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关于端接的一个问题

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发表于 2018-5-8 17:32 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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8 b% R- I7 U6 I( f3 R9 i( V$ @% p如图所示
/ y0 B( ?2 \. [) Q. X/ ~7 F1.实测在端接电阻R1为0R时,AB两点的波形都是图①的情况,有些过冲) O9 r$ ]: x* {
2.在调整端接电阻为100R时,A点的波形为图①,B点的波形都为图②
4 |2 L/ d# E  t5 F, n想问一下
& O6 j3 w# o" N1.调整端接电阻后,对于终端来说,波形是正常范围内了。但对于源端来说,在调整端接电阻前后,源端(A点)波形都是有过冲的情况的(实测),是不是说端接电阻仅仅只是调整终端所接收到的信号,对于源端并没改善
" w* G7 l/ y' J8 ?  H8 Z2.还是测试结果有偏差
6 y& l; N; y$ V6 R0 m3 s5 _
9 P# B4 T7 E' z  Y
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 楼主| 发表于 2018-5-13 20:45 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-13 16:54
  }& ?" G0 O# g2 \串联端接主要用于输出阻抗小于走线的特性阻抗的情况,这个电阻目的是增加了源端的输出阻抗,所以在图上电阻 ...

" q' d% ]( I9 W$ v9 B了解,我只是觉得说
' e: U' V* p" F1.电阻已经很靠近源端了,还是能测到电阻到源端信号的过冲现象,那是不是说,端接电阻不管怎么放置,源端到端接电阻一定还会有过冲的现象: S+ o! N5 @% O! A2 h/ ^7 c5 N
2.端接电阻到源端的距离影响着这个过冲程度(假如端接电阻就在源端BGA底下,是不是说,源端到端接电阻这段信号的过冲会变得非常小?)
3 B0 @" w& f$ b$ T! h0 c3.虽然源端到端接电阻这段信号确实不是特别重要,这个产品也在出货了,只是我个人想通过交流学习一下知识
( Z  H+ @: ]: b4.真的非常感谢每一位大神,每次在365上问问题都有挺多人来回答的,真的感谢
) j+ S+ G5 k  a0 \! t

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是的,端接电阻都是建议尽可能靠近输出端的,所以现在有些高速的总线的端接都已经做到片上了。但是不管你的端接电阻摆放的多么靠近输出,只要阻抗出现不连续,就会有反射存在。  详情 回复 发表于 2018-5-14 12:39

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发表于 2018-5-25 19:30 | 只看该作者
we167527 发表于 2018-5-23 19:29
- i. E1 L$ n( @7 e末端端接意思是。像在地址线上那样并联一个上拉?还是在最末端像VTT那样?

7 j6 C" h; _1 n, C应该末端像VTT那样,也最简单的方式也就是上下拉,阻值跟特征阻抗一样,单端和差分有点区别。但是直接上下拉会提升很多功耗,所以又有优化的版本,比如加电容的方式,而又因为输出IO一般驱动能力有限,这个电容容值很难选择。总之,对于单端信号的末端端接,基本上很少用,除非像DDR一样有个比较合适的VTT电源。5 F3 J! w8 M( u+ q% |' j+ I0 b, @

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发表于 2018-5-17 16:03 | 只看该作者
we167527 发表于 2018-5-17 10:17( [) R- @( y9 w2 e
那我有个问题!
9 O" H+ E) t3 b5 e7 w+ h就是DDR的地址组/控制组的那些匹配电阻为啥是需要靠近DDR颗粒摆放呢?

7 Y/ D, I. e" H, R# q1 p' Z因为这些信号线是单向传输,另外你说的这些信号用的是并联端接(我说的端接靠近输出端指的是源端匹配),也就是传输线阻抗小于输入端阻抗,所以并联端接电阻会接收端的等效阻抗降低与走线阻抗匹配,综上,需要靠近颗粒端摆放。
& b) H4 Y$ C) F3 F% k" i9 y1 e" q' G

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如果地址线和控制线采用的是串联端接呢?应该放在何处?  详情 回复 发表于 2018-5-23 19:27

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发表于 2018-7-6 18:26 | 只看该作者
你的测量没问题,具体为什么,推荐阅读于博士的信号完整性手记中第四章:信号的反射与端接。

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发表于 2018-6-27 14:29 | 只看该作者
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发表于 2018-5-23 19:29 | 只看该作者
ABCDJ 发表于 2018-5-22 11:53( A, y# m$ {' N3 B$ s! C
端接有很多种形式,源端一般是串联电阻,末端一般是并联,末端端接效果比源端好但结构复杂、功耗大,各有各 ...

