寻找发热小的LDO

rroyye · 发表于 2014-8-24 09:11

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做了一个产品，1.8V电压用的LDO（ME6211C18MG,SOT23-5）得到的。输入电压5V。 1.8V电压的电流180mA左右，现在发热和严重，可能达到60到70度的温度。有没有好点的，发热小的LDO推荐,谢谢。

北漂的木木 · 发表于 2014-8-26 09:44

zhanglaoye 发表于 2014-8-25 19:18- Y$ D! |; t: {( x
根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正 ...

根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正常……
绿色字体，你说的很对，红色字体，说的不合理。
如果输入端的电源是稳定的，那么，LDO输入大于输出最小差值再留0.2V余量即可。例如：ASM1117-1.8，输入2.5V就可以稳定输出1.8V。

zhanglaoye · 发表于 2014-8-25 19:18

根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正常工作。还有画板时留一块铜皮，双面打孔，孔不要盖油，以增加表面积和通风，加强散热。找发热低的LDO没用，都那架构，谁也不比谁好。还有过孔不盖油散热好些但是抗氧化电腐蚀差了很多，这是个双选的问题。

bingshuihuo · 发表于 2014-8-26 11:34

本帖最后由 bingshuihuo 于 2014-8-26 14:11 编辑

北漂的木木发表于 2014-8-26 09:44
" Y+ G! \. c9 O+ p. B! A% g根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能 ...

LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能。。。。

这个我想应该是这样理解吧
规格书上有明确的曲线图

rroyye · 发表于 2016-4-10 16:42

fallen 发表于 2014-8-24 12:10
' P" Q2 Z$ k0 c" i M5 v$ K' o7 R伪命题，（5-1.8）×0.18×热阻（140度/W）=80度

谢谢版主指导。

rroyye · 发表于 2014-10-10 12:39

风吹摇摆发表于 2014-8-27 11:40& K( F" {- u6 `6 N
ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

是的，封装和压降限制了

rroyye · 发表于 2014-10-10 12:37

gaochengmcu 发表于 2014-10-10 08:31
5 I. `* \5 V$ u. E/ A换封装，输入端加个功率电阻

是的，要换封装

gaochengmcu · 发表于 2014-10-10 08:31

换封装，输入端加个功率电阻

zhanglaoye · 发表于 2014-9-28 17:35

rroyye 发表于 2014-9-27 12:37
& d, N& P8 G# X, S# |碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

开玩笑呢，贵又大。压降1V多

rroyye · 发表于 2014-9-27 12:37

zhanglaoye 发表于 2014-9-1 00:30
3 p! M' X4 B* V有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都 ...

碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

ych634227759 · 发表于 2014-9-26 20:51

压降太大啦！

zhanglaoye · 发表于 2014-9-1 00:30

有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都要增加地方。

rroyye · 发表于 2014-8-31 12:52

zhanglaoye 发表于 2014-8-25 19:18+ J1 {# g- D) G( g# f
根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正 ...

串两三个二极管降了1点多伏的电源，电源稳定性可靠吗？还需要考虑些什么不稳定性的因素。有没有一个肖特基二级管降一点多伏的

kaichen · 发表于 2014-8-28 21:59

你在LDO输入端之前串个功率电阻，保证输出正常，分担部分功耗在电阻上

rroyye · 发表于 2014-8-28 13:45

风吹摇摆发表于 2014-8-27 11:40
5 ^+ A _! F& x5 ~6 x3 tME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

谢谢，提示。

风吹摇摆 · 发表于 2014-8-27 11:40

ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

bingshuihuo · 发表于 2014-8-27 10:28

seawolf1939 发表于 2014-8-26 10:04
R- `$ L9 p9 G6 j R, N不同的封装，有一个对应的热阻

上面的封装热阻在那里可以查的到啊，谢谢！！！

zhanglaoye · 发表于 2014-8-26 23:12

北漂的木木发表于 2014-8-26 09:44
; f. F, u3 }6 J4 e, D# V9 W+ Y根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能 ...

有很长时间没用LDO,数据有失误，是的它们最小压差0.2V左右即可，谢谢指正！

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