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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。
4 Y. e& n& u- S+ k% J9 `   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!- O* O/ `" J  Q# p. C5 P

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 0 D& P6 A) k  {6 s7 o7 n& \; e& O
8 _% G. t" ~  x, T* o& p
ACLR肯定是受输出功率影响啊6 A% p. V" c6 k% ?

" f. H7 v. g0 B( c. Y# d, u0 _/ l; h, W

9 G" }' I$ O0 g8 K# z# W4 l* w' b: j9 D) t
; q+ ]) U4 |; R0 Q. N) ]
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应) @& m/ L) e" w2 U7 }% p1 a, \

/ E+ F' G" E- e/ K
# t+ |* ]) r* x- A
: p" v: _) s+ Y1 D0 A
. b8 i* ^9 v* ?6 u4 i$ b

$ F% A: _" q1 [! b& }2 @
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :% e! p: ?6 C2 C' h8 i1 n" p

  V% [$ [% a9 ~% Z- }

. ^% |6 ^& Y& f, [* S! @

: A8 Y7 h: `, d3 a" y8 P1 ?
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
5 N4 [) h% M- i' ^& m# a
4 z! A# ]1 E: ]9 v9 z$ x# k" ]; v! R3 i' m9 T7 k- I

8 Z, z" P" a9 o+ j; v% H
3 w; K; w; O( C8 p; f$ d; U8 r
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

/ U; u: p0 W3 K; c

! ]8 B. u8 E! ~

9 W# h  m7 H. h! K. ]" T  ?6 X6 J
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低" X6 z8 l5 m% t8 ?/ y
3 Q* g1 o& s% `0 G( Y6 ?
$ O/ \9 K, K" l1 [

+ Y5 L2 W  Y3 S! j- y
; v2 a7 H) t4 D) \
6 x4 H5 Y/ ?- M$ Q1 p  B) m

  Y, o+ F% |& F0 ^  [$ h9 y0 n
# e% s$ k; j" i) {' X; \4 t) [3 B9 A: K) Z$ h
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

- H# q/ h8 Z2 F  G, L' M

7 |8 k1 O! E- \5 G( O
" {$ S- j. M% Q3 s* m: _
- F. p" p1 ~3 T: j# X; S- s9 s/ d% s& @
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流
! E8 R9 R' Z6 w0 b/ r: A/ s

+ J2 z; ?3 f* D+ ]2 m7 V- r' y

4 ~7 a  |% I( ?3 D4 q, ~' g/ g
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
. j2 p' D/ O6 O5 s( q, h5 k( {: b. v7 G. Z
, Y5 F( N/ V6 K! [! J

# I2 ?1 i& Y$ \# c: a1 z3 D
而WCDMA的方块图如下

2 _& t* ^, ~8 S  K; j

2 n5 \$ o7 v8 M0 l/ b: C. D% J# c
. X9 Y: D6 Q) a7 S7 O# ~
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :
# R1 p$ _! ?8 Q$ `

1 b2 e0 A) }  ^, x9 b1 @
8 `4 x4 p/ }; N  }0 Y, v  ~+ Y

$ R% L6 e3 \3 z5 K/ I- @1 n. s
8 V( Y' t6 k5 y9 V
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化
6 U* o: Z; ~5 W/ Q9 d
) ^; Q  f' z; ?; o# M: K# X$ M- i* H+ U2 ]; c

( M! {% b7 o2 Q6 p/ f
8 j% _) D8 |0 R) j; E0 \: [) X# U! z' |( l7 B" I. [! D8 R
- N. m: Q/ [8 O8 @+ c

7 A& p2 i# W9 Y8 {0 z* t/ b8 d  q$ Z1 ~: l  \; [6 a
4.      

2 |: {+ M  `+ M* E

1 u+ [; Q# d" ?  g1 N6 ~
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc" H; P! g9 u) M9 y9 X
% D) B3 n4 M: w# S6 y# @9 L& V
: R  F! O+ S8 G9 w8 m. y* i# ^1 W- w0 T

