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DDR的datasheet上,有一些参数有AC150和AC175的区别,请问下这2个有什么区别啊?

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发表于 2015-3-11 15:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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DDR的datasheet上,有一些参数有AC150和AC175的区别,、
) |" m: E5 g8 u  L3 ~
( {0 f1 w+ o/ Y7 V$ ^请问下这AC150和AC175有什么区别啊?8 G$ x+ g9 t. ^4 S& @! M
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发表于 2018-1-3 14:08 | 只看该作者
学习了学习了
' D0 v) B. s' J0 O' `
这个家伙很懒,从来不写个人签名。

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发表于 2018-1-3 11:55 | 只看该作者
学习了
这个家伙很懒,从来不写个人签名。

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发表于 2017-12-20 17:12 | 只看该作者
学习了

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发表于 2015-3-17 15:03 | 只看该作者
AC150和AC175原来是这个意思啊。

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发表于 2015-3-12 18:02 | 只看该作者
鲨鱼版主解释的太透彻了,又长知识了

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 楼主| 发表于 2015-3-12 16:36 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-11 16:14
4 n7 J  n+ ]" {- {$ D- E* v3 uJedec在刚开始定义Threshold时,DDR3-800/1066Mbps是AC175,后来在定义DDR3-1333/1600时AC阈值定为AC150。
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4 [+ U. B5 R2 _( u多谢版主,现在搞明白了。  m5 ]+ t* _; I' S# U

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发表于 2015-3-11 16:14 | 只看该作者
Jedec在刚开始定义Threshold时,DDR3-800/1066Mbps是AC175,后来在定义DDR3-1333/1600时AC阈值定为AC150。
+ y4 v& `* ?% E: S- V/ S! B为了统一AC150和AC175,后来改版时给DDR3-800/1066也增加了AC150的Threshold。两者在本质上是一样的,因为tIS在AC150时比AC175做了更多的预留,ADD/CMD信号是多负载的,在负载很多时信号会达不到AC175,在这种情况下可以应用AC150,但在tIS上需要更多的补偿。
2 J8 R; J& U4 E6 W, v% J$ {
; ]0 \$ N2 V+ |3 O# {4 R 所以在使用上的話,也就沒规范说是使用AC150还是AC175,换句话说,你爱用哪个用哪个。: i! n0 L, x3 E' y! K! J/ F

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多谢版主,现在搞明白了。  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:36

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 楼主| 发表于 2015-3-11 16:06 | 只看该作者

+ p1 u5 u+ Q- E% L/ O
) r3 {" j3 L, I; @就像这个,做时序分析不知道用那一个。。7 E2 R( R% R( u# V+ s; M  U5 N

$ t4 V0 A8 E, Z$ a# m& x, s$ {! D

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发表于 2015-3-11 15:06 | 只看该作者
门限值,具体在本版找类似的帖子。关于DDR的。
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