% r- n& y! B( e$ `6 X& b( ]+ k
2 _& h! Q3 c% s: F' C2 c
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :

, `( k/ F9 z$ u- X9 x; a

9 Q6 W, f( h" t* m

- s! z3 C9 Y) e7 O/ u
" e) M. Y* m- [0 u/ }# I
* c* D' j- U. J! {3 Q8 _8 u
5 ~! Q1 [0 N, U$ o% c
而当电压极低时,其Cgd会变大。

, B1 _  N4 l) j; ^
                        

! z; q1 F, f- u( k3 h
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
$ }+ X" G! U2 n$ e& k- }, ~因此部分输入讯号,! {& K! }# M5 S: s
会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
+ s- M# s: V5 p$ q简单讲  低压会让PA线性度变差
% V# l0 K! D% [( n9 a因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小. [* g/ W5 h4 N8 U. g1 s; `; m
那么ACLR就会差2 P7 }7 p- m+ Z' _* q: U# Q
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要: o2 W( O) Y2 I5 c
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
, R6 t1 y* v2 B; @# s# ]+ _1 K那PA输出端的ACLR   只会更差
8 u7 X: E) `0 U' Z& C4 d9 M% R- f: k3 ?$ u/ ~
, |+ c+ g, B) S& g$ C
  |  o3 s. p: n7 V+ h
, T$ Y3 j% q  ?
& y  ?8 Y+ d1 H: |- }6 |% d
; a" H; }, r" K; q
& x' s+ K! O/ C0 I6 p6 }
$ Y4 J$ p2 w5 E: C
( u5 e" r" D; |# X& }2 H! M

4 C. Z" g: n7 g  D9 d( {, B/ M8 [
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

  y5 s' u- H+ ^/ O5 V; M

) G0 g0 J# S3 ^. B! w* d% e
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
" m! a" M/ ]. z- b3 ]5 D8 Y9 W# H$ N: X+ ]( Z+ H, _& ?2 k5 `

) c: H+ W9 ~7 g& M/ \1 w
; g9 Z6 A) T: t# ^2 s4 `
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
6 C1 L% p5 J. R" y3 E2 M' r5 t4 c2 Q' C$ s) R
6 U( f. I* e% M* T- d; C
0 {/ G: w' l& \6 u
# u9 e8 b6 Y- p2 t

4 Z0 N- |% d9 \6 `
8 `5 b4 \, X7 @1 z' ]5 f: H6 I& \: ]" N4 U

( a6 b3 ?) U1 ~; Y( h$ m9 ]' l
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
- s- H% ]4 Q) u4 H5 u. Q) |2 G+ _
- ?- F, ^' J2 {
. c' G& L( e( ]3 d: S" ~9 A
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
- u% {7 \/ R' m

: ~7 x# J2 \, v
: `/ ^- _% M  B! e# o$ H
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
. H' \4 I1 \  g

4 _4 W; n% ~7 f" q& w
( Y7 Y9 c" S( @/ e6 d6 I' Y
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :

! |: d8 o5 O# u4 b9 m$ y
9 t5 f& g) \- y" A5 V

% w0 G, d0 n- R) U  O" J# o: p. B9 S9 q6 @
我们作以下6个实验
6 q4 ?: g, v, d! @' H

: f" Q3 s4 \) }' K, R
6 E  Q' e# g3 l; p) G% T1 K1 O2 q- {# A

0 q  _1 P8 E) G; q8 D; t2 s
/ F9 l, a4 B2 n7 d

% @, Y% {2 M/ e- E# X7 Z
2 }- O5 P+ c3 t- s- I7 C9 {

4 |4 p! F6 |# W1 C4 ~
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大

( s+ N. y( Y, @4 ?* a
4 @/ D. T% P/ f' y4 |

( O8 ^' X8 B7 f4 A. u
5 [8 _8 {4 @7 z) |6 Z
, ^2 I1 ~/ [7 L5 w, q

! g& o; [' z6 ]- Q% Z
2 P" d& j# V) q- ~2 _* A
$ d0 U" c, c6 N0 z" w& q& b: }: p% Z( u* @& @# ~7 j3 r5 |9 Y! s+ W
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
3 a7 P2 G! F% E- W: {
# d( w. c+ v2 S. ?& y5 W" I

) F7 Z' ?# U0 Q

# [6 j. [& b2 q% c# {) U
; Y4 O0 C3 b% F/ P7 m
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化

; ]3 U8 m4 ?1 m/ L% h; \, C& D2 E* l1 }6 o& u# y
- P2 S/ s$ h8 ?: ?" |
6 m1 f% T0 K+ ^0 D$ w
  z( s+ i3 F# Y0 \
' Z+ D: f8 ~3 A& b. d, ]" z

" N7 q. q! ]: M+ O8 ^# J
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
3 Z; e# l3 C, Y8 q5 J1 L
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

  G: V) o7 ~- D. b" g5 P) [  P& V9 g5 G  Q
' g# p: W! P$ }2 W; w1 R( r  w% x
其他详细原理   可参照  
: o- L$ m6 e5 S EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
+ g, G/ \+ g, I' e
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  ' Q8 p- b1 Y  r( M7 J
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
- T2 v% z3 n& m1 J6 O+ _" S2 R射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析- G* r( H& f7 \, A0 `
, W1 o& q) z! W& F, g1 K  @
  在此就不赘述

4 e. }$ x5 w( F; k* V* ~5 S0 X. {7 j, p
7 ]: S/ N8 B0 D  R* |8 X( T$ Z/ T

: y6 p0 H: \& A3 D4 h; L

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32
. n( n: X" D' ~3 I7 Z; A; yACLR肯定是受输出功率影响啊

& n$ ]5 _0 K6 a. @) G% E  e, N谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!' ?7 J( t  ?. h0 {5 H

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
& x: ^6 \" k$ f, u; q, D
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]

2 |9 e0 N% F3 @! i
2 F$ w2 Y6 b0 ^3 c# G- C4 a8 M; F+ [8 H0 D: ?
( y4 ?" ^  H# p5 X2 ?( O
7 D) J+ Z" g9 z) s5 i

3 i& E4 M# m8 I7 D& k4 s

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