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反射仿真中的高门限和低门限是怎么得来的啊

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发表于 2012-11-26 09:00 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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我在进行一个DDR2的反射仿真,设定电压为5V,波形出来的时候就有了高门限的值为1.56V,低六限的值为0.94V,请问这两个值是怎么得来的呀。{:soso_e101:}
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发表于 2013-6-16 23:36 | 只看该作者
模型里面有定义的话就有。

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发表于 2013-1-6 16:51 | 只看该作者
从IBIS模型里面提取出来的,模型里面有定义。

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 楼主| 发表于 2012-12-27 16:15 | 只看该作者
哎呀好呀      等了一个月了     终于有结果了      实在是太……太……太……感谢了

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发表于 2012-12-27 15:45 | 只看该作者
409486382 发表于 2012-11-26 09:56
! X' M1 |4 M/ [; B4 Z) j5 i有同样疑问的顶起来,不要让沉了呀                 : I  ^4 t5 c: w7 y5 W
自己先顶个
  i# f" L8 k/ n+ I: T$ s& m& M
芯片手册中有,IBIS模型就是根据芯片手册中的参数描述出来的。。。,仔细研究下吧。。

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 楼主| 发表于 2012-11-26 09:56 | 只看该作者
有同样疑问的顶起来,不要让沉了呀                 2 S! ~, e7 q, n
自己先顶个{:soso_e179:}
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