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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!  \' m# ?- M8 z6 I

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
- o: C$ l; Z9 c5 `1 b* F1 Y7 M& u' w8 d% Z& t
频率和带宽巨大提升 6 P* ~5 p$ E, M2 S6 U+ l
使用Bank Group架构
+ o+ i+ a" C" w/ V! `4 N
  t+ |! `% t# u% x! r/ m( A$ }
0 ~3 h# y0 u: p5 D" l
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

3 O" y% H, X1 ]) V  g
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
6 O9 \$ T* \1 r2 R: n  X

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 # s  w' F. T  K

5 u  W- l  {0 h5 L: H8 pNO 6 关于DDR4的电压
, y( N% n3 a# u/ T
2 S7 L4 I' \9 o" M' sDDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。& ?$ G* p$ i3 m6 T) ?) [, Q4 D
% y( i  ~- _2 G: n( R/ ~& D
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.# \/ p3 U5 t. p1 I  w
1 a! b: O  l  X
移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
5 ?& l, k6 T) {# J; O
- ?4 O& @0 J/ h
0 {+ Z+ C( Y8 G; S8 ~) T
, H8 s2 v7 f% ]; c3 \

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装7 L5 u+ v2 s) c3 a( y

2 Y5 S" x+ n/ n# s: ]5 F/ R

, ]" Y, n5 l0 Q+ R9 u. W! JDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。3 _, ?! _9 h3 T2 C$ ~
举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
# N. H3 g9 G  b0 N, v
7 v- [: Z6 Z. w9 t5 w3 I- ~

5 E$ e8 s* S; j+ G , `3 ]2 }3 |; U0 \. x
               3DS堆叠封装技术3 B. O; M8 Y! a$ ]. U+ A# P  H

$ y$ X5 g0 L: @

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2 [6 o9 \+ V. |% C- O# r4 {
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7 F# r# e% p  m0 h. F- y$ U

) U" j/ S$ \, c: c" O% t( f* P' F- D; g% }' I0 ]' P
; j! i) t6 W9 _3 j; K+ Q, A

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写这个贴当年还花了不少精力,别沉了

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学习了。

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这个好,感谢分享,之前一直做DDR3的

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