MOS管里面的保护二极管和普通的肖特基二极管有什么区别？

a2418089

我用MOS管里面的保护二极管反向过一个电池电压，为什么降的电压几乎没有，而用肖特基二极管不管电流多大都会有0.3V左右压降？请各位高手指教一下。谢谢

超級狗

( w: u! ~1 X" q5 z; H( d/ C7 b! @
, m5 F- b3 z# P3 N& OBGATE Pin Description
' z' Q" A' c/ ?External Discharge MOSFET Gate Connection – BGATE drives an external P-Channel MOSFET to provide a very low-resistance discharge path. Connect BGATE to the gate of the external MOSFET. BGATE is low during high impedance mode and when no input is connected.

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/ q* v6 |3 g, p- M, \9 g

cedzbj

超级狗真的是个硬件神仙

超級狗

lfc1203 发表于 2015-9-23 17:44
, m. I5 u1 J- J  o$ T6 s( d  h上拉电阻一般选择多少，电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长，

因為小弟大部分的應用是沒電時要導通，所以 PMOS + Pull-Down 的設計較多。

! ?! w: v. `2 z' L: O9 [樓主講的問題沒有完整電路也不好判斷，MOS 管三個管腳間本來就會有寄生電容，您的問題是否純粹是寄生電容引起的，還要仔細分析才能確認。

* h6 ]$ f) U* \4 s但好奇的是，這樣的經驗曾經引起什麼樣的問題？
; S$ K0 L0 C# ]+ i' Y& a
: X; m* N4 ?; \' B2 u

a2418089

超級狗 发表于 2015-9-23 17:26
批莫死（PMOS）閘極（Gate）懸空（Floating）一般為低電平，莫死（MOS）管是導通的狀態。
8 T  \' E6 C& }% K
4 o# m5 T/ |7 _: ^6 K  Z3 F輸入管腳電路 ...

栅极悬空是存在杂波容易干扰的问题，再次感谢版主的解惑了。
+ Z3 i- ?! \8 n! ^- V( s

lfc1203

超級狗 发表于 2015-9-23 17:26
, x/ H1 N7 a% p9 r# j批莫死（PMOS）閘極（Gate）懸空（Floating）一般為低電平，莫死（MOS）管是導通的狀態。

. \3 r% [3 m: i輸入管腳電路 ...

+ O% t" o) m$ e8 y9 W* y上拉电阻一般选择多少，电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长，

超級狗

前爛公司某個爛機種，並聯肖特基二極管（Schottky Diode）的作法！

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超級狗

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批莫死（PMOS）閘極（Gate）懸空（Floating）一般為低電平，莫死（MOS）管是導通的狀態。
/ s$ N6 R  q) x7 b" N& K5 e) r" u
輸入管腳電路設計上都不建議懸空（Floating），因為容易受到雜訊干擾，而產生錯誤的狀態，上拉或下拉電阻是必需的。
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凡是二極管都會有壓降，不管是哪種二極管；即便是莫死（MOS）導通，也會有導通電阻（R_DS(ON) ）這回事。有人並聯一個肖特基二極管（Schottky Diode），以減少體二極管（Body Diode）的影響，這是最簡單的作法。

: E5 L! k5 C& i1 _. R看過踢哀（TI）某些充電芯片的作法，是用兩個批莫死（PMOS）管，分別管制兩個方向的電流。但成本會較高，電路也會稍微複雜些。

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a2418089

a2418089 发表于 2015-9-23 16:49
谢谢版主了，我刚才测试了一下，在PMOS管栅极接高电平的时候，测Vds为0.6V左右，在PMOS管不接高电平的时 ...

这是原理图
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a2418089

超級狗 发表于 2015-9-21 16:10MOS 管中的體二極管（Body Diode），芯片資料中若沒有特別註明，就是一般的二極管（課本常說順向會有  ...

$ b( r+ O- L- C3 D谢谢版主了，我刚才测试了一下，在PMOS管栅极接高电平的时候，测Vds为0.6V左右，在PMOS管不接高电平的时候Vds为0V。我这边需电池电压过一个二极管但是不降压，在PMOS管栅极悬空时，用PMOS管的体二极管可以吗？
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jacky_shen

多谢分享

超級狗

7 j1 E! b7 M. O' W

• MOS 管中的體二極管（Body Diode），芯片資料中若沒有特別註明，就是一般的二極管（課本常說順向會有 0.7V 壓降那種）。
• 體二極管（Body Diode）必須在 MOS 管關閉（Off）狀態下，才量得到它的壓降（V_F）。
• 正因為 MOS 的體二極管（Body Diode）通常壓降較大、且反應較慢，所以市面上有販售一種 MOS 管加肖特基二極管（Schottky Diode）的特殊封裝，請參見附圖！
  

* V1 [4 \: a+ g5 _7 r7 |* _

fallen

"我用MOS管里面的保护二极管反向过一个电池电压"这个能具体点么，有点看不懂，如果有图的话，那就更好了。
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