IBIS模型能用来仿真一个完整的芯片吗？

ultracalibur · 发表于 2015-4-25 03:26

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根据IBIS模型的产生方式，时不时意味着只要知道了IBIS input buffer和output buffer的参数，和内部的逻辑连接，就可以仿真一个完整的芯片了呢？

谢谢

qingdalj · 发表于 2015-4-25 08:48

不太明白你说的完整的芯片和内部逻辑连接是什么意思，能详细一点吗？

ultracalibur · 发表于 2015-4-25 08:56

仿真完整芯片就是在不知道spice模型的情况下，根据芯片输入引脚的信号，可以得到输出引脚的信号。

内部逻辑连接就是比如类似与非门，非门这样的芯片本身的逻辑电路

qingdalj · 发表于 2015-4-25 10:10

你是想根据一个芯片的输入情况确定该芯片某管脚的输出是吧？这好像是芯片内部的逻辑结构，对IBIS而言，输入和输出没有直接关系。举例来说A入B出，A和B没有直接的关系，IBIS 只规定了A作为输入时，芯片内部的输入特性，包含了一些钳位曲线或匹配特性，可以理解为信号在A输入时所感受到的情况与实际芯片基本一致；B也类似，只是一些输出特性，比如上升下降时间，上下拉特性，钳位等。仿真时，B作为输出，我们会将激励加于钳位及上下拉之前的位置，此激励与B输入的信号没有直接关系。

ultracalibur · 发表于 2015-4-25 10:40

谢谢你的回复，你的意思是只通过IBIS model还无法仿真整个芯片吗？

就比如A入B出，在提取IBIS model的时候，output buffer model的V-t曲线的测量是基于输入端口逻辑电位0与1的变化而决定的。即output buffer的V-t曲线的变化实际上就是输入端口的电位发生变化时候，相应的在输出端的电压随时间变化。那是否可以认为可以根据IBIS model来仿真芯片输入和输出的联系呢？

ultracalibur · 发表于 2015-4-25 11:28

我知道ibis model一般是用来仿真high speed channel的，但其中的Vt曲线的信息是否可以用来仿真芯片呢？

在ibis model的Vt曲线测试中，要测试输出的电压曲线随时间的变化，那就必然是给输入端口有一个input，此时测量的Vt曲线就是输出口相对应于输入端口的响应了，这就是输入端口和输出端口的联系了。

如果是一个单口输入单口输出的芯片，那么ibis model是可以用来仿真芯片的。问题在与多输入多输出的芯片情况了，是否知道了芯片的输入输出逻辑关系就可以根据每个pin脚的Vt曲线来得到整个芯片的响应呢？

谢谢

ultracalibur · 发表于 2015-4-25 11:32

ultracalibur 发表于 2015-4-25 10:40
/ H1 c! b3 l/ [: ^' n' c谢谢你的回复，你的意思是只通过IBIS model还无法仿真整个芯片吗？
7 [; p1 {9 `! V- E1 c8 P8 f4 w+ \2 `( L, B; y" ?# W
就比如A入B出，在提取IBIS model的时 ...

我是做电磁与IC的

shark4685 · 发表于 2015-4-27 17:13

IBIS模型只能模拟芯片管脚的输入和输出。

cousins · 发表于 2015-4-29 09:12

完整芯片的仿真是电路级的，IBIS是行为级的模型，所以IC厂商愿意提供IBIS，因为我们无法得知内部的电路设计。

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