找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

巢课
电巢直播8月计划
查看: 972|回复: 17
打印 上一主题 下一主题

PMOS几个参数有点不理解

[复制链接]

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
跳转到指定楼层
1#
发表于 2015-12-2 15:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
  在选型PMOS过程中
( A4 {# y: l# |$ j; {( r1,第一份手册,
7 [$ t# ]$ s7 p  t! n    switching parameters  一栏& f) m; r/ Y9 T
    ★   在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述: VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω,Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?; X; n, X, j" _
    ★    body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件) 5 q7 o/ [2 o1 f6 z8 a' x$ z
2,第二份手册   
- U* B, N% W* h8 Q" C" g    switching parameters  一栏! {1 t1 [) B3 o4 ^  U6 _( M
   ★  在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述: Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V,Rgen=6Ω.
8 v- G2 _; U3 a   ★  DRain source diode forward current      -65A。 这个65A不知道如何得出这个值?
# {8 w! H$ K# r' r- h6 H
# O* H8 k4 {: I1 J
9 h* f' ^* a$ I/ F7 j& K5 z% }那么就有几个问题出来了5 P- Y7 ]% n8 M+ f: ]: P
1) 内置肖特基特性,那个参数更能反映优劣性能?个人觉得, dI/dt=100A/us
! ]( m, Q" U* R. o2) VDD和VDS两个电压是有差别的, 出现在手册里面,对VDS理解较容易, VDD呢?和ID关系呢?
+ d! C' [; b0 l. W7 _7 G/ g6 ~9 q& j# K* V

4 x0 q: H, ~8 J# S  \1 X因为最近有几款大功率驱动需要做,所认真读了下手册,竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点,在此谢过!!!!
, P+ R$ L, ~; ]% j0 D
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友 微信微信
收藏收藏 支持!支持! 反对!反对!

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
推荐
 楼主| 发表于 2015-12-5 08:56 | 只看该作者
本帖最后由 zhanweiming2014 于 2015-12-5 09:14 编辑 - @: E* H! _: I) u
6 M, n& o; x" t5 U
这里对MOS一些参数汇总一下,算是对自己总结下
, `( O! T  S2 h# i0 Z1,UGS--手册里面提到的一般是阈值,-20V~+20V,但是温度的改变,又会导致这个值得变动,且往小处变,变化系数-5mV/℃,在实际中,MOS温度达到80℃是经常的事情& g6 J5 k/ |3 m1 ~
2,正向传导系数yfs,这个参数我在选用中,真的考虑很少,甚至没有想到过。是这样子描述的:单位VGS变化所引起漏极电流的变  化,看到这个,再看看第一点,很快就明白了,MOS莫名其妙电流变大
4 ]6 j3 [* {# c5 j3,漏极/原极导通电阻,导通电阻越大,这开启状态时损耗越大,也就是PWM信号占空比了,其实这里有两个关键字,“导通”,“开启”,用示波器观察过DS波形的人,都知道联系到这两个关键,怎么样去确定到底导通了多久,还得去仔细观察,况且这个值还会随着温度升高而增加,至于这个功耗就简单了PT=I2R(DS)" p# r# E! c8 X0 G* u
4,内部容量,也就是栅极,漏极,原极之间存储能量# _# x9 Y! m8 _6 _) d8 b
4 f1 k! o9 }! }; A
这个参数,我也一直没有真正去考量过,只是大约估算着,输入的频率
7 [3 e/ O4 ~9 C/ j5 `7 [# B; ?5,内部二极管反向恢复时间
0 }' Y1 D5 a; P) ^4 ?
. s) @; e" n5 L/ t) S+ G7 g. h说真的,这个参数,在我心里好像是一个魔术,知道这么回事,却不知道如何去贴近实际理解6,连续漏极电流
0 K) y# i- t) o6 Z" q. g定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数) i; k: S" T6 E. d) p
PD=ID(2)R(DSON)
% X( e* e6 D8 E2 T, A/ I; r" A# j! t1 y* z2 c
以上参数都是,网上摘录下来的。只是加入些个人理解& b; {9 W3 e/ M3 |0 `, m

$ `1 r3 e, {& y& J% [
+ L9 W  ~3 b6 [% ~4 y1 I  v& Z. V7 i& s$ o, K7 S' y- w
( @0 F1 C4 T/ ^& Y  H$ m

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
推荐
 楼主| 发表于 2015-12-5 09:29 | 只看该作者
本帖最后由 zhanweiming2014 于 2015-12-5 09:34 编辑 + w. e# h% x+ f) n6 [5 ^. S$ B

! `' V6 \; C' Z6,Ciss :输入电容 4 X5 G/ ?$ p4 g4 L
将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电至一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
# f. Q. z/ E8 D8 J1 D7,Coss :输出电容
" S9 ^' ]- E0 R0 z# V: G4 Q% t. X# k将栅源短接,用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成,或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用,Coss非常重要,因为它可能引起电路的谐振8 d* o; g4 ]& t- q
8,Crss :反向传输电容 " |8 C# u# ?& n& M9 ?
在源极接地的情况下,测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd,反向传输电容也常叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数,他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
* w4 X4 K% @4 q5 U# Q以上三个参数,与实际应用计算却不知道了,有待....+ T, N) p* M* j

