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电流监测电路工作原理 求指教

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发表于 2015-3-25 15:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个电流监测电路的工作原理是如何实现的,求大侠指教,在线坐等回复
/ U2 ~/ D9 \( x9 o& j

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发表于 2015-3-25 15:28 | 只看该作者
图2,通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
/ F4 u9 P& \" E% a9 B; P' Z: {  m  z再仔细对照下图1中那个芯片资料,应该就有你要的答案了。

点评

我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:45
If by life,you were deceived.
Don't be dismal ,don't be wild!
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发表于 2015-3-25 15:38 | 只看该作者
典型的高位电流检测,而且你的图纸有问题,IN+是接R,IN-接S,R701也过大,一般都是0.4R以下,看电流。

点评

图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这个电阻也不算大  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:44

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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:44 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 15:38
- i% `' t7 N: w, w典型的高位电流检测,而且你的图纸有问题,IN+是接R,IN-接S,R701也过大,一般都是0.4R以下,看电流。

' N% Q8 \+ h6 p9 p$ M" C图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这个电阻也不算大
8 u' m; K; v/ \* L( n

点评

没有问题? 先看电流,1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降,你在大电流的压降那么大,能正确反映被测IC的电流? 再看高位电流检测,我看了规格书,我之前说的IN+/IN-的接法是错的,你这个IC确实要反过  详情 回复 发表于 2015-3-26 10:29

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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-25 15:28& |/ p' J) W" Y  V
图2,通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
, _" y- S$ R6 ?! D6 B再仔细对照下图1中那个芯片资料,应该就有你要的答案了。
# _- {: b' v9 Y
我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?$ c1 y  f8 {3 e  \9 f

点评

IN+端口原理图上面的电阻可有可无,那是因为芯片内部是比较器(比较器特点:虚短虚断)。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧(这个我猜的)IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短  详情 回复 发表于 2015-3-26 09:12

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发表于 2015-3-26 09:12 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:45
! K3 [, x- O1 Y我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?

3 U2 T, q$ d& ?1 H2 V7 T4 |1 J( v' |+ \IN+端口原理图上面的电阻可有可无,那是因为芯片内部是比较器(比较器特点:虚短虚断)。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧(这个我猜的)IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短虚断特点计算的。
# o" U. s2 t. J兄弟6 S2 ^9 d# }; Z1 [
芯片内部的逻辑结构图也是比较重要的一部分,需要仔细研究下8 v0 W2 H: O, l3 k; ^

( y* P2 p8 }) T/ O( K; S
3 U8 D$ S) ]& O; o6 Y4 d+ a
写了这么多希望对你有帮助8 l6 b. L$ _$ P
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发表于 2015-3-26 10:29 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:44- P5 ^: m: D1 z- P6 R
图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这 ...
+ E6 w+ _7 m1 f
没有问题?
  d8 d7 @1 V$ B+ h% b, p( G先看电流,1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降,你在大电流的压降那么大,能正确反映被测IC的电流?7 B9 j0 |; ?$ m  x3 d
再看高位电流检测,我看了规格书,我之前说的IN+/IN-的接法是错的,你这个IC确实要反过来接。而且这个输入失调电压就是10uV,你还能测试4.7uV?+ ^" z+ L& g9 \* K( I

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发表于 2015-3-26 12:43 | 只看该作者
原理很简单的,简单画了个图。原理如下:MOS管U2引入负反馈,满足虚短条件,即运放正反相输入端的电压值相等。那么R1*Icheck=R2*I2(Icheck为检测电流,I2为流过R2电流)。又mos栅极及运放输入端阻抗极大,故流过R2的电流与R3的电流一致所以mos管源级电压为Vout=R1*Icheck*R3/ R2。   按规格描述电路基本正确,具体参数在算算,呵呵。后面那级二阶低通滤波?滤啥子啊?
4 g0 U" C" l( L' p

currentcheck.JPG (38.32 KB, 下载次数: 0)

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我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~  详情 回复 发表于 2015-3-26 13:46

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发表于 2015-3-26 13:46 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 12:43
1 {! W+ R& }& w4 X* }4 b原理很简单的,简单画了个图。原理如下:MOS管U2引入负反馈,满足虚短条件,即运放正反相输入端的电压值相 ...

( \' x2 `9 h5 l# ?( E我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~0 `0 w9 @; F, ^" H+ S& H& m: e

8 Z* i+ b, F! w! x: J

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PMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的,当然楼主的芯片确实应该用PMOS  详情 回复 发表于 2015-3-26 16:45
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发表于 2015-3-26 16:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-26 13:461 I6 h" c) |5 q8 ]
我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~
/ w3 n7 i! v8 r- y8 W; b* l
PMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的,当然楼主的芯片确实应该用PMOS  x4 T: B. f( U4 H$ z/ K9 ?3 W

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恩,没错。所以该PMOS,运放正负端交换即可  详情 回复 发表于 2015-3-26 17:03

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yujingfa 发表于 2015-3-26 16:45
) }6 x) ]# R6 r+ g1 Y6 gPMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片 ...

$ J. F6 e: b' I恩,没错。所以该PMOS,运放正负端交换即可
/ V1 w% D. t: p0 \
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