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IC封装电性仿真优化的方向

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发表于 2014-3-6 21:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2014-5-7 16:45 编辑 5 j( `8 b+ [! t& h

; Z4 Z) ^* T# {- ~" ^7 M5 c市场的需求,推动技术进步,数据传输的速率越来越高,尤其是光传输技术的发展,光模块也做的越来越小,使得光通信技术慢慢从网络产品过度到桌面产品上来。6 I4 V+ x; F% q/ Z( Q" B
动辄十几~几十Gbps的传输速率,给SI设计带来挑战。以前不需要关注的芯片封装,现在也必须考虑进来。
+ v2 H, x6 o6 @" d, N0 G1 C! C参考:0 C. f+ A  M) \" s# u
https://www.eda365.com/thread-55226-1-1.html$ P3 R  O4 o% {2 x
https://www.eda365.com/thread-48362-1-1.html
3 V4 _8 }( `3 \) i+ Y/ k2 Y  ohttps://www.eda365.com/thread-78287-1-1.html& ~  k. d* C3 i# c7 W

9 T  z; o' Y  S, ?* {( e电性优化的目的,本质上来说就是最大提升传输效率,减少传输损耗。
0 U7 w6 Q2 e) u' j2 p封装是芯片到PCB的过渡,这里的信号传输路径处处存在着不连续(如下图),优化这些不连续点使其保持电性上的连续性,就是封装SI优化的目的。# G* n- Z6 n3 `1 T1 j

" ]- i8 z  k$ `0 L* H  A+ n/ d' a9 Y7 J
优化的方向在哪里?我们从上图的结构上一个一个的来。% @/ d- }+ r' u0 ^( t, R9 C( e
先阅读一下这个帖子,不知哪为大牛所写,非常经典。帖子中提到的,本帖不在赘述。
+ G/ X* D/ K/ D4 u: ]! p; s==>>https://www.eda365.com/thread-96268-1-1.html" [& {/ a# W+ f: |1 |( j+ D
1 k6 j  q5 X4 V* Z, u& q
结构:
5 f" B0 B( j6 G. J芯片pad:
+ C, h* x8 y9 c8 E; B1. 信号/地间距3 p" C# @) @* H5 k- l
2. 信号地分配方式
4 ?: h. C1 K' h3 K+ g9 z芯片pad与bonding wire的位置一一对应,pad的位置、信号分配方式决定了bonding wire的位置、分配,这对信号的传输影响。) e- @/ E! U" N( i+ h- L6 t1 F

4 _# V. g5 @* j7 ~, OBond wire:
. {/ n% h7 N$ F2 X0 ~3 z% }0 c1. 打线长度
% `, G5 N. V; O+ o1 N* g! ~2. 打线线型
3 L* s/ u3 B; Q9 {3. 金线线径
% u: T  \0 M8 I0 }; ]3. 打线数量; ~. W; B8 h7 m% T( {5 U6 [3 M
4. 金线阻抗匹配5 X) k, s0 w# F! s4 h6 j
下图是从芯片上的50ohm的cpw打金线到基板50ohm微带,对比bonding wire的线型、打线数量对传输特性的影响,结论自己去总结。: V3 ]) @' _* }" }/ b/ b6 D

. p) t/ K" t7 R: G2 s; }, o
6 h& N5 c2 }' }8 M: P+ M) c; q1 l接下来对比,对金线进行阻抗匹配前后,传输特性的对比,这个影响有点大。
; s. e$ m9 D& h- k' Z$ N9 h
+ @* W& a2 S/ `6 _
7 {0 p4 e  o+ H  {4 _+ m" r0 [7 b. A1 d" w6 X
" y7 _: ~& |' J2 d1 [
过孔:
. h& B1 V, s& Y! _1. 孔大小% v( N7 |5 X: G( b* i* V
2. 孔壁厚度
( _: Z4 Z" K% _/ S3. 孔pad大小
4 x) f6 b/ H/ s% {* ~4. 孔anti-pad大小
# l$ }+ B) U0 f; T/ D: c5. 地孔的数量、距离等
% [4 z2 D: T" z0 H不多说了,有人做了PCB过孔的研究,基板上雷同。; A  y9 N$ K/ V7 t" Y# d
请参考:
- U) F# p  k& U7 v- _) L# `* R! L 8-WA2_Paper_Vias_structural_Details_and_their_.pdf (2.3 MB, 下载次数: 15542) : C: m3 R4 \+ E6 Q% ~% Z
https://www.eda365.com/thread-90238-1-1.html
8 k, X+ d' J9 N$ Lhttps://www.eda365.com/thread-77031-1-1.html
& u% I3 B' f  S3 o& `; {, jhttps://www.eda365.com/thread-77010-1-1.html7 A  ]8 r( O' G3 I3 H

