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电源与功率电路基板导线设计教程

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发表于 2009-11-7 16:22 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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a.面封装型线性调整器的散热图案, C& N1 P5 q# ?+ ?- V/ ]
    接着介绍输出电流1.0A 低饱和型线性调整器(linear regulator)散热图案设计技巧。三端子调整器构成组件非常少因此广被使用,图1 是由面封装型线性调整器NCP1117构成的降压电路;图2 是降压电路基板图案。
' Y& Z/ ^# G1 s' p0 ]; @+ m2 K6 b/ [0 v ) D' o$ g$ Y9 a+ [
图1 线性调节器构成的降压电路                                   图2 降压电路基板图案
% d9 [1 r; X; S7 B' M# I* n    旁通电容器(bypass condenser) C1、C3 封装在半导体的输出入端子附近,NCP1117为面封装型半导体,使用电路基板图案作散热。图3 是NCP1117 的散热pattern 大小与容许电力-热阻抗的关系,例如输入8V,输出5V,输出电流400mA 时,半导体的损失利用输出、入的电压差(8V-5V=3V),乘上输出电流后等于3V×0.4A=1.2W,根据图3 可知NCP1117 需要7mm正方以上的散热pad。直接与散热pad连接时,如果输出平滑电解电容C4的电路基板图案太宽时,热量会经由图案传导至电容器造成电解电容温度上升,所以散热pad 与C4的基板图案必需案配合输出电流,尽量降低导线图案的宽度。
/ G4 ?3 J; t- o( ]: m: T2 W * m& B! k" J% d) c
图3 NCP1117的散热pattern大小与容许电力-热阻抗的关系
5 x1 D. N, @' E% b$ k    同步整流step down converter BIC221C与控制电路,以及MOSFET驱动电路三者同时封装成一体,本电路的动作频率为300kHz,输入5V,输出2.5V/3A。图4(a)是step down converter电路图;图4(b)是BIC221C的内部方块图;图5(a)是电路基板组件面图案。如图4(b)所示,BIC221C内部方块图所示第4,6号脚架的GND,与第8 号脚架的P.GND1、第16 号脚架的P.GND2明确分隔,如果按照图4(a)电路图指示,直接描绘含盖上述脚架配线图案的话,可能会造成误动作与噪讯增加等后果,因此设计电路基板图案时,必需将第8号脚架的P.GND1、第16 号脚架的P,GND2 分开,避免第4,6 号脚架GND 大电流流动。具体方法如图5 所示,GND 的第4,6 号脚架在组件面连接,P.GND1 的第8 号脚架再与焊接面连接,大电流从C5 通过P.GND2 的第16 号脚架,再从Vout(11,12,13,14pin)通过L1 流入C5,P.GND1的第8号脚架从C1设置slit作连接,因此连接与第4,6 号脚架的GND 的图案不会有大电流流动。
2 h0 ]  I; Y1 c& B* B
9 A: s3 V! [; T1 H# t(a) 电路图
( V5 r2 H6 C& F
; W, z( O+ @2 s+ L2 P5 Z/ t(b) BIC221C的内部方块图
' x7 M; N2 `4 G图4 同步整流式step down converter BIC221C构成的step down converter
) |/ p# ]& x3 Y8 e( d0 T* l% m3 X: W
* `' O2 Q. \5 z8 [(a) 组件面
: P+ i5 W5 e/ E
, g% ]% Q3 @7 X) M(b)焊接图. h# _- h' o# M, c' ~4 U
图5 2.5V/3.3A输出的DC-DC converter 电路基板图案
8 F( ?$ g9 Z( A8 ^b. 光学耦合器构成的gate驱动电路基板图案6 D6 j' w- Y( H4 x$ n+ ^
    为避免控制电路遭受破坏,因此图6 将光学耦合器TLP351 与二极管构成的控制电路,以及功率MOSFET分离。, l; W7 r! ?, |5 w
3 C) M# D% N* _) e4 }8 d
图6 photo coupler 构成的gate驱动电路
2 B1 l- g( ^7 u" M" Q. [    图7 gate驱动电路的基板图案,光学耦合器的光学二极管单元属于电流驱动,光学晶体管与功率MOSFET 等gate 驱动单元则是电压驱动,所以光学耦合器封装在功率MOSFET 附近,此时必需避免光学二极管的正、负极的平行导线Ⓐ部位面积变大。7 K$ l! M* Q7 _6 o: o7 ^, Q

6 @: L. D3 v  G6 s0 W5 ^) d图7 gate驱动电路的基板图案
1 |2 n  g7 @+ @  vc. 专用IC构成的gate驱动电路基板图案! r8 e, y' }# G% f* _  k
    IR2011 8pin驱动IC内嵌high side与low side的gate驱动电路,属于D 级audio增幅器与DC-DC converter 的gate驱动器。图8是专用IC的构成的gate驱动器电路;图9 是驱动电路的基板图案。
& o/ b0 U8 \6 r9 K; l    虽然设计上要求gate驱动IC尽量靠近功率MOSFET设置,远离功率MOSFET设置的场合,为避免high side的source电位波动,造成IC1 第4 脚架V5 的负电位波动,所以需将二极管D2设在gate驱动IC附近。此外为防止Tr1、Tr2误动作,因此source与gate的导线尽量邻接,此外控制信号的输入图案与COM图案两者必需平行设置。, s6 }; E2 n8 C# `( e! f0 ~( g

' V4 s9 _( A7 d# L- ~6 `6 e图8 专用IC的构成的gate驱动电路- t& y/ \& E8 R- M$ F$ D6 J8 z& |

; M9 [- S3 Q, `图9 专用IC的构成的gate驱动电路的基板图案
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