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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!5 U0 i' _8 A) y# w3 e! Q0 k) V. I4 y8 L2 ]+ t

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑 " r: r9 N6 U9 h& ]& e5 f
/ c) e$ g7 A4 O+ j" F
频率和带宽巨大提升
( V9 @/ s' z4 d/ K使用Bank Group架构
6 p( z1 N5 ~: H9 L) q
5 o" D  g1 c) g& x0 v8 @! L# |& m( j4 _9 E
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
8 x; i4 d; y: d! Q
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
6 u$ Z( M. q" m) R( @

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑   N  K* I' a2 d& z* f- }% m; ~: }

5 ^3 C8 W. f4 H) u/ }NO 6 关于DDR4的电压
" ?( H0 r$ |1 u; X& R% Z8 _7 C. U2 r1 K# `7 W) v% f
DDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。/ q9 \3 M# m; i3 B& K6 i

9 i- w  w! I4 S% A; G电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
, o: h7 ~" B$ Y5 e" [' V# H# U. m2 S
移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
, Q4 Y+ f, k; ~! f2 Q
3 T* ~. I, v% I3 i: M, a% Q( w
/ v2 H+ f* l6 R& f- i2 f& H, j
$ s2 l0 @8 N' L; Z5 p2 A( F

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装# V8 N: G/ A1 M' C: p1 W

% F9 R4 i% Z! h+ I

/ Q0 b. B* b% bDDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
' o" ^  d) j( }3 u( M3 P  }举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。1 T& [8 Y+ e1 ]/ j5 F. \9 E- K, L
$ [! m- k8 _/ {6 o- U7 L

: v" Y* y+ a- x
1 ^% s+ C. H7 A  B5 z               3DS堆叠封装技术# f9 ]: g% b, O+ e8 \, W7 c
4 J- z( i; U0 j" c5 O- J

* v2 h2 k3 K0 ?% J) |3 h
0 Q  I( B  i, L) s
) Y2 K3 o; _; Z$ i% j& j
: z5 o" P6 b" o

7 N3 c9 R5 L" s% U# k) b% q4 \
7 g+ e7 @( ]6 {$ ?/ [

( s. {: B0 z* l; g" `$ e8 r

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景+ t$ Y, h* Y8 X& P4 G. P  u8 O+ @
1 s8 x# A: @1 C9 L  v* [
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器4 D. x3 S% |/ J- c4 x) Y
0 m* k6 g* l" c! |
(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),2 t2 @0 H* n. E7 L3 n* z& g& P2 {

4 v4 E+ s8 {' h0 l2 T是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,3 E: W( b; _' B' z& S1 }' }7 ]
8 J+ \( x* E2 j! Y* X
现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.4 G- ]8 Q" \8 y- B2 E' ^: M

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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顶!

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发表于 2015-4-13 16:18 | 只看该作者
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专业服务(价格面议):
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发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11
, W. s- N" O0 I- M老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

4 q) A7 Z4 }" ]& z准备慢慢写。: J- i3 x- v9 Q% [, V" z& u$ u4 z

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发表于 2015-4-14 09:16 | 只看该作者
恳请赐教

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发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑 0 J& _+ m% t# F* g
/ {# _- J* N& F7 b( H* m
NO 2 处理器的升级3 V6 e9 G5 U7 R/ C" W; D! ?

) f4 k5 w+ S/ P1 ~9 i3 s
2 U: h1 D! f, g/ b        i7 Haswell-E架构图解
1 S" P4 i; F/ G& S3 S1 ^# r- W9 r  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
' F+ [+ W9 M/ }( ^0 X. `
$ s/ O/ X. n, G4 f) f; d9 G. PDDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
: Y3 P7 ^: l6 C1 a/ Y' h# w8 l5 p$ e, M  m
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,3 v1 d' I& z1 \

' l, E8 W+ t  ]% R& G, {: p' H并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。. [/ e: S, M* q; c
2 D0 X8 n, g. q( L* u. L
2 E5 X  k- k7 b) ]6 l

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貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率
( A3 T( J3 p# {; X
* g+ v: A+ j) ]6 }, eDDR4-1600 MT/s
7 p6 Q- D$ Z; t$ ZDDR4-1866 MT/s  t( e9 H  _& S+ p+ n
DDR4-2133 MT/s2 k6 p; ~/ |/ e, e
DDR4-2400 MT/s% _6 J3 ^: r6 u7 j( n" R
DDR4-2666 MT/s: G0 y1 c+ e1 }7 O  R) ]9 P6 K+ H
DDR4-3200 MT/s2 f: y& N- M  ?( S0 X
, n# U$ ]/ P* r5 I$ W
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的6 f2 f+ l3 `4 ?' h" I  m  M
DDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,1 F# n& ]. K8 K! \
换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz4 y6 {* V" E  c% i8 d5 D; |' `7 _
2 l( f7 V1 v5 f# n

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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