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IC封装电性仿真优化的方向

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发表于 2014-3-6 21:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 pjh02032121 于 2014-5-7 16:45 编辑
' Z2 J& S0 C" K  l" ~: x
1 p+ h* u0 ]% j  H9 R' j; l) J# l/ b/ M市场的需求,推动技术进步,数据传输的速率越来越高,尤其是光传输技术的发展,光模块也做的越来越小,使得光通信技术慢慢从网络产品过度到桌面产品上来。
) ^, `. p( a. \5 N4 N/ [动辄十几~几十Gbps的传输速率,给SI设计带来挑战。以前不需要关注的芯片封装,现在也必须考虑进来。
' A. d+ ~( Z, A0 Y  P参考:
: O( M+ t. w: u6 c8 _https://www.eda365.com/thread-55226-1-1.html
+ p6 a! i, p& {. N& x! hhttps://www.eda365.com/thread-48362-1-1.html& @* o3 S6 @( w/ }! m
https://www.eda365.com/thread-78287-1-1.html6 ]* x  X9 Z/ j
7 A. [# M, c; P, K2 E4 B
电性优化的目的,本质上来说就是最大提升传输效率,减少传输损耗。
, Z- N4 n$ j& C1 S- T封装是芯片到PCB的过渡,这里的信号传输路径处处存在着不连续(如下图),优化这些不连续点使其保持电性上的连续性,就是封装SI优化的目的。
) C3 r$ z3 r' b# H
* v1 ~: V' j) F8 a$ c* S) C8 b/ q: J  r5 l9 R% M7 t5 Q
优化的方向在哪里?我们从上图的结构上一个一个的来。
/ Q* [0 M* H2 v: H+ @" G' @先阅读一下这个帖子,不知哪为大牛所写,非常经典。帖子中提到的,本帖不在赘述。
5 F% U$ \+ U- [8 X: I- O$ n2 c==>>https://www.eda365.com/thread-96268-1-1.html- h/ M4 u- Z6 a% j, {
' L7 p  _5 Z9 O; d. L8 Q
结构:
- ?" d9 Z, S3 O$ ^" r% e5 s, L芯片pad:
0 Z! I) ^# E/ p1. 信号/地间距
# {8 q* u) Z0 Q- m3 K2. 信号地分配方式
' H  B  H" i" N9 ~( b# X芯片pad与bonding wire的位置一一对应,pad的位置、信号分配方式决定了bonding wire的位置、分配,这对信号的传输影响。
/ g: ]- |8 o8 i  R1 W7 H7 H
  \, ~3 B" w( eBond wire:% h3 r/ [; n% W* l
1. 打线长度
+ d7 l4 Q0 [2 i2. 打线线型7 `  ~( l% [. f! F& a/ T
3. 金线线径
9 S# p. u0 @+ y. u+ b3 u0 V% e3. 打线数量
  L" V  h' L( D% v% W4. 金线阻抗匹配/ w8 Z% \8 K; l5 F; [2 |
下图是从芯片上的50ohm的cpw打金线到基板50ohm微带,对比bonding wire的线型、打线数量对传输特性的影响,结论自己去总结。. u2 O" A3 T3 m( U$ M
; v$ X6 s4 k5 p6 r
$ O: Q0 N- a& O
接下来对比,对金线进行阻抗匹配前后,传输特性的对比,这个影响有点大。0 j" S9 h. x2 w& L6 |- W3 U0 F  G! Q
8 R1 M! H$ }  \
- Z4 a6 S# A$ z1 s, F7 T- Q1 [& u
. Q$ p% [! w6 b$ r3 d