5 `0 \9 Q) d5 o- s
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)
$ V. c9 C+ r' Z2 n. i) |$ J
; q# V# [" ^1 u

' A0 k; a/ f$ Z! v# `
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。

: D1 e' v- @1 m: c4 Z
8 \  i$ V6 z% U3 Y. D
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。

4 @8 J/ `& H/ E: R, G% \& W( G
; x- R+ S. m' _$ _% }
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。
0 z' F0 i, R% U3 ~- d

& S. e3 G7 l/ z
! l1 B: a4 |1 z" q1 }
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好
) Q1 J) F5 _2 t* L5 b
- R! ?6 ?0 R4 c( ]" q% K6 U
0 f2 \  Y: E; N. i- V) Z- M
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。# K( r; A1 [7 d
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

8 J. e" }4 b. |- q) ]

8 c1 S1 R; F1 \5 o1 ^" n( B
2 N1 E& k3 Z; h6 L# [
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
' c! F8 t2 x0 C* i! @
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。+ M9 H7 @1 @) y
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,

3 b+ {1 _- W6 ?" ~3 J8 S+ D- g, ?, L/ V2 g) B9 @0 `

4 M+ ~0 _, N7 L6 b: Z5 ^* S7 x
; t+ n( `2 E; r3 M; a
$ r  _! e2 M+ v' H# C1 F4 X. |# n6 i+ a0 |" o' R

: h* c3 c) |  X+ g' X+ V
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
1 t" x* `" O% y. |3 Q/ j
0 m: K9 [% r4 i% ?  D/ D$ c: M, E
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
; V* x3 R+ m$ h

5 \- K0 Q$ }4 y/ u( ~
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

3 y8 g; K2 L8 Y$ ^
$ P+ `- I' m! C( k6 Z

- x) k' Y; R$ w' f( u' v& {% t9 Y/ p
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

" C) g9 }; Z$ i$ ~9 ]0 M

" ?% q- i1 A; s, L. U
/ h, }1 l1 X; x- k$ N
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :

+ ?; ^# Q- v; Z1 u# m

0 Z# Z9 i' o# ?* |" c2 F! r3 e

  F5 }( f* |: {- |9 k2 ]3 z9 d! ?5 L, h* _6 {

. x: q& z6 ]: }' p
# T- l  p% Z8 ^5 h6 j' G
而当电压极低时,其Cgd会变大。
7 D( @; o, K( N% r* q; v6 i0 S
                        
) i& X4 r7 T3 P/ `* g
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,$ p) N  n& K  R# R" U1 y. _
因此部分输入讯号,% b0 ^6 M' c$ _
会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真( w0 M+ J; ?, ]3 o, L
简单讲  低压会让PA线性度变差5 C7 g# V( h1 A2 W: Z
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小  Y6 A* n; k) a3 v8 W
那么ACLR就会差" D9 f4 \( Y3 `; s6 r1 j! C, z1 J
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要, P( w7 A+ L, h* q% w
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
: Z: ~0 k- C" P. `7 {那PA输出端的ACLR   只会更差2 H" x1 Q& A7 |" t. p! D

+ |4 {4 l6 v* H+ J, d* z5 `. B4 t! V6 s

, V& w4 G: D  s. @2 X5 D' w) o
$ }: B8 W; j5 j, p+ E/ O+ E

$ ]7 i2 L" K0 }1 q. I! O2 {; |8 O0 Z$ {- G* V  G: L0 g7 O# R% h

6 U) w/ N  y, @" n& F$ t0 o  R* _& Y: O8 U

) e6 q, h' H- e$ k* W/ Z( D  K: @9 s* p( z# y, {4 Q

' o- h5 M" V1 f  d+ C
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

9 {" o: b5 B! _# |2 R
9 j! [9 o$ P% V" _* X
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
( S3 k& A6 D+ z$ P5 c0 y, D- Z8 _0 @! D' I& s! H# _
8 ?# W: o& k  t: E5 s
) [( k% M2 d- o2 g6 Z( z5 E
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
* o2 ~5 |7 a* f
- `8 a& x9 Y/ j: p7 d- G+ K9 ~2 ]/ L# ~* G  a. s

