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很多问题需要结合实际情况: k8 l1 V+ F$ X, l8 ]8 Q! Z% p4 R
首先我采用的资料是上面贴出来的，设计也是按此考虑的
' l' a# x6 `) l! K+ Y7 C对于74HC00，属于74HC系列，为CMOS类型，输入电阻很大，为容性
1 z0 L: Y, v* V6 U可以参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/10856120.html
/ w( V& p# c+ h& f8 B最大输入漏电流 顾名思义就是正常的漏电流是没有这么大的
$ K: J8 |+ \0 f" s, j+ m2 w B0 o我贴出的资料中显示Iin为1uA(这里就不考虑0.1uA了)，因此维持静态输入没有问题
r& T2 P6 V h. f我考虑采用uA级或mA级的稳压二极管考虑的是损耗
. i1 Y' D- I1 [) I, C" w你这里设计应该是做一个上电的判断，信号会长期维持
+ ]! e) Q/ d1 m5 R, \+ ?因此损耗主要是由静态损耗构成，电流小了功耗自然小
& R4 O3 H% Z$ y
/ _+ e5 y! W+ A8 Q当然，如果考虑更多速度而不是损耗的话还是建议采用mA级的稳压二极管设计
& N9 y) |: e" [( ^至于同是Iin，一个是20mA一个是1uA所指的内容不一样
' O$ y' s/ p! R5 e6 P" C前者指极限参数，发生在电平切换的时候
6 {3 I0 ^0 K+ M: i: f& B) {因为输入为容性，因此相当于给电容充放电，电流大速度自然快
3 ?9 W' p( Z- M3 y6 p9 n/ v; J5 ?但是电流太大会损坏期间，因此是极限参数
2 q _/ K! ?8 I6 f, [" O$ o e后者是是指静态时的泄漏电流，就像一般电容存在的泄漏电流一样
5 Y8 h" j& A7 q! A/ \是由于介质材料等等原因造成 |
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发表于 2009-4-15 09:49
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