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关于SD卡电路设计:上拉电阻使用的是51K还是10K?

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发表于 2013-2-3 00:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 chenlinfeng88 于 2013-2-3 00:01 编辑
4 Q" I1 f4 K; B) _! S0 X& n9 ~& K; ]! E% O1 [7 C3 a
如下图的SD卡接口电路,有如下问题:/ c3 c' {% M1 t$ y6 y
1、最近发现SD卡接口电路中使用的上拉电阻有些方案使用的是51K,有些方案使用的10K,那么上拉电阻到底是10K,还是51K?有没有SD卡设计规范文件?9 V, E$ F. P9 @6 v5 ?+ H
2、还有SD卡接口电路中的TVS管有没有必要加?不加损坏主芯片的可能性有多大?+ b, u3 b, W1 u) U% |# `
3、dat0~dat3、cmd、clk线上的匹配电阻有没有必要加?$ s8 C- |' I' o

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发表于 2013-2-3 07:15 | 只看该作者
首先,上拉电阻的大小,看你的上拉电压和速度。如果是我的话,3.3V我喜欢加稍强一点的上拉10K或4.7K,如果要控制功耗很严格的话加大点也可。TVS,如果外部经常插拔 的话加上安全一点,另外在看看芯片内部有加没有。个人意见,仅供参考

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发表于 2013-2-3 15:33 | 只看该作者
芯片一般都会有一定上拉,这个可以不加;至于匹配电阻,最好在clk串个电阻。

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发表于 2013-2-4 09:01 | 只看该作者
上拉电阻 建议选用10K的,9 r' E- _+ x& @6 m8 a: t
dat0~dat3、cmd、线上的匹配电阻主要参考datasheet,有的话就加,没有可以不加。; ~6 M3 Z# O2 i2 ~7 D
clk的频率是多少,如果频率比较低,不足以产生信号完整性问题,则不需要加匹配电阻,不过主要还是要参考datasheet
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发表于 2013-2-5 16:58 | 只看该作者
上拉电阻跟芯片输出的驱动强度有关系,并不是固定的。驱动强度高,信号上升沿陡,可以用大的上拉电阻;驱动强度弱,信号上升沿平缓,可以用小的上拉电阻;

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发表于 2013-2-5 17:06 | 只看该作者
学习一下,其实现在DATASHEET 中参考设计说明也不是很多。

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发表于 2013-2-5 17:19 | 只看该作者
lxizj 发表于 2013-2-5 16:58
$ p4 R/ W/ Q, f6 o% z上拉电阻跟芯片输出的驱动强度有关系,并不是固定的。驱动强度高,信号上升沿陡,可以用大的上拉电阻;驱动 ...
! R, \( l2 k9 k( t( U4 N
请问你的意思是,我需要上升沿陡就加大电阻?

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发表于 2013-2-5 17:24 | 只看该作者
学习学习!!

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发表于 2013-2-6 04:59 | 只看该作者
具体设计时,要参考(芯片)手册推荐电路如何处理的。但实际上很多时候对上下拉电阻的大小并没有那么严格的定义,如果你经常拆山寨机器的话,你会发现他们把能省的全部都省了。。。我就见过山寨的DV机上的SD卡电路,是没有上拉电阻的。。。。

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发表于 2013-2-6 08:43 | 只看该作者
上拉会影响发到速度,根据需求定参。

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发表于 2013-2-18 10:21 | 只看该作者
所有的数据和命令线必须上拉,才能保证空闲时是高电平状态,这个是协议要求的。

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发表于 2013-2-18 14:55 | 只看该作者
一般是上拉10K电阻

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发表于 2013-2-19 12:56 | 只看该作者
建议用10K的,用51K线长点有可能收不到数据,以前遇到过

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发表于 2013-2-21 13:36 | 只看该作者
若是功耗控制严格就用大一些的电阻上拉。

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发表于 2013-2-22 16:16 | 只看该作者
xiaoyunvsmm 发表于 2013-2-5 17:19 ' d4 ]- Q# u, E8 |7 @1 V
请问你的意思是,我需要上升沿陡就加大电阻?

6 ]! F: s6 |* S+ \不是,你需要上升沿陡的话,应该是降低上拉电阻阻值,增加上拉驱动电流;
) m6 \) E8 n) c6 ?2 F芯片驱动强度比较足的情况下,上升沿本来就比较陡,可以增大上拉电阻阻值(或去掉),减小上拉驱动电流,降低功耗。
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