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关于端接的一个问题

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发表于 2018-5-8 17:32 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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$ p3 b  A* r4 `. ]/ r9 _- _$ P如图所示: P2 o/ _4 A2 R3 l* k6 {5 {
1.实测在端接电阻R1为0R时,AB两点的波形都是图①的情况,有些过冲# B$ \+ o: g0 `7 ]/ q4 m
2.在调整端接电阻为100R时,A点的波形为图①,B点的波形都为图②, l2 T3 t) Q# w$ t# `2 E
想问一下
2 T$ A7 L+ d2 z& R1.调整端接电阻后,对于终端来说,波形是正常范围内了。但对于源端来说,在调整端接电阻前后,源端(A点)波形都是有过冲的情况的(实测),是不是说端接电阻仅仅只是调整终端所接收到的信号,对于源端并没改善
1 I( `) w% P% e2.还是测试结果有偏差$ w& S* v8 t0 C8 A
" Y, Q& y) b! P7 x
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 楼主| 发表于 2018-5-13 20:45 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-13 16:54
. E! F- _' u" j1 n% }4 u串联端接主要用于输出阻抗小于走线的特性阻抗的情况,这个电阻目的是增加了源端的输出阻抗,所以在图上电阻 ...
5 C# F: q% |6 U" u6 E* a- j1 O0 j
了解,我只是觉得说. L# v; J9 M7 h- e& r
1.电阻已经很靠近源端了,还是能测到电阻到源端信号的过冲现象,那是不是说,端接电阻不管怎么放置,源端到端接电阻一定还会有过冲的现象! i6 }# S* g. ?* G: h( i
2.端接电阻到源端的距离影响着这个过冲程度(假如端接电阻就在源端BGA底下,是不是说,源端到端接电阻这段信号的过冲会变得非常小?)4 K4 ?3 c4 I( U! {7 b
3.虽然源端到端接电阻这段信号确实不是特别重要,这个产品也在出货了,只是我个人想通过交流学习一下知识( M: B9 s# }* p; ^3 j' r. k
4.真的非常感谢每一位大神,每次在365上问问题都有挺多人来回答的,真的感谢) r% _. m/ P8 Q# w) r' F0 G

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发表于 2018-5-25 19:30 | 只看该作者
we167527 发表于 2018-5-23 19:291 \! D' b) ]+ |, ~5 t; [
末端端接意思是。像在地址线上那样并联一个上拉?还是在最末端像VTT那样?

% o* b8 g5 I% B- }; N应该末端像VTT那样,也最简单的方式也就是上下拉,阻值跟特征阻抗一样,单端和差分有点区别。但是直接上下拉会提升很多功耗,所以又有优化的版本,比如加电容的方式,而又因为输出IO一般驱动能力有限,这个电容容值很难选择。总之,对于单端信号的末端端接,基本上很少用,除非像DDR一样有个比较合适的VTT电源。
. ^+ T; n. x! \3 h

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发表于 2018-5-17 16:03 | 只看该作者
we167527 发表于 2018-5-17 10:17- g0 ~3 ~* n' k/ u! r6 l. k
那我有个问题!$ X3 R. s/ L' h1 m/ \
就是DDR的地址组/控制组的那些匹配电阻为啥是需要靠近DDR颗粒摆放呢?

" E' A8 M9 a: ^0 }1 V因为这些信号线是单向传输,另外你说的这些信号用的是并联端接(我说的端接靠近输出端指的是源端匹配),也就是传输线阻抗小于输入端阻抗,所以并联端接电阻会接收端的等效阻抗降低与走线阻抗匹配,综上,需要靠近颗粒端摆放。* y+ C" `: B. b) F
4 Y$ u( {: z* T3 ]' b; S7 s- w

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发表于 2018-7-6 18:26 | 只看该作者
你的测量没问题,具体为什么,推荐阅读于博士的信号完整性手记中第四章:信号的反射与端接。

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发表于 2018-6-27 14:29 | 只看该作者
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发表于 2018-5-23 19:29 | 只看该作者
ABCDJ 发表于 2018-5-22 11:53
* u! K) A; @: W2 I, K2 |! R1 v$ T端接有很多种形式,源端一般是串联电阻,末端一般是并联,末端端接效果比源端好但结构复杂、功耗大,各有各 ...
0 A( ]: \9 v4 S& _( S' \1 g0 t
末端端接意思是。像在地址线上那样并联一个上拉?还是在最末端像VTT那样?
2 S) @3 t6 I6 S3 M/ H