点评

场效应管的源极、漏极和栅极之间都存在寄生电容,分别用CDS、CGS和CGD,这三个电容影响场效应管的开关频率。 这三个电容与输入电容Ciss、输出电容器Coss以及反馈电容Crss有如下的关系。 Ciss=CGS+CGD Coss=CDS+  详情 回复 发表于 2015-12-8 08:02

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
推荐
 楼主| 发表于 2015-12-4 19:45 | 只看该作者
我总结一下,这几个月我使用PMOS经历
' Y: R' `% ]3 ^1,RDS不仅仅决定了功耗,还有输入电容
. {" z9 p0 B3 E( ?% D* ^    一开始选择MOS时候,我差不多都是以RDS为标准,当然是在电压和电流满足前提下,可是后来选用了一款RDS很低的MOS ,测量发现,功耗并没有减少,然后仔细一看,发现Ciss要比之前的大很多
# {4 z! W1 L5 u! S/ j( }2,通常情况下,电流特性相对于电压特性,更重要些,当然是针对DC低压供电情况
* J: c% B' b1 G8 Q  d- g3,负载的匹配,太重要了,可是一直是靠着实验方式去验证,比较费劲,效果也不错
0 U! A+ C& B! r7 K( _5 G----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
  n8 V; V" h% z* N  现在也有些问题,一直模糊着
; a4 _% i* L$ f: Z8 ~ 1,MOS功耗是由RDS和开关频率共同决定的,至少对我的感性负载是这样子,且有些杂散的波形,这之间关系如何去调配,当然是理论前提9 ^: h; }; ~9 y
2,负载匹配,我一直都是按照谐振频点去靠近,当然最后是实验,我不知道实际工程,是否有更加可靠的计算方式

8

主题

2339

帖子

5400

积分

EDA365版主(50)

Rank: 5

积分
5400
2#
发表于 2015-12-2 17:21 | 只看该作者
Rgen是串联在GATE的那个电阻。" n* q+ m6 U* C
65A如果是平均值,那么是按照热阻计算出来的。$ [+ a  S* b: M1 y9 A
VDD通常代表器件的对GND的电压。

点评

恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻,但是据我所知,G的输入电阻应该在兆欧级别  详情 回复 发表于 2015-12-10 15:01
谢谢解答 平均电流是,热阻算出来? 如何理解?  详情 回复 发表于 2015-12-2 17:37

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
3#
 楼主| 发表于 2015-12-2 17:37 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-12-2 17:211 [. G- W- f1 J1 q
Rgen是串联在GATE的那个电阻。8 u- V$ K! O9 I" Q! A  a% T
65A如果是平均值,那么是按照热阻计算出来的。
9 v$ u8 N0 X9 t$ K5 |: K  XVDD通常代表器件的对GND的 ...

1 ]5 {. \* ]4 i7 W) ?7 [谢谢解答
6 I, J3 D+ v7 X1 W' S. v1 Y2 H. n& B( u8 j# K! i1 l9 ?
平均电流是,热阻算出来?
+ t3 v) y. a) C0 W6 {如何理解?
8 M: P% B0 H4 H( D

点评

SORRY,那个65A的话我收回,我看错了,我以为是D-S的电流,原来是体二极管的正向电流。 里面体二极管的正向电流不清楚。  详情 回复 发表于 2015-12-2 18:28

8

主题

2339

帖子

5400

积分

EDA365版主(50)

Rank: 5

积分
5400
4#
发表于 2015-12-2 18:28 | 只看该作者
zhanweiming2014 发表于 2015-12-2 17:37
, R# ~/ h6 T, _4 Z谢谢解答1 Y' J! v4 G! U& b4 p

3 |' S. x% o4 J8 a9 W0 w+ b/ f平均电流是,热阻算出来?
+ h9 p  |' t1 ^1 t
SORRY,那个65A的话我收回,我看错了,我以为是D-S的电流,原来是体二极管的正向电流。
" ^$ w& Q8 m3 D7 }  q里面体二极管的正向电流不清楚。
$ \- f! |0 e* A# P

点评

还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来,是有两个意思 1,这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭时能量,为什么使用平均电流? 2,由于开关频率关系,按理说,我需要的是di/dt这个斜率才对  详情 回复 发表于 2015-12-4 09:19

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
5#
 楼主| 发表于 2015-12-4 09:19 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-12-2 18:28, ?6 B8 t5 p1 }8 t8 h
SORRY,那个65A的话我收回,我看错了,我以为是D-S的电流,原来是体二极管的正向电流。
, Z5 ?- y0 \( }里面体二极管的正 ...

