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001__力科DDR2测试解决方案-Ethan》（百度文库）
$ k) n! d% J& d% p7 F时序测试这部分中有段这文字，摘录如下：6 t- c) Z. G: }6 f' `9 L
$ |* n& m" ]9 V, \4 i5 T3 c) A/ J# P“时序测试部分主要对DDR2数据、时钟及控制线上各种时序进行测量，包括数据输入建立/保持时间、数据输出保持时间、数据读/写时DQS前导/后续时间、时钟半周期宽度、DQS输入高/低脉冲宽度等等二十余项参数。其中，在对数据输入建立/保持时间（tDS、tDH）进行测量时，JEDEC标准规定需要根据写数据时的DQ及DQS信号斜率对测得的建立保持时间进行修正。下表为JEDEC标准中对应DDR2 667/800的输入建立/保持时间修正参数表。例如，写操作时当DQ测得的斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时，测得的DQ – DQS建立/保持时间需要加上67ps的修正值之后方能与标准中规定的最小建立/保持时间相比较。”
`' X! v5 q6 q0 R E
* ~6 P0 q( W C/ U按照这个思路：8 u2 A3 b H/ a# \
, ^7 U7 Z( X/ E; i标准里面规范DDR2 667/800时候的tDS(base)=100ps；tDH(base)=175ps: x" F8 }' x" p1 C: A) n$ m
对应DQ斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时的修正值分别为67ps与21ps
' G4 Y. O* i% Q+ u, P( p这时tDS=tDS(base)+67ps=100ps+67ps=167ps；tDH(base)=tDH(base)+21ps=175ps+21ps=196ps
/ o! ?2 Z5 M5 B0 s
% i8 M6 D/ S$ ?. p: t那么是不是就有：
- L. T/ f. @, x* \) B测试到的建立时间+67ps>167ps时才能算符合标准# a0 p7 K# h6 g0 |* L
测试到的保持时间+21ps>196ps时才算符合标准3 z4 V5 l0 z) }7 T
8 f8 V4 `1 V, d0 S. l+ D-------------------------------------------------------------------
& g. F# d2 p9 S2 z8 @上面是差分的例子，现在在回到DDR2 400/533单端DQS下的情况，再重新梳理一下思路3 w* ?% G- Y* j5 w, Q
: R1 P2 j0 `: m4 S
（1）规范P89页内容中tDS(base)=tDH(base)=25ps
1 P# R" j% X. c3 Q* O& r1 o（2）规范P74页内容中“Specific Note 6 Timings are specified with DQs, DM, and DQS’s (DQS/RDQS in single
# H& E: b9 z. H: \1 N" w S
1 N- I; o- a& Qended mode) input slew rate of 1.0V/ns”是否就可以理解为不管是差分DQS还是单端DQS，被测的DQ的slew $ B$ F. x" W7 q! W% x. V! |
/ e0 [8 k/ V6 ~7 j! Z, _
rate=1.0V/ns
$ @: e+ k# \6 U$ g4 f（3）按照规范P95页内容“Specific Note 7 Timings are specified with CK/CK differential slew rate of 2.0 4 f. Z" {5 b* X' }, F; n
" l. e: K( ^6 `! k6 y- m3 x/ j
V/ns. Timings are guaranteed for DQS signals with a differential slew rate of 2.0 V/ns in differential 2 P9 g$ k( M- M3 c, d+ O# N
" @* s7 k1 O' T& C) @: qstrobe mode and a slew rate of 1 V/ns in single ended mode. See Specific Notes on derating for other slew / p* E' J8 o% v" I, R) a* e' S4 p
4 }( h/ i) p2 E
rate values.”
% m8 J5 E6 c1 L3 N$ R- p6 b$ V此时的DQS slew rate=1 V/ns
+ ~3 Z+ T' O8 l' G; u. Y（4）这样DQ slew rate=1.0V/ns；DQS slew rate=1 V/ns，查P96页Table 46可以看到修正值均为0
. t1 K: x7 J8 A（5）从P98图示的DQ与DQS之间下降沿tDS是VIL(ac) max至VIH(dc) min之间的这段时间
- N3 D: f8 V5 E3 n) I7 s查P74页Table 20 — Input DC logic level与Table 21 — Input AC logic level
$ R- h) T3 g6 l4 I9 n
# `! A& _ \, d0 X4 a1 OVIH(dc)min=VREF + 0.125V
4 f1 L2 I/ ~1 SVIL(dc)max=VREF - 0.125V( |7 S3 U, @7 j4 y6 B$ I
VIH (ac)min=VREF + 0.250V (DDR2 400/533)8 L, U+ h/ m( L# I3 Z
VIL (ac)max=VREF - 0.250V (DDR2 400/533)
( ~: k8 \+ k9 p0 I. ~ `; b" Z" @6 l7 p: Q* p8 s) L; O6 g
q l S4 w0 E8 f9 [ΔTF=(VREF(dc) - VIL (ac)max)/(1 V/ns)=0.250V/(1 V/ns)=250ps
; [0 h b Y# u" mtDS=(VIH(dc)min-VIL (ac)max)/(1 V/ns)=(0.125V+0.25V)/(1 V/ns)=375ps
( A" T# G7 F! c6 i. ]8 v8 l' I& Y* n- x. u4 S$ {/ [
按这个时序图里面算出的时间比查表算出的25ps大9 E: I6 r% u! t, F- T4 U4 U: ?
+ Q5 u% f. |& C( c. h/ m“注意到上面的两种不同DQS形式的差异：对于单端，即使在补偿后，仍然还是"base",也就是说，单端信号仍然是建立时
) Y5 S t0 J) ^3 A1 L# J/ {0 [3 ]$ x; z" Y% z' Y
间是参考dc，保持时间参考ac参考page97的table85，page98的table86.这个时候，我们需要加上DQ的边沿时间，将其换
. P% g G- B0 {! g, K% w8 L6 `- Z3 R9 o ^7 @* I5 c
算到Vref的电压点。”
; k- p1 j. M3 V1 R9 q' P
; J3 Z5 |7 Y+ ?/ l3 `其中“page97的table85，page98的table86”我在JESD79-2F没找到，是不是笔误？
. |( u+ I/ N) |2 g另外“我们需要加上DQ的边沿时间，将其换算到Vref的电压点。”这是加上了ΔTF或者ΔTR？
+ h# F: s; \( }6 v6 T% U7 g* s+ E# A% L9 P' C. g% m
所以这块在理解上还是有一些困惑在里面, S: C. l9 c* b' d( I( c! ^4 p/ z
# {# ]+ i, ]. P# d7 H; @ \6 u8 n o因为在差分的时候也同样存在ΔTF或者ΔTR |
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发表于 2012-5-21 19:09
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发表于 2013-9-26 12:49
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