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IC封装电性仿真优化的方向

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发表于 2014-3-6 21:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2014-5-7 16:45 编辑 * {* x5 Y" s- s# k0 O: L
9 }7 }3 R! P8 B) m5 G
市场的需求,推动技术进步,数据传输的速率越来越高,尤其是光传输技术的发展,光模块也做的越来越小,使得光通信技术慢慢从网络产品过度到桌面产品上来。
4 G5 J$ o- f( d% Y8 G动辄十几~几十Gbps的传输速率,给SI设计带来挑战。以前不需要关注的芯片封装,现在也必须考虑进来。$ ^5 P  e3 {2 b$ n4 ?
参考:) h* q: Z9 Y5 H, Z6 V
https://www.eda365.com/thread-55226-1-1.html$ `; s# j+ I0 d4 G7 s) X
https://www.eda365.com/thread-48362-1-1.html# c1 |* z1 m" W8 ^
https://www.eda365.com/thread-78287-1-1.html2 T* z; j2 s6 L9 E

( l* ^, m& ?$ K" p/ y: A8 P, f- _! Z电性优化的目的,本质上来说就是最大提升传输效率,减少传输损耗。* g3 r) N, a* q, A2 k* u
封装是芯片到PCB的过渡,这里的信号传输路径处处存在着不连续(如下图),优化这些不连续点使其保持电性上的连续性,就是封装SI优化的目的。* a- w1 u, j2 x1 k

' `% D/ E0 o" l  K5 U3 d$ k# G: W- p
优化的方向在哪里?我们从上图的结构上一个一个的来。! i0 [* Y' m0 y$ ]# x% s8 G
先阅读一下这个帖子,不知哪为大牛所写,非常经典。帖子中提到的,本帖不在赘述。
. ^7 R9 m  o' C+ G! ^% {3 V==>>https://www.eda365.com/thread-96268-1-1.html
+ B7 }: t* w1 |" i
) G. f% V( |5 B2 Z3 U0 L) [0 B1 a- K结构:
  u5 L+ A7 W+ l( b* M芯片pad:
7 k7 V+ d! Z' N. r  V( \1. 信号/地间距0 W) ]0 ^% \/ r
2. 信号地分配方式* e- j( H' v+ T$ J
芯片pad与bonding wire的位置一一对应,pad的位置、信号分配方式决定了bonding wire的位置、分配,这对信号的传输影响。# h% f* t0 f! k2 ]
- r4 @+ ~8 s, V. X0 F4 h
Bond wire:( \; ^8 ^0 B  f) h2 Q; t& [" q4 t
1. 打线长度
: Y' y) s) C8 z7 E  X8 J2. 打线线型
( U+ o# ^5 w( J3. 金线线径+ Z: a7 B( c% ]3 U7 X0 U* |
3. 打线数量6 K" T3 V  @. F, ^8 @; l5 `
4. 金线阻抗匹配, b6 z& C# v. T( D7 i% ]+ ]( [% u
下图是从芯片上的50ohm的cpw打金线到基板50ohm微带,对比bonding wire的线型、打线数量对传输特性的影响,结论自己去总结。' E. l; p6 G' [1 Q/ E
  ^6 w2 q7 ~0 }$ e
  f$ A. Y: B/ `. u, |& h/ @/ q
接下来对比,对金线进行阻抗匹配前后,传输特性的对比,这个影响有点大。8 b4 p" m9 H; L" z/ n+ f. A

# R" D6 ~; S  y8 I 8 q% `' Q: ?" c" C* U3 n3 C; H
9 k2 U' T% r. q

+ K' {7 C  A- S9 F1 @过孔:
4 s& W. }* N/ I% ]4 {1. 孔大小
# m! }6 j" j8 L" V& N# H& G. f2. 孔壁厚度) s- n% r" n: _9 w. n; F0 p3 E
3. 孔pad大小% R0 A# Z8 K+ v; Z  [+ W8 h+ P; j; I
4. 孔anti-pad大小
! q4 j! \6 m0 M( t3 S4 ^5. 地孔的数量、距离等0 `' C7 [- E# P
不多说了,有人做了PCB过孔的研究,基板上雷同。
9 x# ?6 g+ H+ L  b  U- J0 ^7 ?请参考:
  f3 h! ^+ y$ d( r 8-WA2_Paper_Vias_structural_Details_and_their_.pdf (2.3 MB, 下载次数: 15542)
  N4 l7 f8 I  r( v4 Bhttps://www.eda365.com/thread-90238-1-1.html
7 p# ]+ L3 x! ]+ w! j7 {$ J; d- ?2 whttps://www.eda365.com/thread-77031-1-1.html$ G/ |/ k2 ]7 t$ i
https://www.eda365.com/thread-77010-1-1.html
& d2 J$ \$ I) v9 n& a) Q- A6 s. M! v2 U- b
" y4 U# M3 G% {, R
Substrate+PCB界面:
- |6 w( S, z: e$ o. Y3 j7 i0 b& M* ?( \1. Solder ball大小
# _( |  I0 A( L7 y5 v1 O2 P% n: O2. Solder ball高度
" d3 g  K  ]- Q$ h' q0 G3. Solder ball间距2 f4 ~% K. R. z5 C5 j0 p5 U8 _
4. Solder ball S/P/G配置: s( \9 z( v; K" R; o5 d3 e/ a0 A
4. Solder ball焊盘(Substrate + PCB)
* i, k7 {5 ]+ _9 K" i下图,4+2+4的BGA基板,互连到PCB。对基板和PCB的焊盘阻抗金线优化(2)和降低Solder Ball的高度(3)对传输特性影响,结论自己总结。* x# m9 W3 B* `% J4 x/ r! }

