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发表于 2014-9-29 17:01 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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发表于 2014-12-5 10:04 | 只看该作者
你要看你是做什么产品的
; K: S9 w$ K2 l* j工业级,军事级的才可能满足你3W的要求,大部分民用的消费级产品很少有满足3W的。
, ?* X" D$ I* m3 Q8 w' E/ D4 x' F+ U' v第九条要放在ddr颗粒stub前。. p. N. y5 u) E; k9 Z' w
第二条25mil太夸张了,虽然很多design guide上是要求这样,但是即使你25mil等长了,未必你的延时就真的是这样,这和你路径上的过孔,拐角,蛇形绕线都有一定的关系,所以我的建议是100mil以内。$ n9 E. X2 V* l4 Y7 {
cmd/addr/ctrl不必那么严格,有write leveling帮忙调shift to ck,所以你控制在300mil以内就可以了。; |0 n4 K) g8 J- k' ?
vref做屏蔽这种事,有很多公司都这么做,我是没干过,也没见有SI问题。3 [+ R2 P1 N  N( W# i  m
其他都还是可以的。7 A1 C+ C; [" s4 w$ b3 t
fly-by拓补的每个颗粒clk对应的颗粒内的DQS约束即可,不用全部等长。write leveling是个好东西。
# e- q9 A1 l4 v+ {# P2 l* m2 Q1 Q. `1 Z0 w) C
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发表于 2014-12-5 09:00 | 只看该作者
ggbingjie 发表于 2014-12-5 08:549 ]  }2 J8 G" ~( O% b9 y* ~* u6 z
我想问下,数据组与数据组之间有没有时序方面的要求?
  o& _: x6 ^7 x- L  s8 j
没有直接的要求,通常是组内DQ-DQS* l/ D* ^* U( q8 V2 ~6 i
但是由于DQS与CK有时序要求,所以间接的要求还是有的,每一根线等长是最笨但是较为有效的做法,但是未必是时序裕度最大的设计,通常芯片内部还会有bump到die的线长,那未必是等长的,何况还有封装引起的上升沿变化使得相位偏移,所以,还是用模型仿真确定需要多少。通常300mil以内就能满足基本的时序要求。$ K5 R+ K; Y: g9 r1 Q9 H9 E$ H) I

4 a4 L$ j4 @; a$ m9 F' \
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发表于 2014-12-4 15:00 | 只看该作者
zhanglin880126 发表于 2014-10-24 11:59  s' `4 L) o2 i! G6 p; k) Y
同问3楼的,一直想知道电感腹部的覆铜是否要割掉?原因是什么?楼主给我们讲解一下啊,不甚感激
9 k' b. T7 ], q5 n, w) s8 h9 x
通俗点来讲,电感底部的地或者其他信号线会在电感间并上一个小的等效电容,使得有效电感值出现偏移。
- O5 K: Y& A( q3 ]3 }1 l- V& [" O# w/ i: ]+ Q' O+ V
所以建议电感下部不要走任何其他网络线,包括地。) v1 ]5 w# ]! Q3 j

" ?* f" t3 Q' B/ r
# G: `$ g) S- G( j0 W
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发表于 2018-6-18 23:03 | 只看该作者
谢谢分享

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发表于 2018-1-13 13:41 | 只看该作者
very good!
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发表于 2018-1-10 23:04 | 只看该作者
谢谢!

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发表于 2017-12-29 21:08 | 只看该作者
感谢分享- E* ?/ V/ V# Z1 r5 y

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发表于 2017-12-20 11:07 | 只看该作者
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发表于 2017-12-10 20:58 | 只看该作者
包括原理图和PCB吗

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发表于 2017-12-7 22:18 | 只看该作者
谢谢分享

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发表于 2017-12-7 17:15 | 只看该作者
感谢楼主分享。
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发表于 2017-12-6 15:20 | 只看该作者
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发表于 2017-12-4 12:34 | 只看该作者
看样不错的
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发表于 2017-12-3 18:05 | 只看该作者
参考一下

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发表于 2017-11-28 19:31 | 只看该作者
不错!!!!!!!!!!!
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