光耦控制MOSFET

liuhai2200 · 发表于 2013-1-4 20:59

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本帖最后由 liuhai2200 于 2013-1-4 22:04 编辑

设计了一个简单的电路，用光耦控制一个P沟道的MOSFET，大伙看看有没问题没？实际应用中，还需要考虑什么因素，多给些意见哪，参加工作后的第一次练手，{:soso_e100:}

liuhai2200 · 发表于 2013-1-9 20:38

xhcgy2003 发表于 2013-1-9 16:36
" X: a- w+ l: Z楼主，第二个图没问题吧？人家VGS一般都控制在20V以内，再大容易损坏MOS管！

好的，谢谢提醒，实际设计中已经将电阻阻值设计好了，使得分压在VSG范围内，非常感谢。

xhcgy2003 · 发表于 2013-1-9 16:36

楼主，第二个图没问题吧？人家VGS一般都控制在20V以内，再大容易损坏MOS管！

liuhai2200 · 发表于 2013-1-9 14:47

skatecom 发表于 2013-1-8 21:13 / Q5 x7 t( ~+ u) `% D: X+ z
个人建议，大电流负载还是用N管好一点，N管内阻都比价低，价格也比较便宜。我说楼主的两个图都是有问题的， ...

哦，我用PMOSFET是IRF5210，它的VSG是有范围的，而我电源电压就达到了48V，所以控制栅极电压，就用了电阻分压。附件是IRF5210的手册。欢迎多提意见。
还有用NMOSFET做电源开关控制，不知道如何设计，提供下思路，谢谢啊！

skatecom · 发表于 2013-1-8 21:13

个人建议，大电流负载还是用N管好一点，N管内阻都比价低，价格也比较便宜。我说楼主的两个图都是有问题的，是因为，用来做开关的MOS G极，要不就是直接拉地，低电平，要不就直接拉高，高电平。楼主的两个图，没有能做到这一点。

liuhai2200 · 发表于 2013-1-7 12:51

no4ing 发表于 2013-1-7 10:34 - y5 l2 r+ @, R2 q/ L& M) k
看不出LZ的目的是什么？

用外部的信号控制电源的通断。

liuhai2200 · 发表于 2013-1-7 12:51

wudi20060501 发表于 2013-1-7 09:07 - d& g) j5 n$ O% v3 O5 N y
第二张图如果把R8去掉应该是可以的。

R8去掉，VSG会比较大。

no4ing · 发表于 2013-1-7 10:34

看不出LZ的目的是什么？

wudi20060501 · 发表于 2013-1-7 09:07

第二张图如果把R8去掉应该是可以的。

bluskly · 发表于 2013-1-6 21:06

liuhai2200 发表于 2013-1-6 17:18
/ M9 v. l0 [$ `这个电路已经在实际中应用了吗，感觉Vgs太小了，接近-48V了，看了AO3401的datasheet，VGS范围是+/-12V。

哦确实是的改为N-MOS 光耦的C脚给过一个小的上啦电压吧这样应该就好了不要用P-MOS管吧

liuhai2200 · 发表于 2013-1-6 17:18

bluskly 发表于 2013-1-6 15:19
8 K6 @" V6 g6 \! ~试试这个电路吧，如果负载电流比较大，就考虑换个MOS管。。

这个电路已经在实际中应用了吗，感觉Vgs太小了，接近-48V了，看了AO3401的datasheet，VGS范围是+/-12V。

bluskly · 发表于 2013-1-6 15:19

试试这个电路吧，如果负载电流比较大，就考虑换个MOS管。。

liuhai2200 · 发表于 2013-1-5 08:37

skatecom 发表于 2013-1-4 22:59 * e. X3 j) r, @$ O d
呵呵，两个图都有问题啊

嗯，说说问题，谢谢啊。

skatecom · 发表于 2013-1-4 22:59

呵呵，两个图都有问题啊

liuhai2200 · 发表于 2013-1-4 22:08

本帖最后由 liuhai2200 于 2013-1-4 22:12 编辑

第一张图有点问题，光耦导通后，G点电压是升高了，Vgs反而是变大了，如果将R3的值换为100K，R1的值改为1K，在光耦断开时，MOSFET导通，光耦导通时，MOSFET断开，有点不太符合习惯，更改一下见第二张图。

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