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高速信号SATA、PCIE、USB3.0等差分线串接0.1uf电容问题

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发表于 2015-3-6 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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  大侠们and高手们,小弟新手,近来看了一些公司前辈设计,有一点不明,在一些高速信号线,如SATA、PCIE、USB3.0等这些差分数据线上都穿有一个0.1uf的电容,请问这具体是何用意?是隔直,防止CPU与芯片间直流电平的互相影响?难道是为了信号质量?如果不接会出现怎样的现象或者潜在风险?这个电容的取值有讲究吗?电容放置的位置是否都是在驱动端(有看到说是有做匹配作用,放置终端的)?问题有点多,哈哈哈,望不吝赐教啊
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发表于 2015-4-28 09:22 | 只看该作者
1.高速线上的0.1uf的电容是交流耦合电容,只要是交流耦合必须要的,否则就是直流耦合了。
& ~1 P- Q! u7 s2.关于0.1uf电容的选择。不是仅仅选择0.1uf这个值而已,电容选择的大小要看高速信号的频率(ex1G  10G 25G),也要看是否其需要传输低频信号(长0  长1的那种)。  根据具体情况会有不同。  但是为i什么我们一般都是选择0.1uf的电容呢? 因为这个值基本可以满足大多数到10G的应用。     ; ^0 c8 n& ^5 _1 i# }0 W
3.不是选择了此0.1UF的电容就完事了。电容的封装设计也非常重要。 电容的封装一般选择越小越好,常用0201的。目的是减小电容处瞬态阻抗偏低。 故会在电容处的焊盘特殊处理。 电容的ESR ESL(特别重要)尽量小。

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发表于 2015-3-7 22:54 来自手机 | 只看该作者
myeda_365 发表于 2015-3-6 17:267 n. L0 |4 F$ S/ N5 W
不是AC电容不是已经隔直了吗?提供正确的直流偏置是什么意思

; Q0 r- r6 d2 ~) ~# C* |Sink端的直流偏置电压和source端的直流偏置电压不一样,故要采用ac电容耦合信号。
6 U  F* Z* W6 O* q5 M' n7 F  k5 G

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发表于 2015-4-29 07:14 | 只看该作者
若华110 发表于 2015-4-28 09:226 u* b( S& U) j8 @" M3 C) i, m
1.高速线上的0.1uf的电容是交流耦合电容,只要是交流耦合必须要的,否则就是直流耦合了。2 c  ]6 l% j+ P" [. W* [
2.关于0.1uf电容 ...
& K( _2 u4 |% w: W% N
若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:* J' l$ K4 U2 `# M5 C, \
' X* x3 r1 X  m0 p4 v
1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹配),如果靠近接收端放,相同的反射系数下,信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放,使用ADS仿真也可以发现放在接收端眼图质量要好。另外,在信号传输过程中,也可能串扰进去一些直流分量,导致接收出问题,所以对于高速差分信号(要求交流)一般加入耦合电容。耦合电容容值标准上有要求,太大太小都不好。
" M; J+ B* j; V) W1 M
& U9 _: Z- |$ z( g

9 O& v3 h& @/ L# D4 S0 t/ K2、在SATA信号传输的过程中会有衰减,传的距离越长衰减会越厉害,所以会给他一个载波(也就是直流分量),在进入IC或都SATAdevice后再用串电容的方法把直流分量滤掉,这样做会有比较好的信号质量。也就是隔直作用。& c9 C( R, N1 i

6 @& T$ X' l( Y0 c# I

& @4 d5 E$ V4 U3 b9 {8 U3、PCIE放在发送端是协议规定的, 记得放在近端TX是给detector 做充电检测device用的。( i/ C5 X# P& a

- x- L) i' w# S: D& p: z: B3 ^
3 s4 @1 \! x+ B, x
4 e* w0 y& g/ F3 t' b9 T: J" }
" u" E1 |8 \4 M

: X8 S3 v( N7 Y, ^+ U$ y& I2 ^

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发表于 2018-4-4 17:35 | 只看该作者
不错,学习了!
对酒当歌,人生几何?
譬如朝露,去日苦多。

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发表于 2016-4-27 11:17 | 只看该作者
分析得好透彻

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发表于 2015-9-10 09:57 | 只看该作者
学习了,讨论得很好

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发表于 2015-6-23 13:43 | 只看该作者
学习咯~赞!

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发表于 2015-6-18 11:34 | 只看该作者
若华110 发表于 2015-4-28 09:22
% X9 }4 @* n. o2 A$ i1.高速线上的0.1uf的电容是交流耦合电容,只要是交流耦合必须要的,否则就是直流耦合了。+ v& g9 j, l; s! G
2.关于0.1uf电容 ...
! ]7 Q5 t: i* J! s$ H  d
又学习了!!!!!/ n; P9 ?( N8 V- n" z' X

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发表于 2015-6-17 18:46 | 只看该作者
对于耦合电容的作用、位置大家都讨论的比较清晰了。关于电容值得确定,在某段连续全"1"的数据传输过程中,输出端电平会有一定的衰减,并且在再次跳转到“0”的过程中,跳转点比正常情况提前了(dalte t)。为了保证信号的完整,使得dalte t最小。推导过程省略,cmin=7.8*num*tc/r 得到最小值,由于容值越大esl 和esr越大,以及考虑电容本身的谐振频率。经验值在0.01u到1u之间。

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发表于 2015-5-2 14:53 | 只看该作者
学习了,MARK下 ,以后查询!!!

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 楼主| 发表于 2015-4-29 09:19 | 只看该作者
jianguozoe 发表于 2015-4-29 07:179 x) G  _5 V' ]' Q
若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:  1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹 ...
9 H" X. q( P8 R) k& {  ^1 o
补充的很好啊,对电容放置位置的原因阐述的很详细,就是最后一点,PCIE的不是很明白。能否再说明下啊,谢谢!!
! O# D/ \, S* s% n/ J" N总得来说,加电容是交流耦合作用,防止收发系统电平不同造成通信问题;容值大小频率有关;封装尽量小,是阻抗尽量连续;放置在接收端(PCIE协议要求)反射能量较小。感谢各位大神赐教啊,一人说一点就完整了
0 n# f! a/ `- J

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发表于 2015-4-29 07:17 | 只看该作者
若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:  1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹配),如果靠近接收端放,相同的反射系数下,信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放,使用ADS仿真也可以发现放在接收端眼图质量要好。另外,在信号传输过程中,也可能串扰进去一些直流分量,导致接收出问题,所以对于高速差分信号(要求交流)一般加入耦合电容。耦合电容容值标准上有要求,太大太小都不好。   2、在SATA信号传输的过程中会有衰减,传的距离越长衰减会越厉害,所以会给他一个载波(也就是直流分量),在进入IC或都SATAdevice后再用串电容的方法把直流分量滤掉,这样做会有比较好的信号质量。也就是隔直作用,所以放在接收端。   3、PCIE放在发送端是协议规定的, 记得放在近端TX是给detector 做充电检测device用的。

点评

补充的很好啊,对电容放置位置的原因阐述的很详细,就是最后一点,PCIE的不是很明白。能否再说明下啊,谢谢!! 总得来说,加电容是交流耦合作用,防止收发系统电平不同造成通信问题;容值大小频率有关;封装尽量小  详情 回复 发表于 2015-4-29 09:19

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学习啦阿拉阿拉阿拉阿拉:lol:lol
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