* k+ D4 g: v+ u. t" t& W( a4 z9 y' j7 C) @8 Y, \
Substrate+PCB界面:$ y" O6 j; W6 ^) [$ E, l0 K
1. Solder ball大小$ s6 H4 Q& t, _4 y. X
2. Solder ball高度8 _" U+ I% ~* j$ Q
3. Solder ball间距
# `3 C; M1 b' B- e) i0 i# Q* ?+ Y4. Solder ball S/P/G配置
- V1 m" n* z8 r4. Solder ball焊盘(Substrate + PCB)
) t# a% x' P4 {0 e0 ~! t下图,4+2+4的BGA基板,互连到PCB。对基板和PCB的焊盘阻抗金线优化(2)和降低Solder Ball的高度(3)对传输特性影响,结论自己总结。
- g% M) [2 i4 z8 [4 Q$ G" _ * |" H8 r3 s( `  l& @5 O

4 F& ?$ h+ Q6 \
5 u% B) X- V: t- ]/ q工艺:% H% P) F2 l& M! J
表面处理工艺,蚀刻工艺,影响比较复杂。
  [  S/ Z& O, J* g- Q/ |简单参考:. @5 D$ A! V  E! r3 g( c3 y
https://www.eda365.com/thread-83331-1-1.html8 ?& a# b. F, x! ?
http://bbs.rfeda.cn/read-htm-tid-84397.html  t% h- _8 n" l2 a! o1 z
6-WA4_Paper_EM_Modeling_of_Board_Surface_.pdf (942.48 KB, 下载次数: 85)
2 h; A9 G, v" ~* T5 J( _5 S6 @: L+ s  C  j
材料:
2 x5 H' }  h# Y1.  Substrate + PCB;# n" r+ F) v- _/ Z; R
2.  Mold compound;
6 j, L6 R0 y& i6 c基板板材,PCB板材,有机材料都有很多低损耗的材料可供选择,高端的可用陶瓷材料LTCC、HTCC等。4 E- _' P) B9 \% }
molding compound低损耗的不多,高频的一般不用,多为真空封装或充惰性气体保护。

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IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-5-21 20:42 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-21 10:472 V& K8 ]+ I) D! M, z# C6 g
很好的一个帖子,学习了很受益,对高速封装有了一个全面的认识。想请教一下版主两个问题:1、金线阻抗匹配 ...
6 a/ a* G8 V+ v, Z5 S
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。7 n+ _) V, X: f

* {. \* r. \5 z# cS/P/G的配置比例与位置(与信号速度相关),主要是考虑SI和PI,DesignCon2013有paper专门讨论这个问题的,你可以找找看。
  B: g. m0 P+ K2 R, a' H

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你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!  详情 回复 发表于 2015-5-22 09:59
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发表于 2015-6-3 11:18 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-22 09:59
' s% d- Y7 n) `" p% ^5 s7 \你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!

) P( ], D' n, C& ~你好:, v: ~9 d5 G9 ?& T1 C1 r% u) z
徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和长度?' P* @; [+ o5 G& U2 u6 y. f- c2 ?

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发表于 2015-5-22 09:59 | 只看该作者
pjh02032121 发表于 2015-5-21 20:422 c( n+ N) n9 r. K3 Y
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。 ...
" |! z1 t' q( R, O! z! T
你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱872780754@qq.com,谢谢啦!

点评

你好: 徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和  详情 回复 发表于 2015-6-3 11:18

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发表于 2014-3-9 10:52 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2014-7-18 13:16 | 只看该作者
您好,能请教下bondwire部分这个阻抗优化的机理吗?# P* p3 a8 Z" f+ |9 f- |0 s0 C

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发表于 2014-7-28 10:31 | 只看该作者
有没有封装的EMC/EMI 这方面仿真的?

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发表于 2014-8-19 11:07 | 只看该作者
这个太给力了

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发表于 2014-11-12 00:07 | 只看该作者
楼主太给力了,点赞

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发表于 2015-2-13 11:03 | 只看该作者
给力~

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发表于 2015-2-13 11:04 | 只看该作者
我也想知道对金线进行阻抗匹配的原理~哪位大师指点下?

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发表于 2015-3-13 08:57 | 只看该作者
不是一般给力

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发表于 2015-3-19 14:15 | 只看该作者
专业的给出封装研究方向

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发表于 2015-5-4 09:24 | 只看该作者
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