$ v; d4 G8 ~. a5 g末端端接意思是。像在地址线上那样并联一个上拉?还是在最末端像VTT那样?
; |0 P5 S# I" F

点评

应该末端像VTT那样,也最简单的方式也就是上下拉,阻值跟特征阻抗一样,单端和差分有点区别。但是直接上下拉会提升很多功耗,所以又有优化的版本,比如加电容的方式,而又因为输出IO一般驱动能力有限,这个电容容值  详情 回复 发表于 2018-5-25 19:30
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发表于 2018-5-23 19:27 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-17 16:03
1 \+ n8 Z- v2 x8 D5 j因为这些信号线是单向传输,另外你说的这些信号用的是并联端接(我说的端接靠近输出端指的是源端匹配), ...
% Q6 i* R8 j8 O! r4 E
如果地址线和控制线采用的是串联端接呢?应该放在何处?  m. w5 p5 _' l6 K0 g  G
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发表于 2018-5-22 11:53 | 只看该作者
端接有很多种形式,源端一般是串联电阻,末端一般是并联,末端端接效果比源端好但结构复杂、功耗大,各有各的优势。但是对于高速信号和DDR等要求高的场合,都采用的是末端端接。

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末端端接意思是。像在地址线上那样并联一个上拉?还是在最末端像VTT那样?  详情 回复 发表于 2018-5-23 19:29

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发表于 2018-5-17 10:17 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-14 12:39& E  W0 i" D( `3 F. a4 P, O
是的,端接电阻都是建议尽可能靠近输出端的,所以现在有些高速的总线的端接都已经做到片上了。但是不管你 ...
1 ^$ B/ U3 Q$ y
那我有个问题!+ f! U$ ?* R' J2 @6 z, l
就是DDR的地址组/控制组的那些匹配电阻为啥是需要靠近DDR颗粒摆放呢?& E( n/ u* u0 S  ]6 |5 \1 P

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因为这些信号线是单向传输,另外你说的这些信号用的是并联端接(我说的端接靠近输出端指的是源端匹配),也就是传输线阻抗小于输入端阻抗,所以并联端接电阻会接收端的等效阻抗降低与走线阻抗匹配,综上,需要靠近颗  详情 回复 发表于 2018-5-17 16:03
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 楼主| 发表于 2018-5-14 22:42 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-14 12:39* L9 N$ r6 ~! W2 d, D
是的,端接电阻都是建议尽可能靠近输出端的,所以现在有些高速的总线的端接都已经做到片上了。但是不管你 ...

, X8 ]6 c. k- a2 h4 u嗯嗯,感谢8 h! {" j1 T- g/ |8 }8 k$ @

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Joen0_0 发表于 2018-5-13 20:45( @! `/ ?) O( M  K
了解,我只是觉得说
- Q0 }  Y& r" y# E. j- S' y. n8 p1.电阻已经很靠近源端了,还是能测到电阻到源端信号的过冲现象,那是不是说,端接电 ...
- @3 e4 Q9 r: Z. g1 T5 I9 S
是的,端接电阻都是建议尽可能靠近输出端的,所以现在有些高速的总线的端接都已经做到片上了。但是不管你的端接电阻摆放的多么靠近输出,只要阻抗出现不连续,就会有反射存在。
( s" i0 P- ?. J& U+ H  r1 Z& v
/ u+ u( r; S* s" \( T4 r! z7 c

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那我有个问题! 就是DDR的地址组/控制组的那些匹配电阻为啥是需要靠近DDR颗粒摆放呢?  详情 回复 发表于 2018-5-17 10:17
嗯嗯,感谢  详情 回复 发表于 2018-5-14 22:42

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qiantan 发表于 2018-5-13 22:07
% E6 R0 ]6 s$ l6 H4 ^那请大神讲讲,是不是所有的端接都是靠近源端比较好呢?

6 T  O  N1 ^- _( D. j不是,看具体芯片具体引脚的* K# _, ~( Q& w5 z

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发表于 2018-5-13 22:07 | 只看该作者
那请大神讲讲,是不是所有的端接都是靠近源端比较好呢?

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不是,看具体芯片具体引脚的  详情 回复 发表于 2018-5-14 09:06

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 楼主| 发表于 2018-5-13 20:37 | 只看该作者
哈士奇的主人 发表于 2018-5-10 17:38
0 f0 `$ s4 V8 k- e" V) s! }我们关心的是接收端的信号,接收端的信号质量好就行。这是pin to pin的走线吗?

; S9 G+ o+ `* k- b& p+ H; m  k是的,pin to pin
6 {, k$ ?; `' [' t% ^. o. t2 {6 [) ?你这个问题倒启发了我,要是一对多的话,结果又是如何。。。
  s/ U( p' p! U
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