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今天有朋友问到为什么在powerSI中计算出来的信号阻抗是接近50欧姆，PDN的Z参数的阻抗只有不到1欧姆。3 F$ ]8 M9 U+ ` F, t
" i g# m' ^8 R5 o* d1 a答：5 E: g& j: v; i" D% c. N
特征阻抗和PND阻抗都是频域里面的概念。$ X' E# m2 a6 K$ e& V) x# |# z, F- ]
特征阻抗
W e c+ D, R是针对于信号线在高频环境下测量出来的瞬态阻抗。
. C }8 h8 ^# e特征阻抗：又称“特性阻抗”，它不是直流电阻，属于长线传输中的概念。在高频范围内，信号传输过程中，信号沿到达的地方，信号线和参考平面（电源或地平面）间由于电场的建立，会产生一个瞬间电流，如果传输线是各向同性的，那么只要信号在传输，就始终存在一个电流I，而如果信号的输出电平为V，在信号传输过程中，传输线就会等效成一个电阻，大小为V/I，把这个等效的电阻称为传输线的特性阻抗Z。信号在传输的过程中，如果传输路径上的特性阻抗发生变化，信号就会在阻抗不连续的结点产生反射。影响特性阻抗的因素有：介电常数、介质厚度、线宽、铜箔厚度。/ K, ^3 C" L9 u( |4 y
可以参考一下百度文库的这篇文章，写的很好： http://url.cn/1Y5XJr
& L* p0 L) D& A m$ U3 ]0 U8 v) }1 ]+ I; m7 _6 s, S+ A& F
PDN阻抗* e9 s N% _, n# h
是电源地之间在高频回路下的阻抗值，通常一个电源系统中，我们会有一个设计目标，一般我们称之为目标阻抗（电源系统）/ X2 V1 U- n1 f" ^0 {! |
简单的公式为：8 [ r: O7 l$ p1 n
/ y; J% y6 J0 G$ G6 ]1 L: k; h1 u# l- u
/ l V$ r. n) ?4 Q ^! }6 @- g; b当然在更高频下，目标阻抗会有变化。设计时，我们是需要把整个PDN的阻抗降低到目标阻抗一下，特别是在我们的工作频点，系统的PDN阻抗一定要低于目标阻抗，一般可以通过板卡上放置电容来实现。- l3 p. n1 G- ~6 H
* j% @# _4 e7 d
PDN阻抗通常应该是毫欧姆级别，电流越大，我们的PDN阻抗应该越小。+ T4 ^# [2 ~9 ~% G% Q3 g
0 R; o% Q7 w6 |- @' r( d通常加电容处理的范围是几MHz到几百兆级别
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) `4 [, } L9 X' D+ p2 b" Y5 D1 T% ] |
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发表于 2012-3-15 21:06
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发表于 2015-4-6 05:12
楼主
发表于 2012-3-21 13:16
