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关于DDR3 时钟线上的电阻电容的作用

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发表于 2012-12-7 16:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大侠:
2 L5 @& g9 F, v# E- i, H 请教一个问题,关于DDR3 时钟线上的匹配电容,这个电容的作用。我现在做的是4片DDR3,一般情况下去掉C63这个电容或者上这个10pF的电容,DDR都能跑起来,速度的话跑480M也没有问题,但有时候,某些PCBA上就需要匹配这个电容,加上这个电容可能效果不怎么好,去掉效果更加。有时候某些板却要匹配更小的电容,才能下载。关于这个问题,一直很困扰我。有两点很困惑:6 [" v& _0 p' a  Z

; U  D" ^: K0 B5 m1 M" D) d& X8 n1、这个电容的作用,电容的大小对DDR的影响?
3 ?' Y* q1 v* z4 c, C* B" f* j8 @3 p0 @+ P0 }* q3 `5 o
2、为什么某些PCBA需要去做这样的匹配,DDR才能跑起来,并且电容的值还不一定相同?8 X& T- w' t" |

1 [% ]& h  q, ^3 r7 `- a+ J对这部分电路确实还是很迷惑......

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发表于 2012-12-7 16:31 | 只看该作者
我的理解是消除差模干扰

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发表于 2012-12-9 18:19 | 只看该作者
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;6 G( a( [4 j2 K2 |
2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑起来,只是overshoot多了一些,内存芯片热一些的区别,这个电容应该放在内存的接收端,而且,如果480Mhz的DDR3,以我的经验来看10p还是大了一些,应该3-5pf会好一点,大了就有点过了。电容当然和频率有关系,不同频率用的值应该不一样,具体值要看测试结果。

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发表于 2012-12-10 15:04 | 只看该作者
个人认为此电容与前面电阻一起构成L型滤波电路,可以滤除一些高干扰和高频过冲等,使信号时钟信号波形更好!!!

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 楼主| 发表于 2012-12-11 23:14 | 只看该作者
xin_515 发表于 2012-12-7 16:31
5 y2 `9 |/ C# K- T) [5 i3 B5 _我的理解是消除差模干扰

  b/ v5 }/ Q1 x- [: P1 R 哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

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发表于 2012-12-12 09:17 | 只看该作者
czypf 发表于 2012-12-11 23:14 , L. B! r  W, O1 O0 J
哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

# b( N9 L6 i4 P% r. E; P应该就是几PF就可以了。

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发表于 2012-12-20 09:23 | 只看该作者
文章不错,学习了!

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发表于 2012-12-24 12:58 | 只看该作者
了解一下,深度不懂

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发表于 2013-1-2 17:23 | 只看该作者
学习了

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发表于 2013-1-10 00:32 | 只看该作者
多谢分享!
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发表于 2013-1-10 11:30 | 只看该作者
各位我认为电容它就是个随着频率改变的阻抗,给不同频率成分做了不同差分匹配呀,频率越大,意味着容抗越小呀,想想大家应该能明白是咋回事,不想电阻跨接,它是全频段的。

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发表于 2013-1-11 08:42 | 只看该作者
part99 发表于 2012-12-9 18:19 , C9 {* o5 g' v& O& ]; x& v
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;% e1 G/ }! a2 J
2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑 ...
- E+ y5 G: S7 j2 D
我们一般在CLK上是串R,在两个差分线上预留一个位置,不过不是放C,而是放R,做到阻抗匹配。特别是两层板的时候。

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发表于 2013-1-12 15:30 | 只看该作者
电容应该是消除差模噪声,而电阻如果是串联的话应该是满足阻抗匹配。如果是上拉,那就是ODT,(这个是用于memory down的情况);
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