  Q0 x5 x/ _3 J+ b) m* |9 d; z- Y过孔:
# T8 i5 h4 j( c7 s2 c5 h& D1. 孔大小
9 k% G+ k6 ]' q) h2. 孔壁厚度
8 D- P) G7 u+ w8 x) M3. 孔pad大小
4 w; r1 c" k, u  E* F& |4. 孔anti-pad大小
3 W# n& q" f% b- y5. 地孔的数量、距离等0 Y4 Z6 Q. k4 T; z2 k. c/ _% C
不多说了,有人做了PCB过孔的研究,基板上雷同。
- K( r/ i( ^+ S( L+ \8 L$ [请参考:5 F0 X7 `3 x. K' T: U
8-WA2_Paper_Vias_structural_Details_and_their_.pdf (2.3 MB, 下载次数: 15542)
; e0 R% Z0 p& `5 I, S) t7 S* ~5 w: q2 W& Uhttps://www.eda365.com/thread-90238-1-1.html
  P0 }, t' U# b9 r1 }https://www.eda365.com/thread-77031-1-1.html1 s0 Q( Z7 Y+ Z. f4 m1 f7 C
https://www.eda365.com/thread-77010-1-1.html) V* E# }% d0 {9 K, ~8 s# t( ?5 G* A
: ?1 \+ `: a7 a/ X
) c# n/ A' Y7 ~' T
Substrate+PCB界面:; [. @+ U( ^* J1 |8 E
1. Solder ball大小
" z( W+ s0 E5 T  C& H4 N3 R2. Solder ball高度
; \& L1 N+ `1 j; _0 g3. Solder ball间距) R1 G6 X, p! h# K. k9 g
4. Solder ball S/P/G配置
$ W& R" f: W: K9 ]# N4. Solder ball焊盘(Substrate + PCB)
: S+ d; ~& b2 I/ C% m& D下图,4+2+4的BGA基板,互连到PCB。对基板和PCB的焊盘阻抗金线优化(2)和降低Solder Ball的高度(3)对传输特性影响,结论自己总结。/ c* [; a& e4 j# Y8 @0 O& N: H

' o4 ^6 f5 u& [* [( j- s7 a * W. r9 ?5 b$ R+ a6 |

% C2 O2 M6 L- }( u' w工艺:
" _% Y1 j, F1 g* @+ G表面处理工艺,蚀刻工艺,影响比较复杂。$ q% @$ [  {4 d. i
简单参考:" V* O1 z! T' P7 `
https://www.eda365.com/thread-83331-1-1.html: f. c+ @! R, T5 W) J, R
http://bbs.rfeda.cn/read-htm-tid-84397.html4 b: j" [; l2 h
6-WA4_Paper_EM_Modeling_of_Board_Surface_.pdf (942.48 KB, 下载次数: 85) & z1 k1 C  M5 [) ~8 A0 n
: S9 ?/ n0 }% Q4 k+ A. `
材料:3 i: k7 K: S: I; E' F( w+ b
1.  Substrate + PCB;6 S; t0 g! r7 A5 Y; W
2.  Mold compound;
* b" X  @4 X" U7 s" W: I基板板材,PCB板材,有机材料都有很多低损耗的材料可供选择,高端的可用陶瓷材料LTCC、HTCC等。
5 I3 N+ c) A2 L( r; {6 l7 wmolding compound低损耗的不多,高频的一般不用,多为真空封装或充惰性气体保护。

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IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-5-21 20:42 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-21 10:478 C% ~  K2 j; [  j/ o
很好的一个帖子,学习了很受益,对高速封装有了一个全面的认识。想请教一下版主两个问题:1、金线阻抗匹配 ...
$ S0 i8 S' p6 s7 ]) e9 {1 X" K
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。
, U" w' i& e. `  X. V% h7 Q2 b3 g1 V
S/P/G的配置比例与位置(与信号速度相关),主要是考虑SI和PI,DesignCon2013有paper专门讨论这个问题的,你可以找找看。
: ?! |7 H# [1 W$ f

点评

你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!  详情 回复 发表于 2015-5-22 09:59
IC封装设计

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发表于 2015-6-3 11:18 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-22 09:59* G& ~2 D' [3 U8 ~9 z) U
你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!

3 R. ]1 q$ J2 u$ L+ D你好:$ U0 T/ g" ^, M* Q* U9 O
徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和长度?
: J; M' w- j) v! o( [) O/ v; g7 F. d

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发表于 2015-5-22 09:59 | 只看该作者
pjh02032121 发表于 2015-5-21 20:42% ~% q5 H- l/ G' ?
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。 ...

  ^% t: k$ j8 R8 O; y你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱872780754@qq.com,谢谢啦!

点评

你好: 徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和  详情 回复 发表于 2015-6-3 11:18

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发表于 2014-3-9 10:52 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2014-7-18 13:16 | 只看该作者
您好,能请教下bondwire部分这个阻抗优化的机理吗?) v' b' Y9 h; J2 r" |4 r! c

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发表于 2014-7-28 10:31 | 只看该作者
有没有封装的EMC/EMI 这方面仿真的?

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发表于 2014-8-19 11:07 | 只看该作者
这个太给力了

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楼主太给力了,点赞

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发表于 2015-2-13 11:03 | 只看该作者
给力~

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发表于 2015-2-13 11:04 | 只看该作者
我也想知道对金线进行阻抗匹配的原理~哪位大师指点下?

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发表于 2015-3-13 08:57 | 只看该作者
不是一般给力

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发表于 2015-3-19 14:15 | 只看该作者
专业的给出封装研究方向

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