这个电路限流340mA是怎么得出来的啊？

soswelcome · 发表于 2018-6-25 09:34

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这个电路限流340mA是怎么得出来的啊？
谢谢！

kevin890505 · 发表于 2018-6-26 20:57

lukeluck 发表于 2018-6-26 08:55
3 v' V) x4 Q1 C# P这是定性分析，定性分析是无法知道是4.0V对应的限流值最大。4 \8 x# E# L8 K! P3 F: s V
实际上确实三极管和MOS管都工作在线性放大 ...

电压变化，参数是要重设的，从Vbe=0.7，毛估下，电压大概大于8.4V，则不用过电流，Vbe>0.7V左右，三极管饱和了，这个MOS直接就关断了呀，就没有限流作用了，这就是你仿真的8V的由来，因为三极管不一样，电源环境不同，Vbe略有差异，导致就算8-9V甚至其他电压都有可能。有这个分析过程，想重设，很简单的，比如你用一个分压在12V输入，让分压上的高端分压=0.5左右，然后R*Ilim=0.2V左右就可以了，没啥高深的公式，只需要查资料获得相对比较靠谱的Vbe即可。串入电路的Rlim变了，Ilim自然就调整了。
而至于你说的公式，非常准确的点，这个是没法计算的，因为任何一种型号的三极管和MOS管，他们的阈值范围参数都是略有差异的，所以，这个分析必须基于动态环路响应分析，以及Vbe的误差可接受，也所以，这个电路的参数不会很准确，只是一个大概值。偏差取决于你管子的工艺水平，不同两个板子的三极管，一个Vbe=0.65，一个Vbe=0.75那Ilim肯定不可能一样的。

OVER！

kevin890505 · 发表于 2018-6-25 20:51

本帖最后由 kevin890505 于 2018-6-25 20:52 编辑

动态分析，动态分析，动态分析！！！条件很重要，不是写个限流就过流关断了。流程如下：
1，电压是5V，MOS默认关闭
2，三极管驱动侧两个电阻36K，电流是0.1mA级别，假如查下三极管型号就可以看到此时Vbe大约是0.7V级别（猜的）
3，3:33是因为这个电阻加上正常电流0.51上的压降不会让Vbe>0.7
4，但是电流一旦大了，0.51上的电压V=I*0.51,I大了，这个压降V自然就大了
5，一旦3:33上端的分压，加上0.51上的压降>0.7，那三极管就会慢慢导通
6，三极管一旦慢慢导通，C级电压就会慢慢抬高
7，假如前MOS的线性区Vgs在1.5-3V，那么C级电压>1.5之后，MOS电阻就会慢慢增加
8，然后干路电流就会慢慢减小，然后0.51电阻的压降减小，Vbe减小，三极管C级电压降低
9，C级电压降低，MOS的电阻就变小，电流就变大
。。。。。。。。。。
然后电路就是这样一种动态平衡，就是一个反馈环路
整个过程中,三极管和MOS都在线性区，三极管电流很小，但是MOS上的电流不小，加上线性区，所以三极管可以是SOT23的，MOS得是大点的，要散热，不然短路保护的时候就把自己烧死了。

OVER！

lukeluck · 发表于 2018-6-25 18:14

Jujianjun 发表于 2018-6-25 17:23$ R9 H; c3 V+ N# [& W# y
简单计算一下也可以得到限流值，精确的限流值需要查阅图中的PNP三极管的规格书。

咱俩的简单计算方法是一样的，现在我的问题是，为什么当输入电压变化时候，电路的限流值也会发生非常明显的变化，且非线性。如下图的仿真
V1=4.03V I=409.8mA
V1=5V I=331.38mA
如果从仿真来看的话，三极管Q17并不工作在饱和状态，而是工作在放大状态，因此最终形成的稳定电流是电路自身平衡达到的一个状态。

那么下面的计算似乎就不合理了：
假设输入电压为X，

（X-0.51*I）alpha=X-Vbe

在刚才的计算中，取X=5V，VbeV=0.6V，alpha为电阻分压比33/36 则计算得到 I=0.392A
从这个计算公式看 Ilimit与输入电压似乎是成反比，但实际仿真结果却不是这样。

xiangtianxiao · 发表于 2018-7-15 13:55

学到不少

刘鹏鹏 · 发表于 2018-7-10 09:50

这个HDMI的电路也有在机顶盒待机时，放置电流反灌的功能吧，或者直接串联一个二极管加保险丝

记得梦想了吗 · 发表于 2018-6-29 18:02

本帖最后由记得梦想了吗于 2018-6-29 18:05 编辑

搞反了

liuxingyu · 发表于 2018-6-29 17:43

研究一下Q18的导通电压，R237上面的压降。

xingnuolgsx · 发表于 2018-6-29 11:13

lukeluck 发表于 2018-6-27 08:40
3 i8 w" a& u, _7 _ c4 ^" ?. x& V这种用法把MOS的两种用法都用到了8 l4 g& L9 V( F; i; R$ i$ U
左侧的MOS作用是防反接，原理是利用自身的体二极管，导通之后体二极管 ...

