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关于DDR2终端电阻的添加?

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发表于 2010-8-2 10:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
如题:0 }  ^* |2 A# s
DDR2到底需要添加终端电阻不?
1 e5 r" Z  v- V' b8 z: m( j! [
5 ~! m- V8 e. F6 H' V! n  v$ R# c( h6 X0 m% I2 H0 X
DDR2中有个ODTPIN,  是内建核心的终结电阻器,资料上显示DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。作用:DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。- V5 g. R& W, s9 `; u+ {
$ {1 o9 }$ E2 z* [/ B! o
但是一些DDR2的实例显示要使能跑起来需要在外部添加终端电阻。
; J9 x. S" m7 z/ \3 d5 B7 A% @" e& Q' t* t5 M7 M, p
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?或者是什么情况下需要?什么情况下不需要?
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发表于 2010-8-2 16:28 | 只看该作者
回复 1# 忘顰 8 I$ B1 d/ u* r5 V
7 J$ b- g$ u- `/ S8 T6 s+ I5 D
1 d# Z( K! Y1 A; B
    帮你顶起,这个问题我也想知道,如果使用了odt,那读ddr2的数据,要不要匹配电阻,怎么匹配?
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发表于 2010-8-5 09:28 | 只看该作者
首先明确ODT是针对数据线的,还要明确数据线是大多数1对1的(不过也有通过/CS来区分1:2的情况)。
+ a; X7 x, @% ~1 |$ C4 R' XDDRII数据线可以不用外部上拉电阻。但是地址/控制线在颗粒多于2的情况下,需要增加上拉电阻,因为地址/控制线没有ODT功能。4 W* W8 |) L( I6 F
“DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。”0 u" \) h4 F2 N8 o0 |, k
Qiang:个人解释一下,就是说明数据线是处于1:2的情况下,这个时候不工作的DRAM相当于工作DRAM的远端节点,而打开远端结点的ODT功能,工作的确没打开,这个是菊花链匹配的效果(可以研究一下菊花链匹配的反射计算)。如果打开工作的ODT,而未工作的ODT没打开,就是一段线的反射(影响的效果跟速率与线长有关,此时是线太长了)。如果同时打开,相当于端接电阻变小49.9/2 = 25 Ohm,端接不匹配。

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发表于 2010-8-5 11:32 | 只看该作者
回复 3# liqiangln 3 z* J4 W  z7 O; q4 [% g" e- M# M

. q- N. Y' a0 a0 W$ M; N
$ i8 H( ^6 }) b    版主,ODT就相当于是内部并行端接吧。那是不是应该就是相对于ddr2那一端的,也就是谢数据的时候进行的匹配。但如果读数据的时候,就是ddr2作为驱动端呢?odt还有用吗?
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发表于 2010-8-5 12:34 | 只看该作者
读数据的时候ODT是关闭的。
2 F5 ^7 z# g/ ~* G3 @/ B8 O是在写数据的时候,才会开启的,看看手册的时序图。

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发表于 2010-8-5 12:54 | 只看该作者
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?
3 F. C% a6 U. Y7 \, E---肯定要加,防止信号反射,详细查阅有关资料。
$ f/ Z5 q; T8 G* O或者是什么情况下需要?
& s8 w+ @0 w2 n) I5 I---工作就需要
# E! e0 H7 p  X& k5 H0 T/ Y: R% T5 b1 g1 M: c9 I3 N2 T0 ]4 E
什么情况下不需要?
$ g% U; g1 P/ w+ c0 B$ t---为什希望不要加上了?

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发表于 2010-8-5 14:11 | 只看该作者
回复 5# liqiangln
$ E2 P0 C- Y* Y; p( }. e
" Y3 \$ H7 i# x2 n# w' T" s, Z% y! s) U% t0 z1 N
    这个我知道,那读数据的时候,岂不是要外部匹配?
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发表于 2011-9-9 13:34 | 只看该作者
很想知道这个问题的答案,因为公司做了一款,软件上可以把ODT关掉,降低功耗,求详解。
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