请高手帮忙解答

yangyuan · 发表于 2017-6-5 17:09

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如图中，VBUS前段Q1，Q2电路起什么作用，直接输入不就行了吗，为什么加这部分电路起什么作用

超級狗 · 发表于 2017-6-10 10:08

本帖最后由超級狗于 2017-6-10 10:09 编辑

yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
V/ K6 d0 {% |0 |, a6 Y1 ~感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗

ksvhxd · 发表于 2017-6-6 11:13

这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1，防止电池电流的倒灌。

yhg-cad · 发表于 2018-1-25 09:54

防倒灌的

xhy_hard · 发表于 2017-6-11 10:47

超級狗发表于 2017-6-10 10:08
SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通，2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
SI2312DS V[sub ...

用两个MOS管，是增加暖启动？不然一个PMOS管就能搞定了

xhy_hard · 发表于 2017-6-11 10:38

本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑

ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
2 G R( d4 Z) [: ]( @这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1 ...

yangyuan · 发表于 2017-6-8 19:21

HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14# i! Y9 F& E( ?& W( R- _
怎么说，提高MOS管的开关偏置电压好处的，1防止输入端有干扰电压（大于0.65）时，直接导MOS管导通，电池 ...

受教了。十分感谢！

HengliangYau · 发表于 2017-6-8 09:14

yangyuan 发表于 2017-6-6 17:435 f7 O3 T& \1 J% _4 F
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗

怎么说，提高MOS管的开关偏置电压好处的，1防止输入端有干扰电压（大于0.65）时，直接导MOS管导通，电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用，只有适配器电压建立了2.4V之后，整个充电电路才开始工作。Ps：聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间，低电压保护在2.7~2.9V之间。

yangyuan · 发表于 2017-6-6 17:43

ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
1 A! Q" d7 z; E) U+ \1 w. H8 w这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1 ...

感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗

松哥无敌 · 发表于 2017-6-6 10:01

强烈关注此问题

3637320230 · 发表于 2017-6-5 21:49

maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19# O- p: A8 M& j1 v- d1 ]# U% j, }
应该是保护和缓启动的作用。

具体分析下啊

maxnnw · 发表于 2017-6-5 17:19

应该是保护和缓启动的作用。

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