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这个电路限流340mA是怎么得出来的啊?

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发表于 2018-6-25 09:34 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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这个电路限流340mA是怎么得出来的啊?0 W1 ]( d: H& ~7 E- j# s5 c
谢谢!
9 r0 F+ }1 b% C# f% T5 c% K8 K( t1 U8 ~

) d5 Y7 R# q' |1 p3 w$ m% I1 E: F6 @/ F3 s' c# B, Q; P/ q

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发表于 2018-6-26 20:57 | 只看该作者
lukeluck 发表于 2018-6-26 08:55
, `6 V  j& a+ H+ f. ?% ?这是定性分析,定性分析是无法知道是4.0V对应的限流值最大。
5 P7 m1 |. F0 ^. F( M实际上确实三极管和MOS管都工作在线性放大 ...

7 K' m+ `" k3 ]1 L$ \电压变化,参数是要重设的,从Vbe=0.7,毛估下,电压大概大于8.4V,则不用过电流,Vbe>0.7V左右,三极管饱和了,这个MOS直接就关断了呀,就没有限流作用了,这就是你仿真的8V的由来,因为三极管不一样,电源环境不同,Vbe略有差异,导致就算8-9V甚至其他电压都有可能。有这个分析过程,想重设,很简单的,比如你用一个分压在12V输入,让分压上的高端分压=0.5左右,然后R*Ilim=0.2V左右就可以了,没啥高深的公式,只需要查资料获得相对比较靠谱的Vbe即可。串入电路的Rlim变了,Ilim自然就调整了。
$ t; Q. F8 x# q: m* P! Y/ b0 N而至于你说的公式,非常准确的点,这个是没法计算的,因为任何一种型号的三极管和MOS管,他们的阈值范围参数都是略有差异的,所以,这个分析必须基于动态环路响应分析,以及Vbe的误差可接受,也所以,这个电路的参数不会很准确,只是一个大概值。偏差取决于你管子的工艺水平,不同两个板子的三极管,一个Vbe=0.65,一个Vbe=0.75那Ilim肯定不可能一样的。: M7 G6 e. I  r2 m% P: u% l

! r# E' h# X2 ~' n7 F2 ^' JOVER!
; p9 k! x$ u2 f
" U' [( e: i4 ?% e

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发表于 2018-6-25 20:51 | 只看该作者
本帖最后由 kevin890505 于 2018-6-25 20:52 编辑 , W* z: B3 q' R& S. O4 }& i1 W6 \
/ ?2 q+ i7 }0 @3 W$ D& L
动态分析,动态分析,动态分析!!! 条件很重要,不是写个限流就过流关断了。流程如下:
% [" {) i2 e. \- v% a1,电压是5V,MOS默认关闭
& @9 R% {; v3 g& r* Z2,三极管驱动侧两个电阻36K,电流是0.1mA级别,假如查下三极管型号就可以看到此时Vbe大约是0.7V级别(猜的)
5 X& V. w7 Y2 h0 |0 A9 `% }3,3:33是因为这个电阻  加上正常电流0.51上的压降不会让Vbe>0.7
+ I* O1 @3 ~9 |/ A( d7 I4,但是电流一旦大了,0.51上的电压V=I*0.51,I大了,这个压降V自然就大了
/ {& y; _% c3 y9 a- R: G& p, K1 Z5,一旦3:33上端的分压,加上0.51上的压降>0.7,那三极管就会慢慢导通
/ n6 o/ C3 \# b# N) J, d6,三极管一旦慢慢导通,C级电压就会慢慢抬高: `) K% r; U4 W
7,假如前MOS的线性区Vgs在1.5-3V,那么C级电压>1.5之后,MOS电阻就会慢慢增加4 E4 w9 I; j+ j$ q* C
8,然后干路电流就会慢慢减小,然后0.51电阻的压降减小,Vbe减小,三极管C级电压降低
& Y2 O, e1 q- t9,C级电压降低,MOS的电阻就变小,电流就变大4 T& R9 p1 A  F& N0 i( s9 i9 e
。。。。。。。。。。8 @' b: V0 l: J2 k! U1 b
然后电路就是这样一种动态平衡,就是一个反馈环路
, p( ?% V; U8 Q' I/ J6 t; F整个过程中,三极管和MOS都在线性区,三极管电流很小,但是MOS上的电流不小,加上线性区,所以三极管可以是SOT23的,MOS得是大点的,要散热,不然短路保护的时候就把自己烧死了。
) z9 s0 I+ A' I& W: Q' h
  M; `  C, v2 ]+ o& \9 nOVER!