点评

应该末端像VTT那样,也最简单的方式也就是上下拉,阻值跟特征阻抗一样,单端和差分有点区别。但是直接上下拉会提升很多功耗,所以又有优化的版本,比如加电容的方式,而又因为输出IO一般驱动能力有限,这个电容容值  详情 回复 发表于 2018-5-25 19:30
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发表于 2018-5-23 19:27 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-17 16:03! P: @# b6 Y' ~6 n9 t+ u6 p8 Y
因为这些信号线是单向传输,另外你说的这些信号用的是并联端接(我说的端接靠近输出端指的是源端匹配), ...

9 D9 L8 S1 F9 P  W; k2 i6 ^/ |# Q如果地址线和控制线采用的是串联端接呢?应该放在何处?# A7 m0 J$ P5 E! ]
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发表于 2018-5-22 11:53 | 只看该作者
端接有很多种形式,源端一般是串联电阻,末端一般是并联,末端端接效果比源端好但结构复杂、功耗大,各有各的优势。但是对于高速信号和DDR等要求高的场合,都采用的是末端端接。

点评

末端端接意思是。像在地址线上那样并联一个上拉?还是在最末端像VTT那样?  详情 回复 发表于 2018-5-23 19:29

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发表于 2018-5-17 10:17 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-14 12:39* l8 @8 |2 ^6 n
是的,端接电阻都是建议尽可能靠近输出端的,所以现在有些高速的总线的端接都已经做到片上了。但是不管你 ...
- `. h6 _* |* W/ G5 p9 v. L" R( i
那我有个问题!6 ?+ `- _; V4 G7 E$ z
就是DDR的地址组/控制组的那些匹配电阻为啥是需要靠近DDR颗粒摆放呢?7 i/ w3 i9 F, j0 [: V# X5 d) \

点评

因为这些信号线是单向传输,另外你说的这些信号用的是并联端接(我说的端接靠近输出端指的是源端匹配),也就是传输线阻抗小于输入端阻抗,所以并联端接电阻会接收端的等效阻抗降低与走线阻抗匹配,综上,需要靠近颗  详情 回复 发表于 2018-5-17 16:03
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 楼主| 发表于 2018-5-14 22:42 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2018-5-14 12:39
5 n2 g0 `0 z% l2 I# K7 F5 E是的,端接电阻都是建议尽可能靠近输出端的,所以现在有些高速的总线的端接都已经做到片上了。但是不管你 ...
0 t; f8 b# w1 r7 ?4 N
嗯嗯,感谢7 r5 U5 f. L- R4 ]

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发表于 2018-5-14 12:39 | 只看该作者
Joen0_0 发表于 2018-5-13 20:450 Y7 v/ P1 y# I- t
了解,我只是觉得说
7 ?  V& H  ]0 L7 W) Y& t# D1.电阻已经很靠近源端了,还是能测到电阻到源端信号的过冲现象,那是不是说,端接电 ...
6 R8 }, m7 V! v7 |. B3 e
是的,端接电阻都是建议尽可能靠近输出端的,所以现在有些高速的总线的端接都已经做到片上了。但是不管你的端接电阻摆放的多么靠近输出,只要阻抗出现不连续,就会有反射存在。2 t; ?6 x. W) P7 |3 r3 {! g
5 L; j* e6 v# Y# ]2 h* o

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qiantan 发表于 2018-5-13 22:075 l5 b+ A, ]2 C( L9 Q# H9 ~' A
那请大神讲讲,是不是所有的端接都是靠近源端比较好呢?

! q  n% r& s) }9 M0 m9 C不是,看具体芯片具体引脚的
: k7 Z+ C' ]% N+ E% t5 z

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发表于 2018-5-13 22:07 | 只看该作者
那请大神讲讲,是不是所有的端接都是靠近源端比较好呢?

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 楼主| 发表于 2018-5-13 20:37 | 只看该作者
哈士奇的主人 发表于 2018-5-10 17:38
) d4 z1 |- b6 I! |+ G- q我们关心的是接收端的信号,接收端的信号质量好就行。这是pin to pin的走线吗?

. E; ]# }/ |7 w& o% `0 P是的,pin to pin
1 _* ?+ b& }% L1 N2 ^* H( ^5 y你这个问题倒启发了我,要是一对多的话,结果又是如何。。。/ {9 B4 W& V" D8 D
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