* f1 ?+ `& [  [8 F1 y0 t 5 o8 q% N- t0 X7 ^1 x

) |" [: P* ~/ l( u工艺:. K( w- W" b% f2 {
表面处理工艺,蚀刻工艺,影响比较复杂。  D7 G7 }% |2 W7 \; J; W6 m
简单参考:, a* }) [# m4 r$ |4 \$ P# f" R/ u
https://www.eda365.com/thread-83331-1-1.html
- h% H7 x% e6 \' `. ?: Qhttp://bbs.rfeda.cn/read-htm-tid-84397.html
$ G  P$ \0 F. Y, L2 [$ B. h 6-WA4_Paper_EM_Modeling_of_Board_Surface_.pdf (942.48 KB, 下载次数: 85) * F8 `7 h1 ^1 R; W- \$ Q6 G
) s) ?6 c0 a* I4 m5 e, V/ Y2 e
材料:  i: B2 }* |. t3 s; ]+ Z* n
1.  Substrate + PCB;/ L' a6 [+ Q: }+ d, e
2.  Mold compound;
- p) h  F4 k0 f) b. u7 j, W0 D基板板材,PCB板材,有机材料都有很多低损耗的材料可供选择,高端的可用陶瓷材料LTCC、HTCC等。- h( }: M0 D) V% O7 f- d* q
molding compound低损耗的不多,高频的一般不用,多为真空封装或充惰性气体保护。

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IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-5-21 20:42 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-21 10:47* G7 D- v. v5 ]8 o5 w5 w
很好的一个帖子,学习了很受益,对高速封装有了一个全面的认识。想请教一下版主两个问题:1、金线阻抗匹配 ...

6 i( L' \6 k1 K. P& e2 H9 `射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。9 V- [, h& h; J9 Z. O: q( ~
* a" v' N& t  n; ?* D
S/P/G的配置比例与位置(与信号速度相关),主要是考虑SI和PI,DesignCon2013有paper专门讨论这个问题的,你可以找找看。
6 x1 Z$ O1 e7 y2 C. D/ V

点评

你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!  详情 回复 发表于 2015-5-22 09:59
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bufengsui 发表于 2015-5-22 09:59
8 _0 |7 _0 h, B4 i7 W你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!
( N# f" _% M# Q3 t
你好:% W# [& F# H. t0 }: T; C2 h2 N* R
徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和长度?
' b6 q# o* ~2 z/ z" h

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发表于 2015-5-22 09:59 | 只看该作者
pjh02032121 发表于 2015-5-21 20:42- g; o; r! s$ P% w$ H+ S2 Y
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。 ...
5 X6 e) N6 T2 @- O: |: K% D) O9 U
你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱872780754@qq.com,谢谢啦!

点评

你好: 徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和  详情 回复 发表于 2015-6-3 11:18

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发表于 2014-3-9 10:52 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2014-7-18 13:16 | 只看该作者
您好,能请教下bondwire部分这个阻抗优化的机理吗?  F* G# ^+ y' P/ w

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发表于 2014-7-28 10:31 | 只看该作者
有没有封装的EMC/EMI 这方面仿真的?

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发表于 2014-8-19 11:07 | 只看该作者
这个太给力了

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楼主太给力了,点赞

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发表于 2015-2-13 11:03 | 只看该作者
给力~

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发表于 2015-2-13 11:04 | 只看该作者
我也想知道对金线进行阻抗匹配的原理~哪位大师指点下?

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发表于 2015-3-13 08:57 | 只看该作者
不是一般给力

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发表于 2015-3-19 14:15 | 只看该作者
专业的给出封装研究方向

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