没有短路，MOS管被烧毁

czx08 · 发表于 2014-7-3 11:25

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本帖最后由 czx08 于 2014-7-3 15:07 编辑

在没有短路的情况下，MOS管仍然被烧毁，MOS管的过流能力也够，这种现象该怎么排查？

不是经常出现这种情况，而是偶尔会出现，机器用着用着，MOS管就烧了

fallen · 发表于 2014-7-3 16:53

如果这样考虑两点：
1 物料问题，如果小概率的问题，可以考虑物料问题。
2 是否有考虑过热阻？规格书上写的稳定的热阻JCA=160°/W，假设你的电流是2.5A吧（你说的小于3A），Ron=50mR(方便计算)，那么消耗的功率为0.3125W，外壳和环境的温度差为0.3125*160=50°。如果你的环境温度比较高(也就是散热不好)，比如50多°，那么外壳的温度就有100°了，里面的节点温度更高。一般的节点温度要小于150°（我记得好像是这个）。

czx08 · 发表于 2015-2-6 10:45

cool001 发表于 2015-2-6 10:11, f$ S$ t8 X) O- u4 t
估计封装尺寸太小，温度非常高了，接近最大的允许温度，一般mos管Tj为150，设计时最好不要超过125°C，而且 ...

后来用电流探头测了下冲击电流，发现在开机瞬间，有4A~6A的冲击电流，可能是这个原因导致的！不过也可能是封装小，长时间的高温引起的！

北漂的木木 · 发表于 2015-2-6 17:59

总的来说，撸主选的MOS管冗余不够，即使换一个暂时好了，指不定啥时候又烧了。
指标不治本，并且，作为产品出去，还要做售后服务的话，很悲剧的事情。
楼主，你电池的电压是多大？可以的话，换一个同样封装的MOS管。推荐型号：SI2333CDS-T1-GE3，SI2369DS-T1-GE3

kuochiang · 发表于 2015-5-27 15:15

感謝分享~～

flywinder · 发表于 2015-3-28 11:25

VFBAT输入，VBAT输出吧

sibodf · 发表于 2015-3-27 08:35

我做线路一般电流用到规格书的一半，安全稳定

cytao · 发表于 2015-3-2 10:39

产热太多,无法及时散热出去.

奋斗者 · 发表于 2015-2-16 10:58

仿真一下

SFIRE · 发表于 2015-2-15 10:39

估计是起动电流太大所致

czx08 · 发表于 2015-2-13 09:42

北漂的木木发表于 2015-2-6 17:59
* N2 k- N% ]& f4 T4 }4 O9 l总的来说，撸主选的MOS管冗余不够，即使换一个暂时好了，指不定啥时候又烧了。
: U$ v/ ]5 S; }+ E9 X, w8 r5 U! [指标不治本，并且，作为产 ...

电池电压4.2v，已经换了一个MOS管，过流能力达到8A的

myl593799546 · 发表于 2015-2-7 11:35

czx08 发表于 2015-2-6 10:45) T0 }! I3 T; |3 ]
后来用电流探头测了下冲击电流，发现在开机瞬间，有4A~6A的冲击电流，可能是这个原因导致的 ...

那这个是个问题啊，你换了没出事也得试着解决下嘛，你自己都说了偶尔会出现，量大了不怕出问题啊

超級狗 · 发表于 2015-2-6 15:35

突波電流（Surge Current）或突波電壓（Surge Voltage）是有可能，但體二極管（Body Diode）承受電流只有 1.2A，如果電流有逆向的工作狀況，也順便注意一下。

whawbb · 发表于 2015-2-6 11:48

帮你顶一下

cool001 · 发表于 2015-2-6 10:57

一般开机瞬间时间非常短，偶尔烧毁是一开机就烧毁还是运行比较久了才烧毁呢，再是如是一开机电流冲击烧毁也证明芯片的热容量不够，封装小热容量也小，是否同时有几个这样的芯片放置集中，现在问题解决了就Ok了，最好不要长期高温，

cool001 · 发表于 2015-2-6 10:11

估计封装尺寸太小，温度非常高了，接近最大的允许温度，一般mos管Tj为150，设计时最好不要超过125°C，而且当高温时功耗又会变大，分析问题最好实测芯片壳温下，

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