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[仿真讨论] 手算简单电路的S参数

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发表于 2015-2-5 15:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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x
哪位大哥能帮忙手算一下这个电路的S参数或着给一个计算思路,两个端口的阻抗都是50欧姆,只需计算250MHZ这一点的就可以了。, \9 T8 q+ A3 ~3 g
说用仿真软件计算的就不用回了
" W, A* A3 c& S. Z我有一些心得,但不是很清晰,谢谢
' J9 u. e' m8 I. X! k* R- M. S( n: c! K# J* O
% B: ^0 r. Q+ B) e7 J- F

s参数计算.png (6.36 KB, 下载次数: 2)

s参数计算.png
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发表于 2015-3-17 15:36 | 只看该作者
JOBS 发表于 2015-3-17 15:065 b) V! Q: C+ z) J6 X. {, _
这么多工具,为什么要手算呢??
; `& `. P( b" t) v8 K, Z
手算可以提高自己对S参数的认知,以后仿真软件出错,一眼就能望出来。+ {( D; b# F8 m1 F

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发表于 2015-3-17 15:06 | 只看该作者
这么多工具,为什么要手算呢??

点评

手算可以提高自己对S参数的认知,以后仿真软件出错,一眼就能望出来。  详情 回复 发表于 2015-3-17 15:36

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发表于 2015-2-12 08:07 | 只看该作者
你仿真用的电容是测试出来的。, x- k' ]8 [% c- I# }" T
当然,厂商在设计MLCC时,也是类似的multi-layer结构,也是以此方式计算。7 @; j1 \0 [9 ?! U8 l$ F) ]
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-2-11 19:57 | 只看该作者
问一下,我们PI仿真时用的电容S参数也是这样计算出来的吗?谢了

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发表于 2015-2-5 16:42 | 只看该作者
本帖最后由 cousins 于 2015-2-5 16:44 编辑
; X: y( _! Z" j* U
. Q9 r5 c9 n) L, D详细计算我就不写了,写写思路:
: W0 y4 a- ^. ?' M5 ~首先延时要转换成电气长度,这主要和频率,电气长度有关系9 X+ u% g6 G8 D4 Z* B2 x
75ohms传输线处的端口算出Zin2,ZL为Port2内阻4 N% Q0 ]# `4 V3 w
Zin1作为25ohms传输线的ZL再算port1的Zin1 由Zin1和Port1内阻算出S11
* a( l* v  C, v( C# {/ N' H- i同理反推S221 g9 S! N8 p! N* k1 k
$ A( T7 R3 j; m' s: h; Z
Zin=Z0*(ZL+i*Z0*tan(theta))/*(Z0+i*ZL*tan(theta))8 l, e" ^0 T, G% N
, l+ z( e7 ^( |' C2 ?- {. t0 P/ ?
dB(S21)=dB(sqrt(1-S11^2))-ConductorLoss-DielectricLoss
9 {2 z5 E* Z. K4 V) t' j
3 e' O- X/ k* e, VConductorLoss=4.343*esr*(0.637*tan-1(1.4*(surface roughness/delta)^2))/Z0
' K! _2 _2 |9 W% [* i7 C2 n5 _+ L9 y; d! |3 B
dielectricloss=4.343*omega*loss tangent/v- A3 e4 r9 [2 Q# @4 z6 |9 }

$ S5 h% Y# L4 G9 y/ N4 B# o' wesr为电阻,delta为趋附厚度,oemga为2*pi*f,v为电磁波传输速度& T7 K0 }5 ~1 z# X1 Z
7 a' w1 j, w( u
有损条件下需要算反对数运算,运算量有点大。; V# C- V: |, R; e& c; C

3 ~1 c, J7 L2 a$ [, R无损条件下,Conductor和Dielectric损耗为0,S21=sqrt(1-S11^2)( Y" L6 Z8 f- L% \. ]6 k
反过来求S12也是同样道理.
2 @7 Y, P8 K# M# M9 J' M, L
新年伊始,稳中求胜
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