点评

这是定性分析,定性分析是无法知道是4.0V对应的限流值最大。 实际上确实三极管和MOS管都工作在线性放大区,这个动态平衡的过程也一定是满足某个公式的,否则仿真软件也没办法仿真出来这个过程的,尤其是当输入电压  详情 回复 发表于 2018-6-26 08:55

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发表于 2018-6-25 18:14 | 只看该作者
Jujianjun 发表于 2018-6-25 17:23
" K2 \: v& @& ^: s( N4 ?: F简单计算一下也可以得到限流值, 精确的限流值需要查阅图中的PNP三极管的规格书。
% h( x% ^) Q( ~( |5 o  d
咱俩的简单计算方法是一样的,现在我的问题是,为什么当输入电压变化时候,电路的限流值也会发生非常明显的变化,且非线性。如下图的仿真% X- c1 \; V0 d
V1=4.03V I=409.8mA $ w: b+ c; \0 x8 v/ C% C
V1=5V I=331.38mA
8 I; [- X1 w/ j3 Q) s, i如果从仿真来看的话,三极管Q17并不工作在饱和状态,而是工作在放大状态,因此最终形成的稳定电流是电路自身平衡达到的一个状态。" Q# I: {. w* Y7 n" c8 `
) _9 J- B+ I5 k" ]7 P+ G1 e" ~. ~
* Q3 w/ u0 s! h9 a8 P
那么下面的计算似乎就不合理了:
1 c5 y  m0 s! I! [) k0 |) v$ Y假设输入电压为X,0 v1 K% o+ N5 L( v/ _+ _, t

6 e- S  z7 j0 f! Q+ H2 g
" w- p& W5 G  V
(X-0.51*I)alpha=X-Vbe/ e  h/ g' L) `" `
3 p7 Q* f/ m$ Q; u4 s) [
在刚才的计算中,取X=5V,VbeV=0.6V,alpha为电阻分压比33/36 则计算得到 I=0.392A
7 ]7 z0 c, }/ a) r( q从这个计算公式看 Ilimit与输入电压似乎是成反比,但实际仿真结果却不是这样。
) \: g' s2 Z8 a- p

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发表于 2018-7-15 13:55 | 只看该作者
学到不少
# j1 E1 f- ?/ }' C  a" G

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发表于 2018-7-10 09:50 | 只看该作者
这个HDMI的电路也有在机顶盒待机时,放置电流反灌的功能吧,或者直接串联一个二极管加保险丝

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发表于 2018-6-29 18:02 | 只看该作者
本帖最后由 记得梦想了吗 于 2018-6-29 18:05 编辑   I" s* G: i* v
3 [! _7 h2 O' @( t
搞反了

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发表于 2018-6-29 17:43 | 只看该作者
研究一下Q18的导通电压,R237上面的压降。

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发表于 2018-6-29 11:13 | 只看该作者
lukeluck 发表于 2018-6-27 08:40
$ B3 A2 R% e" H3 w/ x+ p这种用法把MOS的两种用法都用到了3 Y" t6 X% ?8 I6 V8 k( d
左侧的MOS作用是防反接,原理是利用自身的体二极管,导通之后体二极管 ...
) i+ W$ u4 c5 F, F3 g+ k% I) o
非常感谢这个资料,通俗易懂,又学习了一遍MOS管加深印象$ r4 x3 Z7 G: y

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 楼主| 发表于 2018-6-29 09:04 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2018-6-28 23:443 @  j# [: @5 n/ ]$ P( j
1903资料有写内部电阻和ON电压门限约为1.3-3.0V,也就是在1.3-3.0V以上的时候三极管会导通,那你那个保护 ...
& S& d) s1 ~  O! A- {! s  [
非常感谢,分析的太好了,厉害

