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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!
9 V0 W; _% F! J% [# `0 Z* N: P

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑 . [: R3 @! E, C8 \. s

3 L9 M( d* r$ v/ S' |6 H* f频率和带宽巨大提升
9 y; n) Z; x) h' x使用Bank Group架构
* j+ R9 b# U4 T; ?4 g 2 G4 k9 c* V3 O: X/ X

3 f1 X2 W* k# ~2 X; U. C8 O" c# S" e
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

8 A2 k) A( g! D" R' E2 {5 X/ Z
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

" ^3 p: s  s) D. i" U* B6 z

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
$ [0 Q: {& z) Q2 G6 Y/ Z- O4 _5 I- v( z
NO 6 关于DDR4的电压. Q% u+ B) U. M8 E% \/ N; c+ l
! f$ ]* C! B  A0 H) G0 w4 F
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。6 n3 N5 _5 g( i: q: s  x3 h
1 x4 B" @& h$ g3 V
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.9 W  i( f* F; m$ s

9 ?, k" g: ]* t1 Z3 B7 @# S移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。# B& n' r( }3 m; P) I

1 u) N- `5 `. `  E7 h6 N1 F5 h$ u' r5 Y3 {- e+ d+ M3 h3 s/ [
9 F& `( `, J0 v3 t9 _

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
7 m% W; K. }9 C) X. d. |+ p
4 a$ ]; y2 }, m

! h1 c# d9 N' z* G! ADDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
3 v  n0 `9 K8 C: T$ P8 c7 G举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
" Y9 g# u. @; @
' E1 f8 d* E; O! L' W) S" J2 w- h

" a2 v3 o" d0 U/ D/ Q( f' a
4 R. N- c6 ?0 ]5 C! z  P, N- _2 O               3DS堆叠封装技术
+ b. u/ N4 c9 U- k9 ^) v5 h2 Z9 ?4 ^7 v6 e( d
- Z5 ^6 |% S- E  T8 F& A
* S7 w7 T3 G# k0 D8 c+ d

1 F8 j: J# m5 L/ N3 \7 q6 F) b( a0 y) d1 u
4 e" ?( s  X  H! @! s
; E& @: t9 v2 B5 e" b
1 o4 i- ?' f; z' P  ~

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 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景. R  N8 h3 M% A& o& t
$ P- D( U7 @7 s9 W' ?, k, g. d  @
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器+ L$ x4 F, H5 B; G3 D
  L  s& Z% G! K
(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),
/ y/ S+ ^( x( h
& g' N9 B- ?& [; D* x# j6 P是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,
8 e2 I  C, Y1 [% Z9 ^
4 n- t4 w. U) r4 r1 |8 k现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.
  ^" @0 M( t% ~6 a; M5 y

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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发表于 2015-4-13 14:53 | 只看该作者
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发表于 2015-4-13 16:18 | 只看该作者
必须顶
专业服务(价格面议):
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发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-4-13 21:07 | 只看该作者
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发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11
1 ]) }$ L$ d# }: j" c: s老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...
# e6 c3 s( P; v
准备慢慢写。: B# T# @1 H# L: Q' X0 s

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发表于 2015-4-14 09:16 | 只看该作者
恳请赐教

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发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑 , Y8 f2 ~+ r: X" |6 ~/ W

- Z/ p2 `) Q9 E7 GNO 2 处理器的升级0 S& a/ F1 R" J5 F- ]. ]+ I. p

* S' e9 f6 H- V4 T
& S6 Q) g  u3 K- x9 J$ a6 P        i7 Haswell-E架构图解2 _5 o* [' \( Q) V8 h/ f; s9 n
  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
/ P( t+ M% V. T2 _. b$ K. v
/ G# e0 E' P4 V* w: ?2 y& i0 |DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E, r* V9 w& A+ g9 e) X
1 i( z+ j! {& {  e
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高," s5 E  J5 ^9 P

/ V& b, Z9 v, H8 ]  _+ Q. Q并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
, Z( z% |; z, }- j8 s) G4 ?1 x) y" L$ _1 m2 c

) {! ]- v2 n# t$ ^8 Q5 Q

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貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率" o4 z$ Z% o, K* M$ {

+ X# t" W1 }$ H7 M7 y& s4 |2 KDDR4-1600 MT/s
5 k# n# E; v- N- H6 ^DDR4-1866 MT/s6 G2 z' n6 U+ Q% ]% g
DDR4-2133 MT/s
) _" b% d8 i% zDDR4-2400 MT/s
1 A" k0 d: _) ~3 c7 }7 fDDR4-2666 MT/s
4 C1 y6 u+ o; {7 h6 r7 wDDR4-3200 MT/s! H1 r/ s% C  `2 {
* }4 h4 i  h  k/ }' b2 z/ m
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
/ N7 }8 Z. @/ r$ \DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,( ]7 ~* z  y6 j  r/ S9 d" C
换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz" P! [  A$ G9 |. a. ^

( z0 ~+ B" \( I1 N

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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