Designer自带DDR3 Example问题请教

snsArvin · 发表于 2015-3-12 16:11

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本帖最后由 snsArvin 于 2015-3-12 16:13 编辑

大家好，小弟最近在学习Designer仿真时，遇到一些问题，甚是不解，请大家指点。
我学习的例子是ANSYS自带的，得益于cousins版主的推荐。
文件在类似这样的目录下D:\Program Files\AnsysEM\AnsysEM15.0\Win64\Examples\Designer\SI_Circuit\DDR3_Example.adsn
1.图中的红色部分代表什么？

我看了，这是个.sss后最的文件，不知道这是个什么文件？
2.图中的DQ信号，属性里面为何有diff这样的说法？而且按照这些参数，计算出来阻抗并非50欧姆，如何理解？

cousins · 发表于 2015-3-12 16:29

1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是两对靠近的差分线。
例子中的通道模型并非你一定要用的，真正项目中用touchstone替代Nport通道就好。
注意检查touchstone的passivity和causality。

snsArvin · 发表于 2015-3-12 16:31

cousins 发表于 2015-3-12 16:29; l9 _9 f3 L) L/ h* o
1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
: H( p+ h9 D, n. Q# [$ B2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是 ...

版主，您好。
1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
2.图中是dq信号，不应该是差分才对呀

cousins · 发表于 2015-3-12 16:37

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:311 t( D4 z% V. h D7 b( A7 g
版主，您好。
% ?! g' N! H% ]: F: z3 r& ^. G1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
4 g$ ~+ x: m2 u# g# z2 M2.图中是dq信号，不应该是差分才对 ...

例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模型。

snsArvin · 发表于 2015-3-12 16:44

cousins 发表于 2015-3-12 16:37
! t8 i: p* }. b例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
4 Y1 O. R& w$ {1 {+ F. q6 J) G实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模 ...

这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？

cousins · 发表于 2015-3-12 16:49

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:44
% e; t2 ?, W. T& Q% A$ ~4 |这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？3 L. {+ @% U& c$ k- }. W6 b+ y5 _
0 f1 R' R" T3 V% N
...

不需要转换，你新建circuit时，component里就会有对应的元素生成。
导入ibs时选择pin就可以读取pin中的package信息。
如果你有pkg model，可以编辑ibs定义package model读入rlc。

buymoreba · 发表于 2016-1-24 10:16

请教package

buymoreba · 发表于 2016-1-24 10:17

本帖最后由 buymoreba 于 2016-1-24 10:23 编辑

怎么在ibis中编辑pacage,这样designer可以直接导package的参数吗？

buymoreba · 发表于 2016-1-24 10:17

本帖最后由 buymoreba 于 2016-1-24 10:20 编辑

怎么在ibis中编辑package

372142758 · 发表于 2016-2-27 23:10

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