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关于N沟道增强型MOSFET,急求答案

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发表于 2012-8-1 22:49 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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* @3 L! A2 @& E0 e3 r

: z+ G" K9 }5 u; M# s& N$ G. h大侠们,上面图这个电路中的MOSFET管起什么作用,这么用的目的是什么?该怎么选择这个MOSFET?芯片一段的驱动电流大概就是100mA以内
4 c, D% d' l; i; D- A& g多谢
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发表于 2012-8-2 18:45 | 只看该作者
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发表于 2012-8-2 19:23 来自手机 | 只看该作者
电平转换的。
$ Y) K, I) ?" A来自:EDA365 硬件设计、PCB设计论坛 Android客户端来自: Android客户端

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发表于 2012-8-2 23:58 | 只看该作者
N沟道MOSFET相当于一个反相器,高遍地,低变高,SCL和SCK电压可能比较低或者比较高,要变为3.3V

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发表于 2012-8-3 11:50 | 只看该作者
这是HDMI得I2C控制,因为HDMI侧是5V,而芯片侧是3.3V,所以用作电平转换,可以用的mos型号是ZVN3310F和2N7002L,用multisim仿真,元器件里面有。

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发表于 2012-8-3 11:52 | 只看该作者
还得看一下HDMI侧的结构,或许可能需要加小电容虑毛刺。

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 楼主| 发表于 2012-8-3 22:55 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-8-3 11:50
( U4 z, u4 X+ s7 `) S这是HDMI得I2C控制,因为HDMI侧是5V,而芯片侧是3.3V,所以用作电平转换,可以用的mos型号是ZVN3310F和2N700 ...

- I, J9 [$ i3 B6 f3 l$ O5 N很感谢你的解答,不过,这个接入的信号是DVI-D,这又怎么理解呢?
8 ^4 @, f3 w: Z: y0 c4 l" n

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 楼主| 发表于 2012-8-3 22:56 | 只看该作者
liuncs 发表于 2012-8-2 23:58
- n9 ~( H7 ~* _$ ^' fN沟道MOSFET相当于一个反相器,高遍地,低变高,SCL和SCK电压可能比较低或者比较高,要变为3.3V

5 `+ a8 P) W+ q6 I7 g& N9 ^8 M% i换句话说就是有点稳压的意思?左边的输入是DVI-D信号
" v/ ^9 v9 d+ Z& u0 s

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发表于 2012-8-6 16:45 | 只看该作者
liuxuan0229 发表于 2012-8-3 22:56
, i' ~0 W4 S9 |换句话说就是有点稳压的意思?左边的输入是DVI-D信号
' P7 s; y, j6 v1 r- u, s+ l* H
把你的管子的pspice模型下载到后,放入multisim或orcad等软件中,进行电路仿真,仿真时2侧的条件要加上,你就会发现只有mosfet才有这种双向的效果。而且频率越高的话,mos结电容要选得越小的管子。

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发表于 2012-8-6 16:49 | 只看该作者
liuxuan0229 发表于 2012-8-3 22:55
; X* h. r) M9 y$ W* z很感谢你的解答,不过,这个接入的信号是DVI-D,这又怎么理解呢?

7 _; H. z  e5 q% X啥信号没有关系,IIC不会变,要么100KHZ要么400KHZ的时钟频率。你拿这个频率去仿真不出问题那就OK。

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发表于 2012-9-4 18:07 | 只看该作者
liuxuan0229 发表于 2012-8-3 22:55
$ x- W- t8 D9 [$ Q很感谢你的解答,不过,这个接入的信号是DVI-D,这又怎么理解呢?
+ y/ `* T) A0 E2 b% g
对比下HDMI和DVI-D的协议及针脚定义,其实差不多类似,差别在于数据数。
/ w) H- H4 L6 m6 E& N1 z这是起到电平转换的作用,跟稳压是两码事。1 c0 s4 W. |1 Q  A8 L0 h0 I

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发表于 2012-9-29 17:11 | 只看该作者
电平转换的

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发表于 2012-10-29 21:58 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-8-6 16:45   d8 @6 L, l$ T) e; s+ K; a6 Z; b6 l
把你的管子的pspice模型下载到后,放入multisim或orcad等软件中,进行电路仿真,仿真时2侧的条件要加上, ...
5 {8 g% b. [4 |) v
请问一下怎么会实现双向的效果?5 J: X& S; P  @% x
( [7 h5 U( o$ \8 m# _3 O+ F+ {
Q1和Q2的栅极应该一直为5V不变吧,MOSFET右侧的信号为低的时候,MOSFET导通,左侧信号被拉低;MOSFET右侧信号为高时,MOSFET截止,右侧信号为高。  H( G# B& b$ W( _! H
' e0 }. K7 R2 [' m9 s; }
如果右侧信号一直为高,左侧的信号由高变低,右侧信号也不会变吧?
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