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去耦电容和旁路电容的区别

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发表于 2010-5-21 09:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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旁路电容不是理论概念,而是一个经常使用的实用方法,在50 -- 60年代,这个词也就有它特有的含义,现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置的,就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压,为了在一个直流电源下工作,就在阴极对地串接一个电阻,利用板流形成阴极的对地正电位,而栅极直流接地,这种偏置技术叫做“自偏”,但是对(交流)信号而言,这同时又是一个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联一个足够大的点容,这就叫旁路电容。后来也有的资料把它引申使用于类似情况。2 p! [' C9 D/ l) O( p2 R
  去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于 10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取 0.01μF。
# M! t  I- a* E% P4 ~" h3 o' F, w  一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号通过较好,而对高频信号,表现出较强的电感性,阻抗较大,同时,大电容还可以起到局部电荷池的作用,可以减少局部的干扰通过电源耦合出去;容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,可以为高频干扰信号提供一条旁路,减少外界对该局部的耦合干扰, \1 U/ v, y  u5 g0 Y0 P0 P2 C. `
  旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除;去藕是为保正输出端的稳定输出(主要是针对器件的工作)而设的“小水塘”,在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作;补充一点就是所谓的藕合:是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件
: w- M" C) ~# r6 Q* Z% b  有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
, Y' x5 w2 j: c   从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。
5 m* u' ~! {* R+ u, H) H  去耦电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。, p" U8 k' s( U1 V% a" |1 X8 Z
  旁路电容实际也是去耦合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是 0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。
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发表于 2011-9-5 10:17 | 只看该作者
不断学习

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发表于 2011-9-7 09:04 | 只看该作者
谢谢楼主分享,在设计电路的过程中,很多理所当然的事情往往有很深的道理,不断学习

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发表于 2011-9-14 22:59 | 只看该作者
要是有原理性的计算就更好了,感觉平时做事很少应用理论模型来计算,大多时候看不透

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发表于 2011-12-2 17:26 | 只看该作者
学习啦

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发表于 2011-12-18 13:13 | 只看该作者
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发表于 2013-9-1 09:56 | 只看该作者
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发表于 2013-9-2 17:13 | 只看该作者
很形象生动的解释

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发表于 2013-9-4 23:11 | 只看该作者
学习学习。。

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发表于 2013-9-5 10:07 | 只看该作者
感谢LZ分享

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发表于 2013-9-5 14:12 | 只看该作者
好贴,谢谢分享

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发表于 2013-10-28 21:00 | 只看该作者
谢谢
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