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[Ansys仿真] HFSS中PCB仿真求解类型及其端口激励如何设置?

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发表于 2015-5-2 16:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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在HFSS中对PCB在某个位置添加信号源,然后算一算板子上的电磁场分布,以及在某个端口上的电压大小请问:1、Solution Type应该选哪个比较好? / V& W" }( [, V% X+ j' W4 M8 p; Q" `
           2、再添加电压源激励的时候应该如何添加?我应该在板子上的IGBT处添加源
" F6 H9 C+ c: q0 V! W- d6 W
0 R( g# m7 S- t( I% _# H% i- U
/ Q" X2 c6 S6 O. _4 u" O9 t% e5 V8 b

QQ图片20150502163408.png (25.69 KB, 下载次数: 0)

因Altium导入一直是错的,所以自己画了一个

因Altium导入一直是错的,所以自己画了一个
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 楼主| 发表于 2015-5-8 09:37 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-5-6 21:52
) M( V& J. T0 {$ uport 进入的是一个temp波  那么你的电场就得有起始和终止,两个导体是必不可少的。检查lumped port是不是接 ...

6 N# c5 u  y5 i; ^; B( [# w谢谢

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发表于 2015-5-6 21:52 | 只看该作者
port 进入的是一个temp波  那么你的电场就得有起始和终止,两个导体是必不可少的。检查lumped port是不是接触到了两个独立的导体。, K; _* y" T2 |/ S2 O4 Z% ]7 X
从激励的模角度来讲,wave port和lumped是一样的,只不过wave port只能接触于PEC或者ABC边界,wave port也是可以加在内部的,只不过要通过加PEC缝合。至于你看不了场分布,那是因为你激励没加好,或者plot的surface或者object没对。* k3 S+ N+ @: x2 H9 Z- ^3 f; r( k

/ s. u1 N7 W, c% `4 r

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EMI
谢谢  详情 回复 发表于 2015-5-8 09:37
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 楼主| 发表于 2015-5-6 21:17 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-5-4 09:05
5 X) M7 U  w) {5 l! k8 {7 G" y! q光靠HFss不够,要ansys designer+hfss协同,ansys designer中添加与实际情况相同的瞬态激励源,HFss做s mod ...

; r5 T0 Z) A' r: Y+ {: J! _/ [# m7 jPort refinement, process hf3d: '1' conductors touch lumped port '1', typically a lumped port contains 2 conductors.  Please verify conducting boundaries and objects are correctly assigned and touch the port.  If a Radiation boundary touches the port and it is desired for use during the port solution, select 'Use Radiation Boundary on Ports' under the Advanced tab in the Solution Setup. 这是仿真中出现的,我添加的lump端口,就像看一下板子的电磁场分布情况,可是板子上器件啥的都没有分布情况,只有过孔处有点淡蓝色分布,这是怎么回事?
. K# {9 V& O8 f, Q这个lump端口不是可以在内部添加么,我添加之后板子仿真就出错了,请问这个lump端口的添加还需要注意啥?* \' @* g( U- |+ ~/ e! s
哦对了,我添加wave端口就看不了场分布,那个操作树种E Field下的Mag_E1这个是灰白的点不了。" N* L9 [% S9 M9 `5 t
问的有点多,希望大家多多参与,谢谢。4 q6 R% O5 I# u" W- F5 `

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 楼主| 发表于 2015-5-6 20:59 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-5-3 21:32
7 _( ]+ U# f: O$ b, h% g$ r$ S请参考http://eda365.com/thread-66787-1-1.html
7 @, B* E8 A6 [3 |9 V# G3 J" a
谢谢

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发表于 2015-5-4 13:56 | 只看该作者
好,好,好

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发表于 2015-5-4 09:05 | 只看该作者
光靠HFss不够,要ansys designer+hfss协同,ansys designer中添加与实际情况相同的瞬态激励源,HFss做s model,反向由designer中push excitation.( x6 H# V- b2 ]6 R: W- U# A
当然只想看电磁密度分配,直接用wave port或者lumped port做完扫一下far field就可以了。
9 ?- \! n" v; m1 E0 Z" g0 p/ e

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EMI
Port refinement, process hf3d: '1' conductors touch lumped port '1', typically a lumped port contains 2 conductors. Please verify conducting boundaries and objects are correctly assigned and touch th  详情 回复 发表于 2015-5-6 21:17
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-5-3 21:32 | 只看该作者

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谢谢  详情 回复 发表于 2015-5-6 20:59

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 楼主| 发表于 2015-5-2 16:40 | 只看该作者
请大家多多帮忙,谢谢
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