非常感谢这个资料，通俗易懂，又学习了一遍MOS管加深印象

soswelcome · 发表于 2018-6-29 09:04

kevin890505 发表于 2018-6-28 23:44
1 t6 b) s( z( B' U9 @1903资料有写内部电阻和ON电压门限约为1.3-3.0V，也就是在1.3-3.0V以上的时候三极管会导通，那你那个保护 ...

非常感谢，分析的太好了，厉害

kevin890505 · 发表于 2018-6-28 23:44

soswelcome 发表于 2018-6-27 10:12
* w" T: P( X3 X( K- S非常感谢！
& N* M H+ U; S. X搞明白啦，那2个pmos啦

1903资料有写内部电阻和ON电压门限约为1.3-3.0V，也就是在1.3-3.0V以上的时候三极管会导通，那你那个保护电路已经解释的很明显了，常规没有过压的时候，稳压管不工作，1903的5脚为下拉状态，345脚的三极管关闭，那2脚就只被10K拉高，126的三极管就导通，那6自然就被拉低，那后面的Q7000就导通，反之假设电压超过V的时候，稳压管会工作，稳压管两端电压为15V，那加在5脚的电压就算V-15V，如果V-15V>1.3-3.0（其实稳压管也有误差，也要算上），那么345的三极管就导通，2就被拉低，那126的三极管就截至，6就被电阻拉高，Q7000就关闭，当然了整个过程中还存在类似的线性区，懒得分析了。

soswelcome · 发表于 2018-6-27 10:13

lukeluck 发表于 2018-6-27 08:40
0 O2 [. [: x, ?* q" G9 y这种用法把MOS的两种用法都用到了* t, y! S$ P& _4 q' N& S
左侧的MOS作用是防反接，原理是利用自身的体二极管，导通之后体二极管 ...

非常感谢！
搞明白啦，那2个pmos啦

那个12v过压保护，Q7001就是RN1903芯片是怎么对输入12V进行过压保护的呢？

对12V过压保护，过多大的电压就保护了啊？

soswelcome · 发表于 2018-6-27 10:12

kevin890505 发表于 2018-6-26 21:04
|# _1 G' v5 e* _8 O功率MOS有body diode，有些人称体二极管，有些人叫寄生二极管，反正差不多，是因为制造工艺和方式导致的 ...

非常感谢！
搞明白啦，那2个pmos啦

那个12v过压保护，Q7001就是RN1903芯片是怎么对输入12V进行过压保护的呢？

对12V过压保护，过多大的电压就保护了啊？

lukeluck · 发表于 2018-6-27 08:40

本帖最后由 lukeluck 于 2018-6-27 13:12 编辑

soswelcome 发表于 2018-6-26 13:41
7 [0 x6 y2 l8 {3 S' A左边加入电源，Q7002的pmos能导通吗？
i5 c+ K% m! H感觉不能够导通啊？不满足导通条件啊

这种用法把MOS的两种用法都用到了
左侧的MOS作用是防反接，原理是利用自身的体二极管，导通之后体二极管被短路
右侧的用法就是做开关了。
可以参考下这个附件～

kevin890505 · 发表于 2018-6-26 21:04

lukeluck 发表于 2018-6-26 12:11- d1 W# y/ _( r8 [
左侧输入右侧输出: w/ e$ \: v4 m! m% D1 W( K
电流方向也是这样
# x3 p% m- T1 ]. M分析不都是写在电路上了吗？。。。

功率MOS有body diode，有些人称体二极管，有些人叫寄生二极管，反正差不多，是因为制造工艺和方式导致的，这个二极管是必然存在的，图片上看的到，上面的那个二极管，就会导致MOS即使在没有Vgs的条件下也会导通，压差就是二极管压降，当S的电压比GND高Vgs一定值后，MOS就打开了，吧二极管短路了，此时MOS就没有这个二极管压降了，而是取决于Rds。给你配个资料，如果看了还不懂MOS和body diode就可以跳楼了，哈哈，开玩笑了。

https://wenku.baidu.com/view/d667d93a1a37f111f1855b8a.html