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[仿真讨论] 手算简单电路的S参数

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发表于 2015-2-5 15:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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x
哪位大哥能帮忙手算一下这个电路的S参数或着给一个计算思路,两个端口的阻抗都是50欧姆,只需计算250MHZ这一点的就可以了。' i7 t! f* m4 B4 l9 |7 E- m
说用仿真软件计算的就不用回了
1 B: T" [7 I; ~- e! b( l- f1 Y我有一些心得,但不是很清晰,谢谢% B  O! N" V; y0 D9 Q6 d& Z

: Z7 m6 z5 M' M. ^* k& J* P
& G) X6 p; [) I' k( I* r! R5 k8 Y

s参数计算.png (6.36 KB, 下载次数: 2)

s参数计算.png
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发表于 2015-3-17 15:36 | 只看该作者
JOBS 发表于 2015-3-17 15:06
& }% F' f- }; S. a, \6 ~这么多工具,为什么要手算呢??
. l) f/ M: W7 c; H1 `
手算可以提高自己对S参数的认知,以后仿真软件出错,一眼就能望出来。, f6 Q& x. G; T2 A

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发表于 2015-3-17 15:06 | 只看该作者
这么多工具,为什么要手算呢??

点评

手算可以提高自己对S参数的认知,以后仿真软件出错,一眼就能望出来。  详情 回复 发表于 2015-3-17 15:36

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发表于 2015-2-12 08:07 | 只看该作者
你仿真用的电容是测试出来的。! t3 t! k; ]. w% t2 c
当然,厂商在设计MLCC时,也是类似的multi-layer结构,也是以此方式计算。0 b! o/ \9 A% e, n" \: V
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-2-11 19:57 | 只看该作者
问一下,我们PI仿真时用的电容S参数也是这样计算出来的吗?谢了

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发表于 2015-2-5 16:42 | 只看该作者
本帖最后由 cousins 于 2015-2-5 16:44 编辑
0 N% M* I2 Z' i  h. P
/ V+ t4 b4 r2 g: \详细计算我就不写了,写写思路:
& q# w$ g. H/ M8 K) j3 o5 q) C首先延时要转换成电气长度,这主要和频率,电气长度有关系) x' J! c1 l* f+ y
75ohms传输线处的端口算出Zin2,ZL为Port2内阻
1 u/ u9 Y% C8 d) g+ ~% @4 NZin1作为25ohms传输线的ZL再算port1的Zin1 由Zin1和Port1内阻算出S11
- N1 z& E" L( Q& @& k同理反推S22
1 W& J, l' c5 x. m" K7 s+ U; S% d4 [4 _
Zin=Z0*(ZL+i*Z0*tan(theta))/*(Z0+i*ZL*tan(theta)), w! B5 W5 ^0 ^' R- l

& w. u1 p- }$ @4 |6 bdB(S21)=dB(sqrt(1-S11^2))-ConductorLoss-DielectricLoss7 C1 n! v. Y0 c6 a: d; e

( `! t0 \" z& m& a, ~% t( gConductorLoss=4.343*esr*(0.637*tan-1(1.4*(surface roughness/delta)^2))/Z0. b! X# B) |, C9 X
* E) n$ l7 R7 c( Q/ z
dielectricloss=4.343*omega*loss tangent/v4 l* n$ |4 e1 t" s& O
5 t# k; T4 @) r# `, e/ ~5 J
esr为电阻,delta为趋附厚度,oemga为2*pi*f,v为电磁波传输速度4 I3 ^. i& C; B" m5 D2 C3 B, z( {
: Z0 e; q9 ^# _  M
有损条件下需要算反对数运算,运算量有点大。
( j9 T, {, A6 z4 ^% Q' U
: F1 j/ u9 A& V( _# s" A1 C无损条件下,Conductor和Dielectric损耗为0,S21=sqrt(1-S11^2)
1 g: @( I6 X; C) y4 d反过来求S12也是同样道理.
- Q9 _; g$ F2 N& n8 H! U
新年伊始,稳中求胜
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