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如图所示滤波电容。

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发表于 2015-11-9 09:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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一般芯片推荐滤波电容都是1UF1NF级别的并在芯片电源端口,如我画的这个图,四层板,电源端口在芯片边缘,芯片在顶层,滤波电容在地层,最后芯片中间肯定我要画一大块地的,请问像我这样可以么?还有这种情况最好的处理办法是什么?我也看过JIMMY的书,但是那种电容滤波都是最理想的情况下。很多板基本都不能达到多打孔。
  c3 I, q5 x1 o# ]/ G还有就是假如电容命名为1,2,然后1,2是并联的,我是把1的电源端打一个过孔到电源层,然后在2的电源端打一个到电源层,然后还是1连到2然后在过孔练到芯片?# q0 j+ t( g5 I8 `* W

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发表于 2015-11-10 18:43 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2015-11-10 07:29 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-11-9 16:06
9 j- }. B* X+ U* G# r1 从芯片出来的电源线与封装的焊盘同宽,尽量短的打孔到第三层。然后从孔走20mil以上的线宽(BOTTOM层)尽 ...
/ P$ Z$ Q3 s8 u' y
谢谢

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发表于 2015-11-9 16:06 | 只看该作者
1 从芯片出来的电源线与封装的焊盘同宽,尽量短的打孔到第三层。然后从孔走20mil以上的线宽(BOTTOM层)尽量短到滤波电容。  v* v- z% y& v0 Q4 Z1 v3 }9 @0 s
2 晶体下面的不需要隔离。% n; r7 l+ s  s# J7 Z$ o) X9 A4 o
3 你的泪滴太丑了。把那个CURVED点上。

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谢谢  详情 回复 发表于 2015-11-10 07:29

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发表于 2015-11-9 14:36 | 只看该作者
杨悦兮 发表于 2015-11-9 09:31
+ N5 r* |: n% }* a还有个问题四层板,3层为POWER ,晶振下面的POWER那里不需要隔离出来吧,就是一整个电源层。

& E/ q- Y. `+ o0 {不用# y1 P$ s! o" Z; c
听党指挥,能打胜仗,作风优良

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发表于 2015-11-9 10:25 | 只看该作者
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 楼主| 发表于 2015-11-9 09:31 | 只看该作者
还有个问题四层板,3层为POWER ,晶振下面的POWER那里不需要隔离出来吧,就是一整个电源层。

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不用  详情 回复 发表于 2015-11-9 14:36
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