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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › DDR3的这些NC的到底要不要？
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DDR3的这些NC的到底要不要？

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Aubrey

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发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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6 f4 I. V/ H; F% c1 X
如图，参考的资料里面J1，J9，L1，L9，M7有两种不同的接法，问下这两种有什么区别？
' y* S5 x' P6 l4 V, x4 h1 [. |
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yzhfendou

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发表于 2017-4-4 13:41 | 只看该作者
学习了

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bingshuihuo

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发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11/ M* m) g8 Q5 d( P4 B
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需 ...

3 M" V2 q: u6 T. u. h/ s% R4 q  v一般是兼容设计预留用
( F+ t9 ~8 l7 d, I1 J

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WYL_GW

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发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
版主研究的好细致，学习了。

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超級狗

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发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16% h5 V4 b9 Z8 x  R
谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧

% a( P) v6 x) G# s多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代之。+ H8 I1 i7 `- h. M( d

: h+ r" g0 D; R3 r8 ^6 }兩個 4Gb 的顆粒，等於一個 8Gb 顆粒，算法上是沒錯，但要注意封裝的方式。* i$ T8 Y; ^/ t. J! s. ~
( k! P8 Y: ]7 w7 N) ^
  • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。（Data Bus 並接）
  • 有的則是共用同一個 CS，讓 Data Bus 增寬一倍。（CS 並接，例如 16 bit -> 32 bit）5 N  z' o, d9 m7 K1 Z" D; `, a
. Q$ y, K% z" C. B
  u6 M# `) k% e. r- e9 X
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
一般是兼容设计预留用

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Aubrey

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 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多 ...

    • 2 f/ y, A/ a( v! g9 e9 M4 n  Z谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
      X7 S- N2 S6 u' |! w

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    超級狗
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    Aubrey

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     楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
    myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51
    , o+ Z8 c3 t& F2 g$ A兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
    0 l, e2 M& g8 M$ I, o比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就 ...
    4 j7 l; V" v( o2 W+ ?  ~2 n
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分
    # S, R: l8 j& [) T' g0 H) g4 i  ^% v& Z$ x0 a6 [. q5 e+ E6 z
    Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 2) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 1) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 1) 2 Q, g& |. ^& D# U

    $ i  G$ i1 X( ~/ A* M
    ' Z. a' N! g9 t, V+ h; I" K/ ]
    & v% x% F, G% Y8 J1 \$ [! n1 u

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    bingshuihuo
    一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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    发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
    路过，顺便看下。

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    超級狗
    支持！: 5
    當心被流彈波及，有時候看熱鬧也會出事！^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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    超級狗

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    发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
    • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
    • A15 是為了加大容量預留的（多了一根地址線容量變大）。
    • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的，因為 Pin K9 也是 CKE0，推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。
      . U% I$ A- K+ r% k

    4 H$ U( Y. \) r5 R6 ?" y2 `$ l3 ?. {5 _' m
    . f6 [5 s5 _6 l! `( k

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    Aubrey
    谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16
    哈士奇是一種連主人都咬的爛狗！

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    WYL_GW

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    发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
    如果没看错是美光的颗粒，资料写的很清楚，不连，你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

    nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 0)

    nc.jpg

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    myiccdream

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    发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
    兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
    7 B# z( T3 y. K" \5 q" ^& l0 ]2 B比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就能用到了

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    Aubrey
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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