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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!
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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑 7 `5 N' x( n" w9 _

3 u0 ~6 u( c6 z. V4 ?4 ~频率和带宽巨大提升
9 l! j1 T: Y& p使用Bank Group架构
4 H6 s# M7 b1 j ( b4 H2 D/ u  [  w6 n+ t6 ^1 O

  ~/ D: a7 A  G* U: K% B
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
  S5 i" }# w1 k' x, z1 W" {
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
2 Y, S% D% `. ]' ?) u% h  Q: d

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 $ H4 v6 N" V; j1 X1 B$ s* L

* \" s2 h# d6 n( A2 d4 KNO 6 关于DDR4的电压3 r+ |* L4 T5 E$ c
, {* E, K* }1 s9 d( C
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
6 q2 W$ h  D. B8 X$ }3 G! C4 r) G" [; R0 C+ @' ]3 {
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
- w7 w6 p% }: D0 L# T* ^3 u1 Y5 {4 E" ^. n+ b
移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。* j, v6 f- L. e9 e; [

3 p# o& w2 {! n: D8 p1 ^  l% ^# u" |+ U  k3 F% C  X( m

4 [( s3 n6 @' G, y' T5 D

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
1 c. U9 I9 A& {. Y) w; f) r# R& ?( A4 {/ {0 T

5 C( r$ K* R. c% EDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
% l  a1 H4 s+ E举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。6 K3 b  g' P4 C; V, q
- G8 t. ~! P7 \7 y/ b" e8 R
! e( }. Q; d" t& W; r7 C: W
7 o' V! J; c5 s6 W
               3DS堆叠封装技术
4 A* W& r+ X4 N0 x6 {' u5 [0 B
9 |" s/ n" w1 \3 J2 K  N

6 v  Z9 c8 F( ~3 `7 G
5 H% |5 C5 I% F5 U' u3 f8 V2 {9 t$ U
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$ z: f, {9 [; p) Y1 g) E- K$ N

# m0 ]  [( b8 X  _
; S+ L- u9 C" G
4 E) _6 i- T! a. L3 \

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写这个贴当年还花了不少精力,别沉了

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学习了。

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这个好,感谢分享,之前一直做DDR3的

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