电路中有MOS管该如何去分析？

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0 c8 G; L' N% y2 z  h/ _3 ^- o% lMOS管在电源电路中常在，导通与关闭只要去对比G脚与S脚电压就可以了。P沟通UG小于US，N沟通UG大于US。还有个就是VDS值与ID值要考虑下，还有的其它些分析我就不知道了，求大是指教下MOS管电路分析思路。

fallen

废话不多说，来点干货吧，生产不了干货，只是干货的搬运工，
5 v! _# C; v; Q

myeda_365

一般情况下耐压越高，导通内阻越大。这个就和MOS的制作工艺有关系了，为了保证足够大的漏源击穿电压Vds，需要有高电阻率外延层，这会使MOS的导通电阻增大。
. y% U: S# o" {( }# C! S根据选择的拓扑选择合适的MOS管及吸收电路，再保证高端Vds不超的情况下，尽量选择耐压低的管子，耐压高的管子一般会很贵，品种单一没有耐压低的可选性多，而且效率不好提升。耐压相同的管子一般情况下，导通内阻越小价格越高，根据自己的实际使用，在性价比中尽量折中。
      栅源电压Vgs的选择对导通电阻也有影响，电压越高导通越好，导通程度越好，内阻越小，但随着栅源电压Vgs的升高，开关速度会降低，还有可能导致栅源电压Vgs击穿，器件失效。栅源电压越低，导通越差，内阻越大，效率越低。所以建议大家选取栅源电压Vgs为10V-18V之间。
. X/ D! D# s' j2 P: |9 G) a        MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。电容充电时，充电电流比较大。
& V$ r# s& u6 P; T# J- X, ^       做好散热，导通内阻随着温度的升高而增大，所以要把热设计搞好，温升尽量的低，效率尽量的高。
-----------------别人的。我只是搬运工。哈哈

kevin890505

这个不好说，看你怎么用了，常见的典型应用就是其工作在开关和放大状态（屁话），开关和放大均根据具体情况，起码可以根据速度分下，那么起码就是4种了。大致情况：
1 i* u! }0 l& s! _8 ]- ]! ?1 ^1，电源开关，比如上电缓冲了，开关合路了，或者就是做一个开关了什么的，说白了都是开关，就是导线，最关注的就是在你当前应用环境下的rds，这个值和封装热阻从根本上决定了能过的最大电流Id，不要看到一个MOS写10A，那就用来过10A，起码看看RDS，看看热阻，看看10A时候发热，看看你的应用环境是否允许这些东西。然后就是适应你环境的VDS,VGS什么的。
2，高频开关，典型就是DCDC了，这个就没什么说了一堆资料，除了第一条的东西，还要关注的就是开关速度，也就是寄生电容什么的，随便找个DCDC资料都有说。
3，一般的放大状态，比如电子负载，这个和第二个差不多，虽然是放大，但也没什么太高要求，最主要考虑的应该就是热设计和速度方面的了
4，就是信号放大了，这个个人没太接触过ORZ。
: t3 e5 C( P' d) T- O自己临时想的，可能没考虑全，仅供参考
' R+ ?+ X( H! C* b

yhg-cad

fallen 发表于 2015-1-31 21:48
* @; }1 y0 ?4 l" @3 r3 H: O3 u" f废话不多说，来点干货吧，生产不了干货，只是干货的搬运工，

不错的资料

bingshuihuo

大自然的搬运工

heai5588

支持一下，手上也有资料，但是公司网络无法上传~

Flyingboy

rkk84926

向干货的搬运工致敬

jjh4724136

5 f4 t5 j4 [- C" E) T6 h感谢几位搬运工的无私。

pyuanwei

致敬!!!!!

lihu_njut

干货，学习一下

xhnumber1

学习学习了

sys_suweixiao

ganhuo

lize314

大自然的搬运工

fallen

MOSFET应用电路，喜欢的就下载一下吧。

887799

致敬。