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发表于 2018-6-28 23:44 | 只看该作者
soswelcome 发表于 2018-6-27 10:12
0 z7 V6 ~2 [0 a6 c( H$ ?' o# W6 x非常感谢!6 r" e1 W& i$ _" t: h
搞明白啦,那2个pmos啦
% V! K4 s" f6 ?- a  y2 f
1903资料有写内部电阻和ON电压门限约为1.3-3.0V,也就是在1.3-3.0V以上的时候三极管会导通,那你那个保护电路已经解释的很明显了,常规没有过压的时候,稳压管不工作,1903的5脚为下拉状态,345脚的三极管关闭,那2脚就只被10K拉高,126的三极管就导通,那6自然就被拉低,那后面的Q7000就导通,反之假设电压超过V的时候,稳压管会工作,稳压管两端电压为15V,那加在5脚的电压就算V-15V,如果V-15V>1.3-3.0(其实稳压管也有误差,也要算上),那么345的三极管就导通,2就被拉低,那126的三极管就截至,6就被电阻拉高,Q7000就关闭,当然了整个过程中还存在类似的线性区,懒得分析了。+ v- y, A' \2 q3 }& e" V

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非常感谢,分析的太好了,厉害  详情 回复 发表于 2018-6-29 09:04

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 楼主| 发表于 2018-6-27 10:13 | 只看该作者
lukeluck 发表于 2018-6-27 08:406 B1 w! H5 Q5 y: c& S  W
这种用法把MOS的两种用法都用到了
" E5 a  V, N- Z% ~! k6 B+ J左侧的MOS作用是防反接,原理是利用自身的体二极管,导通之后体二极管 ...

3 P7 C* _, M/ i2 Z5 X- {非常感谢!
5 [4 z, j% Y6 L; [5 t" \搞明白啦,那2个pmos啦6 S1 ?' x% k- U) Y8 n4 G% j8 f
: ]8 t: z4 Z& L. F6 q6 Z
那个12v过压保护,Q7001就是RN1903芯片是怎么对输入12V进行过压保护的呢?
# ^4 W7 f+ l4 @% F7 `3 Q9 A' I8 X9 l, {' e, s* f, V
对12V过压保护,过多大的电压就保护了啊?! O$ d5 T4 U9 `  Y0 n: q# ^9 W

% ?7 P7 J: M% {, S( W# P, p
4 A3 K9 G0 z7 V# _7 L  N) ?$ B
: l8 Y8 B! s5 G' g0 y

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RN1903.jpg

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 楼主| 发表于 2018-6-27 10:12 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2018-6-26 21:045 b. G7 q  _# ?& J8 Z: W
功率MOS有body  diode,有些人称体二极管,有些人叫寄生二极管,反正差不多,是因为制造工艺和方式导致的 ...

; F. a" R% {# K. N+ Z非常感谢!9 X  x$ C) B& I& Y+ U
搞明白啦,那2个pmos啦; {* m7 \5 N& W+ X; C" M1 R# b- [
) m  ?- d6 d# c9 F0 h
那个12v过压保护,Q7001就是RN1903芯片是怎么对输入12V进行过压保护的呢?
5 Z- P+ F  g. x* T" a! ^+ @' K( A
6 h8 l0 f4 u6 V! d5 D对12V过压保护,过多大的电压就保护了啊?* N! X8 O5 \  w' b) k3 [8 R9 ?

; Z7 h! c, Y* r2 n
, @" S$ \6 v% `9 z5 t

RN1903.jpg (76.6 KB, 下载次数: 0)

RN1903.jpg

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1903资料有写内部电阻和ON电压门限约为1.3-3.0V,也就是在1.3-3.0V以上的时候三极管会导通,那你那个保护电路已经解释的很明显了,常规没有过压的时候,稳压管不工作,1903的5脚为下拉状态,345脚的三极管关闭,那2  详情 回复 发表于 2018-6-28 23:44

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发表于 2018-6-27 08:40 | 只看该作者
本帖最后由 lukeluck 于 2018-6-27 13:12 编辑
8 P# j" n  T! n& I  x
soswelcome 发表于 2018-6-26 13:411 J, M4 s5 O0 Z+ D1 p* d  k5 a+ E
左边加入电源,Q7002的pmos能导通吗?8 V. g4 H- B4 Y2 Z8 N6 K2 A, _
感觉不能够导通啊?不满足导通条件啊
# U. ^7 Y1 P, s4 ]
这种用法把MOS的两种用法都用到了2 s6 z5 r  X& I* Z0 h" G: `# `
左侧的MOS作用是防反接,原理是利用自身的体二极管,导通之后体二极管被短路
3 B7 A; u+ \( j5 H* O4 o7 A3 V- W右侧的用法就是做开关了。$ B3 S3 N2 O, o6 c
可以参考下这个附件~
5 B) B7 q- ?; g

