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在选型PMOS过程中9 [; u7 F' f+ S$ }/ @* R! T
1,第一份手册,5 A# {1 v# D7 v: Q
switching parameters 一栏6 L! h m$ K/ j- c. [
★ 在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述: VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω,Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?' v* }3 ? A2 E6 R
★ body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件) 3 L) T5 r% L9 W: V' f3 [, K+ y) V
2,第二份手册
; P' C2 K* D$ e& d/ A2 w4 k switching parameters 一栏
! S' c- o5 }4 Z l" k ★ 在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述: Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V,Rgen=6Ω.
% A; M ^, J( g. |# C ★ DRain source diode forward current -65A。 这个65A不知道如何得出这个值?
; q. {6 R$ l% n* a
8 Q3 R) E' U/ z) U; v1 ?0 T) S0 @+ u& R
那么就有几个问题出来了
0 X4 }$ X$ I/ t8 c$ X1 j$ y1) 内置肖特基特性,那个参数更能反映优劣性能?个人觉得, dI/dt=100A/us
% x" r* Y+ t* |& F J8 H' Y9 t8 Y; z7 R2) VDD和VDS两个电压是有差别的, 出现在手册里面,对VDS理解较容易, VDD呢?和ID关系呢?
- c9 F$ Q& H! U' x4 B6 u/ M& N. Q5 z& a$ d
; W5 `* N) @/ o7 {6 ~( _3 M因为最近有几款大功率驱动需要做,所认真读了下手册,竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点,在此谢过!!!!6 v$ T' g; Y. r7 o
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