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标题: 大家有兴趣可以讨论以下为了防止静电，数字地与保护地之间增加什么合适！ [打印本页]
作者: 古莘    时间: 2017-11-27 19:12
标题: 大家有兴趣可以讨论以下为了防止静电，数字地与保护地之间增加什么合适！
大家有兴趣可以讨论以下为了防止静电，数字地与保护地之间增加什么合适？虽然是塑料壳，但视频口、USB、网口保护地连城了一小片，大概占到单板尺寸的1/20,单板面积140mmmm*100mm！增加2KV、1000pf的高压电容是否合适？请各位高手发表意见和见解！要过8KV接触放电，现在接口位置放电3次死机，4KV，接口放电不会死机会重启。1 w; s/ W: w/ a
作者: shihaidan    时间: 2017-11-28 12:53
本帖最后由 shihaidan 于 2017-11-29 11:41 编辑
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用1M的电阻和高压电容进行连接
作者: 古莘    时间: 2017-11-28 17:24
shihaidan 发表于 2017-11-28 12:53
) J/ y+ @0 h2 ]/ O4 D9 @) H用1M的电阻和高压电路进行连接

) V! {( R4 N3 e7 a, U1 v1M欧的电阻有这个想法，但高压电路能否细化，谢谢！; {$ F5 D6 v6 h. q- ?' C
作者: shihaidan    时间: 2017-11-29 11:40
本帖最后由 shihaidan 于 2017-11-29 12:00 编辑 , Z' u# [. N7 C5 X

2 \" x2 i# l, a3 m1 Z0 P; K不好意思打错字了，是用1M电阻和高压电容进行连接。 打静电重启，很多时候可能是芯片的复位脚受到了干扰，建议在复位信号上面加一下静电防护器件或者并个小容值的电容在复位信号上。
7 J6 X% c  T7 D# e1 p
作者: 古莘    时间: 2017-11-30 10:22
  谢谢答复！
作者: 古莘    时间: 2017-12-18 08:52
有些进展了，4KV现在打不死了！目标6KV接触放电打不死，我就改版了！



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