: s: G& s& w% ?8 P$ W' n! C    还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来,是有两个意思
( Q& S4 _0 z$ y) Z% B( Q4 E. W3 P& r9 H/ W/ e( n5 D$ Q
1,这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭时能量,为什么使用平均电流?+ R8 h. o( ?& G! c3 e% H! I

: j3 i. ]7 V1 ]+ _* ?2,由于开关频率关系,按理说,我需要的是di/dt这个斜率才对
, o/ R/ W5 g; Z+ k

点评

释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导致的。 如果看开关频率的关系,应该是要看反相回复时间。  详情 回复 发表于 2015-12-4 10:25

8

主题

2339

帖子

5400

积分

EDA365版主(50)

Rank: 5

积分
5400
6#
发表于 2015-12-4 10:25 | 只看该作者
zhanweiming2014 发表于 2015-12-4 09:19; J0 L, T* |3 [
还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来,是有两个意思
. I9 v+ J  U/ Y1 Z% z% I( R' r
, Q3 ^0 ], d1 G. X: N& a1,这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭 ...

8 ]: u+ J4 K2 M1 w释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导致的。* ?' V" `4 i, n
如果看开关频率的关系,应该是要看反相回复时间。
2 T( R3 A& ~$ ]& {5 w

点评

哦,这里我把体二极管看成是,内置二极管。的确实感性负载  详情 回复 发表于 2015-12-4 19:22

33

主题

4949

帖子

1万

积分

EDA365特邀版主

Rank: 6Rank: 6

积分
12225
7#
发表于 2015-12-4 15:59 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-12-4 17:11 编辑 $ i3 C; V5 K' i, J* L0 F0 I
, \7 Y/ n/ w7 P8 v" g# ^8 U
Rgen 的作用是 MOS 管在做開關測試時,需要產生上升Rising)或下降Falling)時間
% g6 W7 q3 ]" v- v; [
( n- }! ^) Y; a, s( ~+ Z由於不同型號的 MOS 管,被設計出來時的寄生電容Parasitic Capacitance)都不一樣,所以 Rgen 搭配脈波產生器Pulse Generator)的值各有不同。芯片資料只是告訴你,做此項測試時所搭配的電阻值大小。
) E. \5 }; e) u0 z; b2 p$ @" r/ D# F9 R& v% m; J$ Z' c3 {2 h: }3 x
9 d: k% H- E7 w2 t1 q0 P/ ^
* {4 ^4 N( Y( |5 d
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

33

主题

4949

帖子

1万

积分

EDA365特邀版主

Rank: 6Rank: 6

积分
12225
8#
发表于 2015-12-4 16:07 | 只看该作者
關於 UISUnclamped Inductive Switching)測試,請考 JEDEC JESD24-5 規範內容。+ \8 }, Z; `/ W- W
! \$ u. Q& ]  y0 f
0 T. S6 N( @( Q) N

jesd24-5.pdf

84.77 KB, 下载次数: 18, 下载积分: 威望 -5

哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
9#
 楼主| 发表于 2015-12-4 19:22 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-12-4 10:25
+ |( Y2 b# e. v& o释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导 ...

  h/ }/ S! ?: @9 ~  u    哦,这里我把体二极管看成是,内置二极管。的确实感性负载
( [$ X: k( {. H" a- E/ T

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
11#
 楼主| 发表于 2015-12-5 08:24 | 只看该作者
本帖最后由 zhanweiming2014 于 2015-12-5 08:36 编辑 4 T9 }+ j0 M8 w3 l# X3 h# A
: N/ P! O# F5 p+ `5 s  Y
一开始使用MOS时候,第一时间想到的是,额定电压,额定电流,RDS,三个参数,其它参数都是“走马观花”式的,随着应用越来越多,功率越来越大,渐渐关注了其它参数,* c9 z1 L) c/ H' J% N
第一时间反映过来的是,功耗。粗若估计,发现电源应用效率偏低,也就考虑到了MOS上面。" X/ c# z1 D7 T: y- l& J

62

主题

408

帖子

1685

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1685
12#
 楼主| 发表于 2015-12-5 08:27 | 只看该作者
本帖最后由 zhanweiming2014 于 2015-12-5 09:24 编辑
) h* b% U- b$ E6 U/ X, B1 b$ W+ S7 B# w! q' T  |2 C
热阻,我在实际工作中,很少仔细计算过这个,一般是由散热器,仿真分析散热
7 s% ?" A9 w9 V/ A! I: h2 u( c) e3 _6 p" f7 y9 ?. Q* T/ i' v% t
% q. Q- w$ w3 J- S
RDS(on)是指在特定的漏电流(通常为ID电流的一半)、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。这是来自互联网解释,不知对错了
$ ]- H9 s! V- I+ ^% B- Q5 x' [% t& Q0 M/ l0 P" u3 V

51

主题

171

帖子

1546

积分

四级会员(40)

Rank: 4Rank: 4Rank: 4Rank: 4

积分
1546
15#
发表于 2015-12-7 19:40 | 只看该作者
赞一个!我感觉很多运用中,根本没有理解也没有认真去看这些参数的。只有真正的高手,才会去关注这些参数,他们设计出来的电路也更加稳定。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

巢课

技术风云榜

关于我们|手机版|EDA365 ( 粤ICP备18020198号 )

GMT+8, 2024-11-28 04:41 , Processed in 0.076618 second(s), 46 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表