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DDR3同组的数据线不一定要走在同层?

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发表于 2016-9-19 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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只要是走在对称的层叠中,上下有地层屏蔽,且与其它组数据线保持足够间距,DDR3同组的数据线不一定要走在同层,这种走法是否可行?
) E0 n+ |& k( ]* P6 f& B
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发表于 2016-9-19 11:25 | 只看该作者
没试过!手册上写的就是同组同层

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发表于 2016-9-19 17:51 | 只看该作者
个人认为就阻抗来说应该都会控制的,但是有个时序问题应该要注意,这个容易被忽略掉。) z4 t7 v/ e7 ]* v- z3 m8 I/ }
比如一个2MM的板,走在TOP 和 BOTTOM 。如果不算孔的的长度,也就大概是板厚,那么走在BOTTOM的线会比TOP的线长一个来回,也就是大概4MM ,其他的不同层的类似 (这时候要设置叠层把孔算进去,而有些软件是不算孔的,你就看着办吧)
; X8 v0 l# {( j8 U: {, \2 A. s3 ^+ {  L) K# L3 {& m; e
而走在同层就不需要考虑这个问题?一组线同时增加 或同时减小的孔长都是一样的,所处环境都一样,算不算在内都是等长的。
* P, b; @% @/ j/ J有些客户要求必须要相同的孔,也就是明明有些线TOP可以直接走的,但是一定要打多两个孔到BOTTOM和其他线一样,也就不难理解了

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TKS.  详情 回复 发表于 2016-9-19 17:59

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 楼主| 发表于 2016-9-19 17:59 | 只看该作者
superlish 发表于 2016-9-19 17:51( x% W$ {4 a; G7 J4 |/ \8 \7 Q7 J
个人认为就阻抗来说应该都会控制的,但是有个时序问题应该要注意,这个容易被忽略掉。# v5 Y5 i4 k+ J- u7 _
比如一个2MM的板, ...
+ C- r% Q4 L( B) U  V
TKS.
. v! @0 s% A/ m7 _( f

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发表于 2016-9-20 14:20 | 只看该作者
1.各层的阻抗控制是有误差的。
! e; d  c$ Y$ j' _% ?7 C" S2.过孔的延时比较难计算,等长误差会比较大。
1 t5 [7 n" E( ?- T, I0 u4 ]* S9 m* u3.由于参考的平面层不同,电源对不同层的线造成的影响也不同。; c7 Q4 B3 V( y8 X  c$ F. e
但是,如果DDR3的速率用的不高的话,比如1066或一下,应该问题不大。5 G2 n1 j. a# E8 h
有条件的话建议通过仿真验证^_^

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发表于 2016-9-20 19:32 | 只看该作者
必须同组同层走线

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发表于 2016-9-22 11:57 | 只看该作者
最好同层 防止VIA等换层带来的误差  当然个别线无法走的 到其他层 也可以的

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发表于 2016-9-23 10:20 | 只看该作者
不同层也不是完全的不可以,主要看你回流平面的选取,以及总体的冗余做了多少,各方面都很合适,也能够很稳定
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