找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 4013|回复: 6
打印 上一主题 下一主题

关于MOS管内部寄生二极管

[复制链接]

6

主题

38

帖子

462

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
462
跳转到指定楼层
1#
发表于 2016-8-31 15:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
大神们,请教下是否现在所有的MOS管内部都会有寄生二极管的存在?, n3 r5 q. C: K1 H2 P
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏1 支持!支持! 反对!反对!

24

主题

1796

帖子

8046

积分

六级会员(60)

Rank: 6Rank: 6

积分
8046
推荐
发表于 2016-8-31 23:55 | 只看该作者
看图说话,MOS其实是四端器件,这个模电有说,但我们平时用到的没有4个端的啊,因为制作的时候把图中的沉底和S级连在一起了。很容易看得出,本来是完全对称的,因为BS连在一起了,就不对称了,途中的PN结本来有2个,结果只有一个了,这个就是body diode了。
0 m/ }) {; Z7 S那也很容易知道,假如BS没有连接在一起,就有2个二极管,Vgb不够,DS是不会导通的,虽然有二极管但是2个背靠背就不用关心了反正没有Vgb不导通。当然此时DS是可以互换的。
  B4 J, }3 S4 Q

111.png (226.59 KB, 下载次数: 21)

111.png

51

主题

405

帖子

4530

积分

五级会员(50)

Rank: 5

积分
4530
3#
发表于 2016-9-1 10:25 | 只看该作者
应该是吧,画MOS管示意图上面都有寄生二极管的.
一朝英雄拔剑起,又是苍生十年劫
唯刀百辟 唯心不易

45

主题

147

帖子

930

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
930
4#
发表于 2016-9-1 11:03 | 只看该作者
那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊?(带载能力,效率等?)图中这个是升压电源的 HMOS,输入20V,输出50V,测量时确实带载能力不够,,,还不知道原因。" P1 }& o2 y7 T8 Q$ C: [- E

MOS.png (40 KB, 下载次数: 0)

MOS.png

点评

你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个全图来看看。  详情 回复 发表于 2016-9-1 20:08

24

主题

1796

帖子

8046

积分

六级会员(60)

Rank: 6Rank: 6

积分
8046
5#
发表于 2016-9-1 20:08 | 只看该作者
hao2012 发表于 2016-9-1 11:033 X$ C9 Y# Z3 J
那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊 ...

1 K$ E/ F. R. h9 z7 U/ @: b你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个全图来看看。
2 [2 e; }/ S. d3 Y7 B0 }

点评

就是这个,帮忙分析分析?  详情 回复 发表于 2016-9-2 09:44

45

主题

147

帖子

930

积分

三级会员(30)

Rank: 3Rank: 3Rank: 3

积分
930
6#
发表于 2016-9-2 09:44 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2016-9-1 20:08
9 O& I: M% G# Z你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个 ...

, G  z" T: T! I& \就是这个,帮忙分析分析?8 t# g  b0 o. J) }  ]) |- M

pwr.png (62.34 KB, 下载次数: 0)

pwr.png

点评

这是个同步boost,高端的MOS是取代以前的二极管的,提高效率。 应该是通用的,LMOS导通,电感储能,此时HMOS肯定关断,那么HMOS的S级不是Vin而是接近GND,D级是Vout=50V,body diode是截至的和以前的二极管没区别。  详情 回复 发表于 2016-9-2 11:02

24

主题

1796

帖子

8046

积分

六级会员(60)

Rank: 6Rank: 6

积分
8046
7#
发表于 2016-9-2 11:02 | 只看该作者
hao2012 发表于 2016-9-2 09:443 }4 c4 `2 H' f. _( ^
就是这个,帮忙分析分析?

# Y& V+ ^% B% H' l+ W3 M6 a这是个同步boost,高端的MOS是取代以前的二极管的,提高效率。9 [1 p- y2 e8 y: w1 A. g8 ]9 |
应该是通用的,LMOS导通,电感储能,此时HMOS肯定关断,那么HMOS的S级不是Vin而是接近GND,D级是Vout=50V,body diode是截至的和以前的二极管没区别。然后下一个Lmos关断,电感电压和电源电源叠加升压,同时Hmos打开,此时MOS就直通,相当于Rds把body diode短路了,而不靠二极管续流,那这个地方就没有二极管压降造成的那么大损耗。下一个周期反复。6 ^2 m" |7 H6 R. ]: z
可见,整个工作过程中,可能只存在MOS导通缓慢才会有大电流流过HMOS的寄生二极管的情况,但设计会避免出线此情况。完全关闭导通后都不会有。$ Z  S3 I' i4 ^8 K9 Q$ e9 v2 O6 s% b
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2024-11-23 10:30 , Processed in 0.065716 second(s), 37 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表