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[仿真讨论] ADS调用IBIS模型-DDR2数据信号仿真实例

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发表于 2016-2-2 16:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:24 编辑 5 @4 U# {7 [& c/ W0 u

7 l7 q0 i1 J) O) T/ |, n# n. {ADS支持调用IBIS模型,本文以DDR2的数据信号为例,介绍了一下IBIS模型的调用。

* E2 M- `8 c) c7 p
# f  S9 w  p7 i' N
注释1:设定Vih和Vil的ac、dc电平特性及Vref电平。在判断波形的时候可以方便的调出来。

$ `4 Y) h1 g, t, W- g
注释2:设置信号速率及电平大小。stoptime及step大小设置为变量,随信号速率变化。(也可以设置常量表示)

) l$ `* `1 ^4 {- j" [
注释3:设置传输线类型、长度及宽度。这里需注意SLIN需配合SSub使用。选中SLin,然后在Tools-->LineCalc-->Send Selected Component To LineCalc
- t& i" m3 u) w. M* D! y" B
& v) y8 N: G. r! a& {6 N: X& f- r
注释4:Source如果设置为下图两种都可以。VtBitSeq可以自定义仿真码型,VtLFSR_DT采用随机码。
$ I  V# Z2 M- `5 e; H7 o5 A% ^) j
" O% m! s! [- q1 h
注释5:过孔的简单等效模型,可以用准确的S参数替代。
# |9 y% R) I3 p/ {
注释6:pin的寄生电容
5 \6 W9 p* P& A% T9 G* n* ~7 j
     查看波形前需注意给需要查看的网络进行命名,命名后才可以查看到波形。

" ~+ T% {( Q1 l% w8 U& P
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发表于 2016-2-27 22:48 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2016-4-13 12:25 | 只看该作者

- O0 F+ L* ]( S& J7 z! V好东西,谢谢分享!

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发表于 2017-3-4 01:06 | 只看该作者
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发表于 2017-3-7 19:05 | 只看该作者
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