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在选型PMOS过程中
( A4 {# y: l# |$ j; {( r1,第一份手册,
7 [$ t# ]$ s7 p t! n switching parameters 一栏& f) m; r/ Y9 T
★ 在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述: VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω,Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?; X; n, X, j" _
★ body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件) 5 q7 o/ [2 o1 f6 z8 a' x$ z
2,第二份手册
- U* B, N% W* h8 Q" C" g switching parameters 一栏! {1 t1 [) B3 o4 ^ U6 _( M
★ 在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述: Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V,Rgen=6Ω.
8 v- G2 _; U3 a ★ DRain source diode forward current -65A。 这个65A不知道如何得出这个值?
# {8 w! H$ K# r' r- h6 H
# O* H8 k4 {: I1 J
9 h* f' ^* a$ I/ F7 j& K5 z% }那么就有几个问题出来了5 P- Y7 ]% n8 M+ f: ]: P
1) 内置肖特基特性,那个参数更能反映优劣性能?个人觉得, dI/dt=100A/us
! ]( m, Q" U* R. o2) VDD和VDS两个电压是有差别的, 出现在手册里面,对VDS理解较容易, VDD呢?和ID关系呢?
+ d! C' [; b0 l. W7 _7 G/ g6 ~9 q& j# K* V
4 x0 q: H, ~8 J# S \1 X因为最近有几款大功率驱动需要做,所认真读了下手册,竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点,在此谢过!!!!
, P+ R$ L, ~; ]% j0 D |
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