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本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑
" f8 b& R: Y; R Ipicibi 发表于 2012-5-8 10:26 ![]() 3 H$ h% g7 G+ {& |3 [* x* c
也请教一下yuxuan51版主~~9 v2 g) c8 f7 U+ d6 s6 z
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...
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首先说明下，这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的，比方说一颗DDR2片子，它有好几个电源供电脚，每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电，这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明，所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
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. d" k6 B7 T4 v4 V; G! @9 p下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法，我一般都用这个来计算，要是有异议的地方大家可以提出来& c7 |8 U/ g% H: B8 |9 g3 \2 B
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首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型
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, P8 @6 {3 _3 O, g, Y# U& c# X; \然后找一个要计算电流峰值的电源管脚，知道它所负责供电的那些buffer，打个比方，我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电，然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up，power clamp节点连接一个DC源，并在他们之间串联一个电流表，如下图，给所有的buffer同一个激励，为了找到buffer翻转时的最大电流2 _( ^2 } j' s. F2 x3 h
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5 i6 Q3 e& x2 S! ~: @8 t; m然后执行仿真，得到结果后查看电流曲线，可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值，下图( Q# p& L4 n, b, O, }( x7 h
+ q8 i) \) }, v5 E/ \$ u) u. W' y. G6 E8 _- d$ s
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% L" l' J T2 ^, `8 j+ g; l3 n' z+ _, B1 X8 P: k3 j7 L
/ m0 ^. q& Q" \当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性，不然也就没有参考意义了: ~+ G2 K. l6 v+ g8 x. a" b
' d; H1 h9 j% `+ O9 }
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发表于 2012-2-7 15:34
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发表于 2012-5-8 11:27
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