4 l+ O) }  O0 Q4 |! Q& D
& G; w+ O( f: h( J" a
: |& x9 Z6 K" G' u" Y; O. S
7 g% M+ K) ~" J$ c, X
5 N0 V* w* l; v7 c! |, j' M

$ t/ l8 O2 B2 I3 g
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
/ O6 _5 l% V% n/ ^6 v) h

% w8 U7 i2 y' t( D

& _2 L3 l$ ^% U$ V& B
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
* A/ q' R! G# T  r& `# z. ]

7 K8 J$ x) O/ h# U, u. e. \
; L; }' [* O0 s) e% q# M
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
  K8 n% M) W3 d$ s# {7 q
# i) A& q/ b8 U( U+ X2 B  t/ v
! s% y- ]5 x4 y: _  h
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :
2 w' r0 N# j6 r! e* n

/ Y& m9 A0 C5 j8 m) j  R
0 b( j. Q  C3 N! @( J; m4 H1 e7 w
我们作以下6个实验

9 i' U5 t. t  W% P' `3 l
# [6 Z+ c( ?2 k/ D

, v4 ?" f7 @$ y* ]1 z  q2 Y& Q2 z3 F8 j  O( K0 q
; w/ J, q# |+ G

( l, Q: K8 p. f. i7 o2 e. ~- x+ \; T! a; g

3 E6 n& S  @/ x1 A  b9 d8 n! a
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大
: S0 V- v/ a% G3 z" Z7 ?7 k6 O5 v

9 ^( s( b' I) t  T: L. S7 j7 M: h
4 Q+ Z' Y" F2 T! a* y4 H- h! t1 b, n  M5 T6 _6 v! f

8 L2 {" F% o- W) N

. }' p! H( n  k% u% \6 X# x) j" B) y' p& B& F- a

: l/ S5 s/ O7 n# L6 y; y3 _- e9 z0 y
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
7 B3 A5 G. `5 {3 J5 \+ }+ v7 c1 F: u$ |, B3 K- ^& Q* |% w
. d6 x4 V' [) o& c

, v  W6 _) ]6 Z! ~  T
' z7 q8 V5 P- d4 I5 C& [, q" ^& {
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
  O% `% }: L+ O
, J- G$ |, c' |

7 R) N2 K9 E& t- e& e. ^. U& s% B+ f& e* k& Y5 j! D- P

6 ]+ |; G- X- w; t* H
6 S$ L4 d7 a  n( V) p* \
" p6 @) R  ?4 [% J$ \- E
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向

- i# `  F& H, F
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
  ^/ K9 W4 G4 v$ s
# ?  L  Z' g9 f  B/ ~
, B+ p. W' k! p
其他详细原理   可参照  5 J) C+ T; q2 k3 z( H2 G! D
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... $ S9 P4 A( w' {2 ], V
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
; a0 c* `; S; ~8 E* x: B0 H: qEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
( E+ i9 q* H$ g射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析
3 M. u2 [5 k0 P; E# t# |4 b1 b
6 p1 U- r$ W5 [4 ^  在此就不赘述
6 n& q: l# k% ]/ O; N1 O. @
+ E3 l# C# ~# b+ X( L+ F2 [
# S. F. O. u5 g0 J: t, f- D4 E5 U

4 C2 i3 ^& l6 y( n

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32# Y7 N% l/ _2 n
ACLR肯定是受输出功率影响啊

9 g& i* o1 a8 f& f1 P/ O1 s3 I4 ~+ q谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!
. |: @, c5 _- v# A0 V  t  }" G

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
: \# @& t3 s5 v' X6 f. F
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]
6 O" T7 A+ v. c* [
7 r5 T# K0 d6 V' s2 D
, o2 v0 _. O$ {' w; m" ~
  B0 v: I3 E% z. s. v4 ?: ~  J0 A
( @" z) |, g- A3 ]" A" K' S
) `8 E! ]! ?# {7 C/ a  q, `

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