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RFMD针对安捷伦ADS2011软件提供制程设计套件
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格林斯博罗—2012年6月14日，RFMD宣布其晶圆代工服务部已更新其制程设计套件（PDK），以搭配安捷伦（Agilent）最近推出的Advanced Design System（ADS）2011EDA软件。强化的PDK可立即向目前的和潜在的RFMD晶圆代工服务客户供货，以用于RFMD的氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）制程工艺。+ N3 O! ?$ H3 }
4 A. D1 a) ^/ `0 k; `2 n! sRFMD的PDK可支持完整的ADS前至后端MMIC设计流程，具备可扩展组件，内建设计规则检查器，以及ADS2011的布局功能。PDK可与ADS2011、ADS2009 Update1及ADS2008 Update2无缝搭配，使RFMD的晶圆代工服务客户可获益于ADS2011的显著性能优势。
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RFMD的GaN和GaAs制程工艺提供客户代工服务，并拥有RFMD先进的周期时间支持。RFMD的晶圆代工产品包括GaN1（用于高功率的GaN），基于SiC制程工艺的0.5微米GaN，可发挥65V CW作业，并针对4GHz及以下最高性能而优化。RFMD的GaN1电源工艺提供了400V以上的高击穿电压，而RFMD的GaN2则为SiC制程工艺0.5微米GaN，提供高性能通讯系统的高线性度。GaN工艺由RFMD位于北卡罗莱纳州格林斯博罗的厂房制造，其为全球最大的III-V晶圆厂之一。
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1 C4 `! {8 a$ ]" f4 {/ e9 u- c格林斯博罗厂也生产HBT8D，它是RFMD的大容量InGap工艺，主要用于手机和混合讯号应用，另IPC3为集成无源器件工艺，其透过高功率兼容性补足了RFMD的GaN工艺产品阵容。
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; ~/ ^) V s |/ T/ e3 Y0 s2 g其他RFMD晶圆代工产品包括低噪声的0.25微米GaAs pHEMT工艺FD25，以及高功率0.3微米GaAs pHEMT工艺FD30，两者均支持达25GHz的应用。RFMD的工艺阵容还包括FET1H，其为0.6微米的GaAs pHEMT工艺，以及FET2D，其为0.6微米GaAs E/D pHEMT工艺。RFMD的pHEMT工艺由该公司的英国Newton Aycliffe厂制造。
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关于RFMD
) N# f+ o9 X8 U( Q3 O# fRF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq股市代号：RFMD）是高性能射频组件以及复合半导体工艺设计和制造领域的全球领导者。RFMD产品可帮助实现全球移动性，提供加强的连接性，以及支持移动设备、无线基础设施、无线局域网（WLAN或WiFi）、有线电视（CATV）/宽带、智能能源/高级计量基础设施（AMI）以及航空和国防市场中的高级功能。RFMD半导体工艺多样化产品组合以及RF系统专业工艺享有业界知名度，是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商的首选供应商。3 j" \7 ?' D4 n, S; A& y4 c
% j R' {% i& y7 ]. d+ tRFMD总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具ISO9001、ISO14001及ISO/TS16949认证的制造商。RFMD在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码RFMD。有关更多信息，请访问RFMD网站：www.rfmd.com。 , @. y2 Q0 I& F' l% U8 ^) X/ S* [7 r t
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发表于 2012-7-11 22:50
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