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上电冲击电流的抑制

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发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
+ q3 U, l8 `6 j
    谢谢!

, m  I7 R$ v8 u+ v5 g
+ U3 l5 J* r  O, Y! }

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 1)

上电冲击电流.png
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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:368 N6 `2 e' e; T- B1 y# w
我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。
% l) L& {. f  I  k1 q# H) l( ]% H具体参数可以仿真一下,或者试一下

2 X& O: ~5 q) H, T使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。) U" O* P7 ^5 \3 R  K: o
2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。
- {5 n9 _$ a& m所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
- F+ d# K$ H8 [& P5 `" O) H) \: X/ R9 Y2 m

# z9 c. _. C  R: S& C5 w

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37
+ f' b; i: t/ g' W8 z: ?使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

  x8 @* f' a7 z- v' [* h1 F电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。& \, h: y$ W! I
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
, d" r" x. o8 p: R5 v4 d9 e. P这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。; ?  |1 H3 c' a
后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。( J2 B8 B& E+ _, n

& b. ]1 a) v/ }: e# T+ \
9 `4 y+ p& Y$ D$ {; d! \

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估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31
+ U; Y6 r% i6 t) Z" v* u为什么是N管呢,你确定能完全打开?
& [! H: {9 T6 H# }2 y) c7 x
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
1 G# W$ e2 B  q" I  [2 D之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
! X( S& x  d9 `! u! I* }3 b- e/ D8 g
+ T0 X) q- E4 q: d+ l5 i. Z

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哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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发表于 2015-6-15 11:34 | 只看该作者
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冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过  详情 回复 发表于 2015-6-19 20:59
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。  详情 回复 发表于 2015-6-15 14:46

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 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
# [/ [- P: K: N. R1 j串联电感
- k2 K( P. l7 L4 w8 B" h! r
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
& ~" D2 N- r9 l! w2 _

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串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

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G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20$ F6 P' K% Y) ^- G6 {6 T
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
9 `6 K4 F% b4 ]' A  r3 N5 L之所以选择NOMS,而不 ...

2 [; J6 K/ _. z$ @" v' D' b$ }哦 又学了一点呢 谢谢
# d6 A' j9 f2 D2 r

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发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
/ d' i+ p/ h0 Y3 E2 K6 b& B在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
; B7 l" T: N* [8 Q' Q5 Y  S
串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。
. x7 Q  U* W: k5 O; @$ O( V你再找高手问问吧。# {) |/ a& |7 u0 T! e( q

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发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变
" T$ W& ~( D( E+ S( l. L
) O' A# p9 ]: a/ Q' k不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻# B' p# H6 |& E+ h, ~) E

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发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
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发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.( W2 ?' K  s# v/ i' k) c: v
Surge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
3 Q: Z! [# ^/ U3 z+ `" N' Y9 r) @/ uA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:345 s) `! g8 V4 M
串联电感

% p# l* n( R0 Y0 ]7 M冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
  ?( r) f+ k. \7 y; z( e. \

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恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

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不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59, f& f/ k/ Q8 Y
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过

5 B) i4 q2 {1 S  o+ t. l恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。
- ^! {- E6 J! [6 m, w5 K7 @. G2 h, s- S: k# [( s1 c$ w

# J2 m9 V5 a* s0 ^( [8 q
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myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
3 O6 k" t, O7 k9 T! J" y7 A楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适
( g9 T, R& B$ i: f' u7 `! P
不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
- m4 R. i5 [0 Z  J" o

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容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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