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电路中有MOS管该如何去分析?

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发表于 2015-1-31 16:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 way 于 2015-1-31 16:34 编辑
  H1 o! {5 Q5 ?* L! A+ `" n4 G4 o+ O& _% A  Y7 O8 D( f
MOS管在电源电路中常在,导通与关闭只要去对比G脚与S脚电压就可以了。P沟通UG小于US,N沟通UG大于US。还有个就是VDS值与ID值要考虑下,还有的其它些分析我就不知道了,求大是指教下MOS管电路分析思路。
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发表于 2015-1-31 21:48 | 只看该作者
废话不多说,来点干货吧,生产不了干货,只是干货的搬运工,
# h3 _0 y8 _8 }/ W7 C

MICROCHIP_MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计.pdf

353.32 KB, 下载次数: 169, 下载积分: 威望 -5

Power MOSFET Avalanche Introduction.pdf

8.89 MB, 下载次数: 461, 下载积分: 威望 -5

rcj05g0001_powermosfet.pdf

2.71 MB, 下载次数: 215, 下载积分: 威望 -5

VISHAY_了解MOSFET与品质因数有关的特性.pdf

752.88 KB, 下载次数: 166, 下载积分: 威望 -5

VISHAY_了解栅极电荷并用来评估开关性能.pdf

968.74 KB, 下载次数: 238, 下载积分: 威望 -5

功率MOSFET驱动保护电路设计与应用.pdf

150.31 KB, 下载次数: 200, 下载积分: 威望 -5

针对应用选择正确的MSOFET驱动器.pdf

133.85 KB, 下载次数: 193, 下载积分: 威望 -5

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不错的资料  详情 回复 发表于 2018-3-24 16:29
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果真是干货!  发表于 2015-2-3 08:58
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能否提供一些参考电路分析,  发表于 2015-2-2 00:35

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发表于 2015-3-31 14:00 | 只看该作者
一般情况下耐压越高,导通内阻越大。这个就和MOS的制作工艺有关系了,为了保证足够大的漏源击穿电压Vds,需要有高电阻率外延层,这会使MOS的导通电阻增大。
3 i7 @) H6 ?! o1 x/ d: p7 Z根据选择的拓扑选择合适的MOS管及吸收电路,再保证高端Vds不超的情况下,尽量选择耐压低的管子,耐压高的管子一般会很贵,品种单一没有耐压低的可选性多,而且效率不好提升。耐压相同的管子一般情况下,导通内阻越小价格越高,根据自己的实际使用,在性价比中尽量折中。0 P" j1 u" }& C5 Y: n0 e7 |2 }
      栅源电压Vgs的选择对导通电阻也有影响,电压越高导通越好,导通程度越好,内阻越小,但随着栅源电压Vgs的升高,开关速度会降低,还有可能导致栅源电压Vgs击穿,器件失效。栅源电压越低,导通越差,内阻越大,效率越低。所以建议大家选取栅源电压Vgs为10V-18V之间。$ U/ ^! m1 U4 F+ E1 h- x# @
        MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。电容充电时,充电电流比较大。
. h% k; q# D: o+ U4 d) i9 F       做好散热,导通内阻随着温度的升高而增大,所以要把热设计搞好,温升尽量的低,效率尽量的高。
  F& n% T2 ?% b-----------------别人的。我只是搬运工。哈哈

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发表于 2015-1-31 17:17 | 只看该作者
这个不好说,看你怎么用了,常见的典型应用就是其工作在开关和放大状态(屁话),开关和放大均根据具体情况,起码可以根据速度分下,那么起码就是4种了。大致情况:+ M3 J2 f! j" @7 d+ ]3 U0 r
1,电源开关,比如上电缓冲了,开关合路了,或者就是做一个开关了什么的,说白了都是开关,就是导线,最关注的就是在你当前应用环境下的rds,这个值和封装热阻从根本上决定了能过的最大电流Id,不要看到一个MOS写10A,那就用来过10A,起码看看RDS,看看热阻,看看10A时候发热,看看你的应用环境是否允许这些东西。然后就是适应你环境的VDS,VGS什么的。# w5 b* v" U1 _0 S' @' ]) T2 _$ a7 F7 r
2,高频开关,典型就是DCDC了,这个就没什么说了一堆资料,除了第一条的东西,还要关注的就是开关速度,也就是寄生电容什么的,随便找个DCDC资料都有说。, Q( q6 A+ H, c+ I  d+ Q
3,一般的放大状态,比如电子负载,这个和第二个差不多,虽然是放大,但也没什么太高要求,最主要考虑的应该就是热设计和速度方面的了
' R9 N4 }) K* u5 G" E5 K& Q7 M4,就是信号放大了,这个个人没太接触过ORZ。
! Z3 x, f: U" p. T自己临时想的,可能没考虑全,仅供参考) F2 _3 G( y: a" G& ~5 x, D

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发表于 2015-1-31 16:36 | 只看该作者
我只知道开启电压,然后考虑下功耗

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发表于 2015-2-1 10:02 | 只看该作者
向干货的搬运工致敬

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发表于 2015-2-1 22:13 | 只看该作者
致敬。                          

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发表于 2015-2-2 10:23 | 只看该作者
MOSFET应用电路,喜欢的就下载一下吧。

瑞萨-Application_Circuits_Using_Power_Mosfet.pdf

715.48 KB, 下载次数: 139, 下载积分: 威望 -5

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发表于 2015-2-2 10:28 | 只看该作者
大自然的搬运工
一朝英雄拔剑起,又是苍生十年劫
唯刀百辟 唯心不易

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发表于 2015-2-3 23:02 | 只看该作者
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发表于 2015-2-4 17:04 | 只看该作者
学习学习了

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发表于 2015-3-30 17:26 | 只看该作者
干货,学习一下

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发表于 2015-3-31 23:14 | 只看该作者
致敬!!!!!

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发表于 2015-4-1 14:40 | 只看该作者
本帖最后由 jjh4724136 于 2015-4-1 14:54 编辑 ! _4 J+ O+ o" a( T  y
7 X) M% z8 L  `
感谢几位搬运工的无私。

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发表于 2015-4-13 09:55 | 只看该作者
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向干货的搬运工致敬
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