找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 133|回复: 0
打印 上一主题 下一主题

PMI芯片内部MOSFET 短路

[复制链接]

5

主题

122

帖子

117

积分

二级会员(20)

Rank: 2Rank: 2

积分
117
跳转到指定楼层
1#
发表于 2017-2-7 00:05 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路,又遇到类似的现象吗,PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些?
  e/ @, A9 }& {" j/ p# M! H 目前考虑的可能疑点和解决的办法:6 j2 U* m* n; M
* K' A3 B6 y' f$ w. B
  1.负载过大,热累计,瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏;
* Z; s$ i3 |5 n* ~+ a  2.PCB设计,旁路电容, 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS;6 v4 u7 T$ w, P7 M( X
  3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护,但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生,此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。
+ d1 z4 L# ~' k+ L+ {
( J) W& C: S) h, G; K$ j& Y* H9 O7 u4 ]8 O7 Q* m
   不知道哪位大侠有更高的解决办法,不胜感激
! e/ K3 Z: M" _5 f& v
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏 支持!支持! 反对!反对!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2024-11-27 06:36 , Processed in 0.051880 second(s), 33 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表