DDRx的阻抗

caiyongsheng · 发表于 2011-10-25 18:05

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今天猛然间看到，DDR走線的特性阻抗設計50~60歐姆，DDR2設計50歐姆，DDR3設計40歐姆，这样子对么？

jimmy · 发表于 2011-11-8 14:45

都按50欧设计的路过.

毒女 · 发表于 2011-11-8 14:59

DDR3設計40歐姆应该是地址线. 这些线走线都比数据线粗

349384184 · 发表于 2011-11-8 15:00

DDR那里的数据线与地址线之类的一般是按50ohm设计的，时钟线走的差分就要做100ohm的差动阻抗控制了。

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