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DDR4地址线阻抗问题

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发表于 2016-9-21 14:38 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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4片DDR4串连,地址线如何控制阻抗,请大神帮帮忙
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发表于 2016-10-27 22:15 | 只看该作者
不同芯片厂家DDR阻抗是不一样的   以实际厂家layout guide 为准

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发表于 2016-10-9 14:09 | 只看该作者
这个要根据实际的芯片资料来吧,像INTEL一般会对每一类信号阻抗有特殊要求,也有一些芯片只要按单端50,差分100控制即可

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发表于 2016-9-29 17:28 | 只看该作者
没做过这么高端的路过../ h6 B0 J1 E. p, k1 r: k" x
不过单端 阻抗相差20ohm,基本参考同一个参考层就没法做了....就像做75ohm一样
又累又out...............

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发表于 2016-9-25 17:22 | 只看该作者
是不是和拓扑结构有关吧' E/ y: m: x+ |6 ?0 E

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发表于 2016-9-23 11:07 | 只看该作者
仁爱 发表于 2016-9-22 16:25# D, v8 u& M0 d" [; C' Y
为什么第一段和第三段为相同的40,不是第一段为60,第三段为40,或者第一段为40,第三段为60呢,时钟线为 ...

$ p9 f8 b  b0 a" R9 Q; S一般情况下,单线是50,差分式100,你明确这个吗??# r5 O0 S8 t' B  Q3 E3 h) c$ o% ?

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 楼主| 发表于 2016-9-22 16:25 | 只看该作者
本帖最后由 仁爱 于 2016-9-22 16:26 编辑 , C" O+ y4 f" l- n
980155498cai 发表于 2016-9-22 10:41& y$ _( M) X5 Y1 S; @
不是单纯的单端50,从控制器第一片开始地址线两端的单线控制40欧姆,时钟85欧姆,中间控制单线50欧姆,差分 ...
6 Y$ Z/ X2 z( M8 E: K7 M' }1 u* r
为什么第一段和第三段为相同的40,不是第一段为60,第三段为40,或者第一段为40,第三段为60呢,时钟线为什么是85,而差分线是100,地址线中的差分线不就是时钟线吗
7 I" F6 q+ c! k* ?

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一般情况下,单线是50,差分式100,你明确这个吗??  详情 回复 发表于 2016-9-23 11:07

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发表于 2016-9-22 10:41 | 只看该作者
不是单纯的单端50,从控制器第一片开始地址线两端的单线控制40欧姆,时钟85欧姆,中间控制单线50欧姆,差分100欧姆;等长要求:+/-10mil最佳

点评

为什么第一段和第三段为相同的40,不是第一段为60,第三段为40,或者第一段为40,第三段为60呢  详情 回复 发表于 2016-9-22 16:25

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发表于 2016-9-21 16:30 | 只看该作者
你看是不是单端阻抗50欧姆  看看规格书
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