看书越看越疑惑，关于去耦电容的概念，希望跟大家讨论一下：4 z, E* ?, [- ~7 \4 r
在《信号完整性分析》书中，去耦是根据电源的供电相应时间来定义的，f=1/(2π根号LC），那么C越小，谐振频率越大，谐振时候的周期就越小，响应时间短，这是为什么小电容靠近引脚放，大电容可以拉开一点距离的原因。那么在《电磁兼容》中提到，挑选去耦电容主要根据谐振频率，低于谐振频率，电容表现出电容特性，高于谐振频率以后，因为引脚和引线的影响，电容器开始表现出电感特性，那么在这里，去耦电容到底表现出什么样的作用？跟前一个概念：供电相应时间有什么差别和联系？ . b F) E/ u X2 a* o, z+ a3 c: h: m 还有，电源平面和地平面的质检平行电容板效应，它的去耦效果到底有多大？同样在两本书中观点也不想同，在信号完整性书中，说的是“平面电容存在，但它太小了，在电源管理中起不到明显的作用，电源与地平面的实际作用就是为芯片和去耦电容间提供低电感回路，而不是提供去耦电容。”在另一本书中，“电源平面能用作有效的退耦电容，对于标致TTL及其他低速逻辑器件，分离的退耦电容可以省掉。条件是电源平面和地平面之间足够靠近。”这里有矛盾的内容吗？0 @# O4 C6 p) J) o
忘大侠能发表一下高见。。。
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发表于 2012-9-14 17:19
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