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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › SI/PI仿真论坛 › ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题
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ARM:SC2410与SDRAM:k4s561632c之间的数据信号仿真问题

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Iphone

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发表于 2010-2-3 21:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Iphone 于 2010-2-3 21:13 编辑
& \  a2 [: w# g& c+ J6 p$ F( T/ \/ {4 S1 H1 U6 ^, U4 b
有哪位朋友用三星的ARM板设计过？——CPU:SC2410，SDRAM:k4s561632c，你们设计的CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加电阻呢？/ e3 W1 i5 R* g! m, P& a9 T* `8 k
我设计的这个PCB，没有端接电阻，仿真时(133MHz)，时钟信号波形质量和CPU写的时候信号波形质量度还好，但是CPU读的时候信号波形质量就很差了（跨越门限），如图；/ l& Q3 s' a: e3 J. j/ |# e
加了端接电阻之后仿真，波形就好多了，但是我又不想加电阻，占空间太大！5 g4 s+ @" [+ \- E6 X. L8 U
各位设计的时候CPU和SDRAM之间的时钟、数据线等有没有加端接电阻呢？

ARM.JPG (66.25 KB, 下载次数: 5)

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袁荣盛

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发表于 2010-2-3 22:39 | 只看该作者
这过冲忒大了点
不問可不可行，而問如果一定要做，該怎麼做

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Iphone

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 楼主| 发表于 2010-2-4 09:51 | 只看该作者
呵呵，就是& n- Z( j0 u6 p. d1 }! G- z
我是想加端接电阻，不过我看前人做的都没有加电阻，不知道有没有朋友设计过这款ARM呢？
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袁荣盛

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发表于 2010-2-4 12:43 | 只看该作者
这种事情千万别参考别人的端接) H  U9 L# B, w6 o
要以自己的实际情况为准
- v" h# a3 H+ D3 j/ r9 ?% O7 r' h有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借鉴: A4 @5 r# X: i% [

0 E  E3 M4 s6 n& ^" k9 U首先叠层不一样，线宽不一样，导致阻抗不一样
* b, d. v3 T- I8 }- |; P9 j( o其次线长不一致; R) o% @5 i& [6 I! j
再者，可能驱动源的驱动能力选择不一样
, j6 Y9 x+ r8 N  S( ?2 k7 D种种情况表明端接要联系实际去解决
3 y* g* \3 _" g/ q0 }. a: r不要参考
不問可不可行，而問如果一定要做，該怎麼做

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Iphone

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 楼主| 发表于 2010-2-4 15:22 | 只看该作者
这种事情千万别参考别人的端接
, [' T& f1 P+ P! Q# J要以自己的实际情况为准
2 b) \1 X6 |! H0 `; O! H* _有几种情况可能导致不一致，消除过冲的端接不要借 ...
5 ?' l6 O/ B& ]6 `  Q袁荣盛 发表于 2010-2-4 12:43

% m# D8 E) p# y  b) b, d
& ?0 N. u1 @- I! Z5 ~- }& z% `; h9 ?# i
    呵呵，谢谢您的建议！我理解您说的！! l$ ?* b  N/ ^8 z1 L5 g/ f
在读状态的时候，SDRAM的输出阻抗只有7.8ohms左右，按理说需要端接电阻（当然大小要视您说的实际情况来定）来和传输线匹配，以消除反射；& M+ H: [' c; o6 ~  _5 X  }
我只是很奇怪为什么前人设计的都没有加端接电阻呢？
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wzh6328

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发表于 2010-2-4 22:12 | 只看该作者
线长在2inch以下都可以不加，好像说不算做传输线

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honejing

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发表于 2010-2-7 22:54 | 只看该作者
不想加端接，就要調你的特性阻抗，Z0儘可能小些，过冲就不會那麼大。

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iversn

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发表于 2010-2-27 23:24 | 只看该作者
学习一下,我也想设计ARM板,请问一下仿真是如何做的，用什么软件，要哪些模型，谢谢！

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liuzhenyaEDA

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发表于 2011-3-29 23:15 | 只看该作者
我也想这个问题呢

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cindy0924

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发表于 2011-4-22 16:44 | 只看该作者
我们的设计里,SDRAM没加过端接.我们一直做的三星的AP.

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cindy0924

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发表于 2011-4-22 16:50 | 只看该作者
回复 wzh6328 的帖子* X. O6 j- z1 O; F6 O# ]' R
) A6 A( l4 k% g- o7 I' K. W* D2 n
标准参考不是应该上升时间1NS,走线长度在1INCH以内.不能单纯讲长度的吧

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chuxuezheyao

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发表于 2012-7-21 08:05 | 只看该作者
楼主，问题怎么解决的？1 x' T/ Q0 U& t& E
我也有这样的问题，过冲没有你那么大（CPU：LPC3250，K4S561632C），但也超越门限值了，) y) s# H/ Q4 M5 e6 {
通过仿真发现，要匹配至少47欧才能达到要求，而且要靠近SDRAM放置！2 Z+ {5 L( d9 ?" R

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jang2lin

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发表于 2012-8-2 09:58 | 只看该作者
Iphone 可否把你的模型共享下2 `) `6 \7 p% ]- p* w; m% ]! G4 h9 C

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