MOS管资料.pdf

4.28 MB, 下载次数: 2, 下载积分: 威望 -5

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非常感谢这个资料,通俗易懂,又学习了一遍MOS管加深印象  详情 回复 发表于 2018-6-29 11:13
非常感谢! 搞明白啦,那2个pmos啦 那个12v过压保护,Q7001就是RN1903芯片是怎么对输入12V进行过压保护的呢? 对12V过压保护,过多大的电压就保护了啊?  详情 回复 发表于 2018-6-27 10:13

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发表于 2018-6-26 21:04 | 只看该作者
lukeluck 发表于 2018-6-26 12:11
- a& X# e8 U, i左侧输入 右侧输出. t+ M& ~$ V$ {/ K  z& F
电流方向也是这样 ! U( k; \* n# E% W  w
分析不都是写在电路上了吗?。。。
) L1 U. X' X$ E* P
功率MOS有body  diode,有些人称体二极管,有些人叫寄生二极管,反正差不多,是因为制造工艺和方式导致的,这个二极管是必然存在的,图片上看的到,上面的那个二极管,就会导致MOS即使在没有Vgs的条件下也会导通,压差就是二极管压降,当S的电压比GND高Vgs一定值后,MOS就打开了,吧二极管短路了,此时MOS就没有这个二极管压降了,而是取决于Rds。给你配个资料,如果看了还不懂MOS和body diode就可以跳楼了,哈哈,开玩笑了。
% u1 k& H0 }' J& c& N( Phttps://wenku.baidu.com/view/d667d93a1a37f111f1855b8a.html
) I. z( f, x$ |3 q' I; P6 T( t- L

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非常感谢! 搞明白啦,那2个pmos啦 那个12v过压保护,Q7001就是RN1903芯片是怎么对输入12V进行过压保护的呢? 对12V过压保护,过多大的电压就保护了啊?  详情 回复 发表于 2018-6-27 10:12

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 楼主| 发表于 2018-6-26 13:41 | 只看该作者
lukeluck 发表于 2018-6-26 12:11
, x8 v; R, e7 }& n3 H0 j1 ]% G% q左侧输入 右侧输出$ G. g/ J! S) L: ^" q/ h5 Y3 [4 Q
电流方向也是这样 4 ?/ K& O! [# J, P# `9 O
分析不都是写在电路上了吗?。。。

; l6 Y$ c& d% H4 |8 O0 M% F( A左边加入电源,Q7002的pmos能导通吗?  w9 [, Q& ^$ h5 L) u- ?
感觉不能够导通啊?不满足导通条件啊
& o9 u6 O, v4 J" O1 S* ~' f

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这种用法把MOS的两种用法都用到了 左侧的MOS作用是防反接,原理是利用自身的体二极管,导通之后体二极管被短路 右侧的用法就是做开关了。  详情 回复 发表于 2018-6-27 08:40

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发表于 2018-6-26 12:11 | 只看该作者
soswelcome 发表于 2018-6-26 09:39
7 z% m7 o. v0 j. C, B大家可以再分析一下这个电路吗?
  f) H' K  D3 Q, Y电流是怎么流的?! l5 i( d$ D% u! J
电压加在哪一侧?

2 ?, Y8 V* Z, P  K# Z左侧输入 右侧输出
: D% v5 Y7 U6 U4 v- R: I电流方向也是这样 8 u9 O7 C2 U* t9 M8 |5 m' Y: }
分析不都是写在电路上了吗?。。。
: n/ a8 K" ]7 _) _( ~! F

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功率MOS有body diode,有些人称体二极管,有些人叫寄生二极管,反正差不多,是因为制造工艺和方式导致的,这个二极管是必然存在的,图片上看的到,上面的那个二极管,就会导致MOS即使在没有Vgs的条件下也会导通,压  详情 回复 发表于 2018-6-26 21:04
左边加入电源,Q7002的pmos能导通吗? 感觉不能够导通啊?不满足导通条件啊  详情 回复 发表于 2018-6-26 13:41
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